Материал: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

сопротивление. Чтобы исключить эффекты, связанные с внутрен­ ним фотоэлектрическим поглощением, оптические измерения про­ водятся при довольно низких частотах (А, > 1 мкм). Используя расчеты Дингла для аномального скин-эффекта [88], Абелес и Тейе получили соотношение между оптическими постоянными и длиной свободного пробега электрона /, параметром зеркаль­ ности р, объемным удельным сопротивлением р0 и скоростью Ферми vF. Другое соотношение, связывающее I, р и р0, полу­

чается из формулы Фукса (13). Таким образом, измерение опти­ ческих постоянных и удельного сопротивления на одной и той же пленке дает два уравнения с неизвестными I, р и р0. Предпо­

лагая известными объемное удельное сопротивление р0 и ско­ рость Ферми Vp, можно, решая эти уравнения, определить вели­ чины / и р.

Размерные эффекты присущи также и гальваномагнитным явлениям. Постоянная Холла и магиетосопротивление зависят от параметра толщины k = djl и параметра зеркальности р

[18, 20, 43]. Измерение этих величин в сочетании с измерением сопротивления в принципе позволяет определить I и р для

одного образца. Однако гальваномагнитные измерения, как и оптические, могут быть использованы для этой цели лишь при наличии дополнительной информации о параметрах поверхно­ сти Ферми.

III.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ

1.ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ

а.Тонкие пленки. Для того чтобы результаты измерения со­ противления имело смысл сравнивать с предсказаниями теории, тонкие пленки должны быть однородными, иметь высокую сте­ пень чистоты, низкую концентрацию структурных дефектов и плоскопараллельные поверхности. Кроме того, толщина пленки должна быть сравнима с длиной свободного пробега электрона при температуре опыта или, еще лучше, быть гораздо меньше этой длины. Хотя пленки можно получать путем переноса па­ ровой фазы, а также химическим и электролитическим осажде­ нием, пленки высшего качества обычно получают вакуумным напылением в сверхвысоковакуумной системе или катодным рас­

пылением в атмосфере инертного газа высокой чистоты. На­ илучшие структурные характеристики получаются при эпитак­ сиальном выращивании на нагретой монокристаллической под­ ложке. Выбор материала подложки и температуры, конечно, зависит от наносимого на подложку металла. Эпитаксиальное выращивание, однако, не является обязательным, и во многих работах по изучению размерных эффектов использовались поликристаллические пленки на аморфных подложках. Поскольку

сопротивление пленки очень чувствительно к степени структур­ ного совершенства пленки, обычно ведут контроль за каче­ ством пленок и наличием микроструктурных нарушений [89]. Большая часть ранних исследований сопротивления тонких пле­ нок относилась к изучению процессов старения и отжига в пленках [90].

Хотя для измерения размерных эффектов наиболее подходят эпитаксиальные пленки, условия, необходимые для обеспечения эпитаксии и для получения плоскопараллельных поверхностей, часто являются взаимоисключающими. Вообще говоря, плоскопараллельные поверхности легче всего получить при высокой скорости напыления и низкой температуре подложки, но при этом пленки оказываются сильно разупорядоченными, и, прежде чем использовать их для измерения размерных эффек­ тов, необходимо производить отжиг. Однако в результате от­ жига первоначально сплошная пленка может стать пористой. Пленки, получаемые путем эпитаксиального выращивания на нагретых подложках, проходят различные стадии (от образо­ вания островков до коалесценции и возникновения сетчатой структуры) и становятся сплошными только при толщине, изме­ ряемой многими сотнями ангстрем [91, 92]1).

Для определения длины свободного пробега электрона обычно требуется производить измерения с набором пленок возрастающей толщины, у которых одинакова степень чистоты и структура (одинакова объемная длина свободного пробега). Это условие трудно выполнить, поскольку с ростом толщины пленки происходят изменения в процессах напыления и струк­ тура пленки вблизи подложки скорее всего будет отличаться от ее структуры в средней части. Любое изменение структуры или степени чистоты пленки при изменении толщины приводит к за­ висимости сопротивления от толщины, не связанной с размер­ ным эффектом.

б. Тонкие фольги, пластинки, проволоки и усы. При комнат­ ной температуре длина свободного пробега электрона обычно измеряется сотнями ангстрем, поэтому для определения раз­ мерного эффекта требуются довольно тонкие пленки. В сверх­ чистых металлах при низких температурах длина свободного пробега может достигать многих миллиметров, и изучать раз­ мерные эффекты можно на гораздо более толстых образцах. Очень толстые пленки часто называют фольгами, а очень)*

*) Франкомб и Шлахтер [93] обнаружили, что путем распыления при вы­ соком давлении и малой скорости осаждения можно с хорошей воспроизводи­ мостью получать сплошные эпитаксиальные золотые пленки толщиной менее 100 А. При помощи эпитаксиального наращивания на металлическую основу можно создавать сплошные однослойные металлические пленки, но такие плен­ ки не используются для измерения электрических размерных эффектов.

толстые фольги — пластинками. В этой статье, однако, мы бу­ дем называть пленками образцы, получаемые в результате про­ цессов осаждения, а фольгами — образцы, утончение которых производится механическими или химическими способами.

Образцы, предназначенные для измерения размерных эффек­ тов, часто получают холодной прокаткой, которая позволяет уменьшать толщину многих металлов до 1 мкм. Этот метод обладает, однако, тем же недостатком, что и вакуумное напы­ ление: нет гарантии, что до и после отжига структура пленки не зависит от ее толщины. Для получения тонких образцов применяются также электролитическое и химическое травле­ ние. Эти методы могут использоваться для утончения монокристаллических образцов, что требуется для изучения анизотропии электропроводности в зависимости от размеров. При этом, однако, оказывается затруднительным получить образцы тоньше 50 мкм и совсем уж трудно обеспечить плоскопараллелыюсть граней у более тонких образцов. Для уменьшения толщины применялась также бомбардировка тяжелыми ионами [94] и тра­ вление путем высокочастотного распыления [95], но такие спо­ собы приводят к возникновению в образцах структурных изме­ нений.

В разд. II, 3 было отмечено, что в тонких проволоках раз­ мерные эффекты проявляются ярче, чем в тонких пленках сравнимой толщины. Однако и получать тонкие проволоки, к сожалению, труднее, чем пленки. Проволоки толщиной порядка 10 мкм изготовляются путем волочения или продавливания [82]; при этом, как и в случае прокатанных фольг, их структура и степень чистоты могут изменяться с толщиной. Эндрю [96] про­ водил измерения размерных эффектов на тонких ртутных про­ волоках диаметром всего 6 мкм, которые получал, пропуская жидкую ртуть через очень тонкие стеклянные капилляры. Монокристаллические проволоки приготовляют методом химической или электролитической полировки из массивных монокристаллических образцов. В результате получаются чистые образцы с оптимальной структурой, но толщину нельзя сделать меньше 200—300 мкм, не нарушая при этом постоянства сечения.

Для изучения размерных эффектов в электропроводности используются также нитевидные монокристаллы (усы) и монокристаллические ленты [97— 100]. Их минимальные размеры мо­ гут быть менее 1 мкм. Однако степень чистоты нитевидных кри­ сталлов и лент может изменяться с толщиной, в частности мо­ жет возрастать при уменьшении толщины [101]. Для приготов­ ления узких тонкопленочных лент или микрополосок можно использовать технику вакуумного напыления через специальные маски. Таким способом можно получить поперечное сечение всего 0,05 мкм2 [102]. Образцу с еще меньшей площадью се­

чения можно приготовить при помощи электронного луча ска­ нирующего электронного микроскопа. Можно также наносить на металлическую пленку маску в виде полимеризованной пленки, которая затем служит защитным покрытием при после­ дующем химическом травлении или ионной бомбардировке не­ защищенной металлической пленки. Таким способом удается получать металлические полоски с площадью поперечного се­ чения менее 0,005 мкм2 [102а, 1026]. Эта методика позволяет изучать размерные эффекты на образцах прямоугольного сече­ ния, которые отличаются друг от друга не толщиной, а шири­ ной и у которых поэтому при изменении размеров структура и степень чистоты не меняются.

2. ЭКСПЕРИМЕНТЫ С ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ

Самые первые эксперименты по изучению сопротивления тонких металлических пленок были проведены в конце прошло­ го—начале нынешнего века Мозером [103], Стоуном [39], Лонгденом [104] и Петтерсоном [105]. В этих исследованиях, а также в работах, проводившихся за последующие тридцать лет, основ­ ное внимание уделялось эффектам старения и эффектам, спе­ цифическим для того или иного типа процессов нанесения пле­ нок. В большинстве ранних работ изучались пленки, полученные химическим осаждением, а в последующих — металлические пленки, создаваемые катодным распылением или вакуумным на­ несением. Очень тонкие пленки обладали весьма высоким удель­ ным сопротивлением с отрицательным температурным коэф­ фициентом, более толстые пленки — гораздо более низким удельным сопротивлением с положительным температурным коэффициентом. Однако даже эти более низкие удельные сопро­ тивления относительно толстых пленок значительно превышали объемные удельные сопротивления. Тонкие пленки, используе­ мые в этих исследованиях, обычно имели разрывы, а более тол­ стые содержали большое количество дефектов. Обзор ранней литературы был сделан Бартлетом [106] и Майером [4].

а. Пленки щелочных металлов. Хорошим критерием совер­ шенства пленок является приближение их удельного сопротив­ ления к объемному значению по мере увеличения толщины. Ловелл и Эплярд [41, 107— 109] впервые получили металличе­ ские пленки, удовлетворяющие этому критерию. Используя метод вакуумного напыления, Ловелл [108] получал на охла­ жденных подложках из пирекса цезиевые пленки толщиной 1 мкм, удельное сопротивление которых лишь на 4% превышало объемное удельное сопротивление Cs; несколько более тонкие пленки К и Ru имели удельные сопротивления, в 2,5 раза боль­ шие объемных значений. Удельные сопротивления пленок щелоч-

Ф иг. 11. Сравнение экспе­ риментальной и теоретической зависимостей удельного сопро­ тивления от толщины при трех значениях параметра зеркаль­ ности р [10].

ных металлов при толщине более 40 А хорошо согласуются с теоретической формулой Ловелла [соотношение (6)]. Опираясь на экспериментальные результаты Ловелла, Фукс развил более точную теорию и сделал попытку согласовать ее с данными Ловелла для цезия, предполагая объемную длину свободного пробега равной 1450 А [42]. Эти данные не согласуются с какойлибо кривой для постоянного параметра зеркальности, но, повидимому, указывают на наличие зеркального отражения при толщине более 15 А. Более поздние эксперименты о пленками щелочных металлов свидетельствуют о диффузном рассеянии электронов поверхностью [110, 111], так что отклонение резуль­ татов Ловелла от кривой Фукса при р — 0, вероятно, связано

с зависимостью структуры пленки от толщины.

Вслед за ранней работой Ловелла появились работы Майера

идр. [112, 113], Носсека [114], Сирклера [115] и Уордена и Д а­ ниэльсона [ПО], посвященные изучению сопротивления пленок щелочных металлов. Во всех этих работах пленки щелочных металлов осаждались на холодных подложках и сопротивление измерялось при температурах от 60 до 100 К. Кривые зависи­ мости сопротивления от толщины хорошо воспроизводимы [115]

иудельное сопротивление более толстых пленок приближается

кобъемным значениям. Поскольку теория Фукса основана на приближении свободных электронов в металлах, ее применение для интерпретации результатов измерений сопротивления пле­ нок щелочных металлов является вполне естественным.

Источник: https://studfile.net/preview/19992809/

Смотрите также: