Материал: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Ферми представляет эллипсоид вра­ щения. В этих работах рассмотрены как однозонная, так и двухзонная модели. Если главная ось эллипсои­ да постоянной энергии образует угол 1]) с поверхностью пленки, то

сопротивление пленки оказывается зависящим от угла ф и от направ­ ления тока в плоскости пленки. В случае двухзонной модели анизо­ тропия оказалась подобной той, ко­ торая получается при расчете высо­ кочастотного поверхностного сопро­ тивления в условиях аномального скин-эффекта [32, 62]. Несмотря на то что аномальный скин-эффект с успехом использовался для опреде­ ления поверхности Ферми меди [32], алюминия [63], олова 64] и вис­ мута [65], не предпринималось ни­ каких попыток использовать для этого анизотропию статической про­ водимости. Поскольку поверхность

Ферми многих металлов известна, изучение анизотропии сопро­ тивления тонких пленок могло бы дать информацию об анизо­ тропии длины свободного пробега электрона вдоль поверхности Ферми.

Обобщение теории проводимости монокристаллических пле­ нок с учетом возможности зеркального отражения электронов от поверхности было выполнено Прайсом [66], Пэрротом [53, 67] и Горкуном и Рашбой [68]. Расчеты Прайса показали, что про­ водимость тонкой пленки при несферической поверхности Фер­ ми в общем случае анизотропна и меняется с толщиной даже при чисто зеркальном отражении (см. также статью Пиппарда [69]). Подробный расчет показывает, что проводимость па­ дает при уменьшении толщины и стремится к конечному зна­ чению при нулевой толщине. Пэррот [67] показал, однако, что такой размерный эффект исчезает при чисто зеркальном отра­ жении в случае металла с поверхностью Ферми в виде одного эллипсоида. Горкун и Рашба утверждают, что при чисто зер­ кальном отражении размерный эффект должен отсутствовать даже при более общих условиях, рассмотренных Прайсом. Во всяком случае, характер зеркального отражения в металле с несферической поверхностью Ферми довольно необычен, что показано на фиг. 5. Из графика видно, что углы падения и от­ ражения в общем случае неравны, поскольку вектор, изобра-

жающий изменение квазиимпульса электрона при отражении, должен быть направлен по нормали к поверхности пленки.

Пэррот [53] использовал метод Хэма и Мэттиса [70] для рас­ чета проводимости тонких пленок со сферической и эллипсо­ идальной поверхностью Ферми, когда параметр зеркальности является функцией изменения квазиимпульса электрона при зеркальном отражении. Как было указано выше, в разд. 11,4, эта теория приводит к выводу о насыщении проводимости при уменьшении толщины.

За последние 15 лет появился целый ряд теоретических ра­ бот, посвященных анизотропной проводимости металлических пленок; в то же время экспериментальных данных явно недо­ статочно. Недавно, правда, была опубликована эксперименталь­ ная работа Райнеса и Соллиена [70а] об анизотропии сопро­ тивления алюминиевых пленок. Их исследование охватывает область температур от 2 до 15 К и обнаруживает четкую зави­ симость сопротивления от кристаллографической ориентации пленок. Для объяснения анизотропии было выдвинуто предполо­ жение, что электроны вблизи границ зоны Бриллюэна не дают вклада в ток. Необходимы дальнейшие экспериментальные ис­ следования в этом направлении для проверки некоторых кон­ цепций и дальнейшего развития теории.

б. Тонкие проволоки. Проведенный Динглом расчет сопротив­ ления металлических проволок основан на тех же допущениях, что и вычисления Фукса для пленок: предполагаются сфериче­ ские поверхности Ферми и изотропные времена релаксации. Бэйт, Мартин и Хилл [71] и Александров и Каганов [72] обобщили теорию на случай монокристаллических пленок. В обеих рабо­ тах приближенное выражение для проводимости, когда длина свободного пробега электрона гораздо больше диаметра про­ волоки (А:«с1), приобретает следующий вид:

о (d) = ( d e W h ) J (cos2 fl/sin О) dS,

(27)

где d — диаметр проволоки, Ф — угол между осью проволоки

(которая предполагается совпадающей с главной осью тензора объемной проводимости) и нормалью к поверхности Ферми, а dS — элемент площади поверхности Ферми. В случае эллипсо­

идальной поверхности Ферми интеграл в формуле (27) можно выразить через эффективную массу электрона. Таким образом, измерения размерного эффекта в монокристаллических прово­ локах могут быть использованы для определения интеграла в [27] или для получения информации об эффективной массе эле­ ктрона. В условиях, когда длина свободного пробега электрона гораздо меньше диаметра проволоки ( 6 > 1 ) , Бэйт и др. [71]

получили следующее выражение для проводимости:

a (d) =

а0 — (e2/dn4h) J l2cos2 ■0- sintft/S,

(28)

где сто — объемная

проводимость, а / — объемная длина

свобод­

ного пробега электрона, изменяющаяся в общем случае вдоль

поверхности Ферми. В случае сферической поверхности

Ферми

и изотропной длины свободного пробега выражения (27)

и (28)

сводятся должным образом к формулам Дингла соответственно для тонких и толстых пленок [формулы (19) и (18)]. Бэйт и сотр. вычислили также сопротивление поликристалла кубиче­ ской симметрии при условии, что размеры кристаллитов велики по сравнению с длиной свободного пробега электрона. В пре­

дельном случае толстой

проволоки они получили из

форму­

лы (28)

(3 <0/4 (IY) Кl)!d),

(29)

Р/Ро= 1 +

где

 

 

 

<0 = J /dS/S,

(l2) = \ l 2 dS/S.

 

Из этого результата следует, что соотношение Нордгейма (23) может нарушаться даже в случае поликристаллической про­ волоки с кубической симметрией, если длина свободного про­ бега анизотропна.

6. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ

а. Модель Фукса— Дингла. В разд. II. 2 и II. 3 были выведе­ ны формулы для проводимости тонких пленок и проволок, при­ чем основное внимание уделялось зависимости проволоки от толщины. Интересно рассмотреть также температурную зависи­ мость проводимости (или сопротивления). Рассмотрим снача­ ла зависимость температурного коэффициента сопротивления а = (1/р) (dp/dT) от параметра k = d/l, затем зависимость сопро­

тивления от температуры.

Зависимость температурного коэффициента сопротивления от k очень легко вычислить, если удельное сопротивление можно

представить в виде

 

P = PoW)>

(30)

где р0 — объемное удельное сопротивление, a f(k) — произволь­ ная функция k. Используя (2), легко показать, что dkjdT = kom

и, следовательно,

а/а0= 1 -f (rfln p/d \nk)— l — {d In aid In k),

(31)

где ао — объемный температурный коэффициент сопротивления. Из этого выражения можно найти а/ао для толстых и тонких

пленок и проволок. При р — 1 формула (31) сводится к равен­ ству а = OQ. При р < 1, используя (13) и (14), можно получить

предельные выражения для пленок:

а/а0 = о/а0 = 1 — [3 (1 — p)/8k],

k » 1,

(32)

а/а0 = [1п(1/6)Г‘,

k < \ .

(33)

Область применимости этих предельныхвыражений обсужда­ лась Кэмпбеллом [73].

Можно получить также соответствующие выражения для

проволок:

 

 

 

а/а0= сгДто = 1 — [3 (1 — p)/4k],

k »

1,

(34)

а/а0 = 36/8 In (1/6),

k <

1.

(35)

Интересно отметить, что в предельных случаях тонких пленок и проволок исчезает зависимость от параметра р. Для пленок

общее выражение для а/ссо было получено Саворнином [74] и Кэмпбеллом [73]; зависимость а/ао от 6 и р показана на фиг. 6.

На фиг. 7 изображена зависимость температурного коэффи­ циента сопротивления от размеров для пленок и проволок при р = 0. В предельном случае малых k размерный эффект в про­

волоках опять-таки выражен гораздо сильнее, чем в пленках. Чтобы воспользоваться формулами Фукса и Дингла для вы­ числения температурной зависимости сопротивления тонких пленок и проволок, нужно знать температурную зависимость длины свободного пробега I. Зная 1 = 1(Т), можно вычислить сг0 = а0(Т) и k = k(T), а затем, используя выражение (7) или

соответствующую формулу Дингла [50] для проволок, найти р или а. В общем случае, однако, определить функцию 1{Т) экспе­

риментально или теоретически оказывается нелегко1). Харак­ терный вид температурной зависимости сопротивления тонкой пленки показан на фиг. 8 (кривая 2).

б. Модели с рассеянием на малые углы. В модели Фукса рас­ сеяние электронов дефектами решетки и фононами предпола­ гается изотропным. Это допущение позволяет пользоваться ки­ нетическим уравнением Больцмана в приближении времени релаксации. Рассеяние на примесях действительно изотропно, но рассеяние электронов на фононах при низких температурах уже не является таковым. При низких температурах электроны)*

*) Для экспериментального определения I(Г) нужно измерить объемное сопротивление ро как функцию от температуры и р как функцию от толщины при данной температуре, используя образцы с одинаковым содержанием де­ фектов. Последнее измерение дает / при фиксированной температуре, н, сле­ довательно, мы можем определить ро/ при этой температуре. Делая довольно произвольное допущение, что ро/ не зависит от температуры, можно по резуль­ татам измерения ро(7) найти /(7).

Фиг. 6. Приведенный температурный коэффициент сопротивления а/с&о тон­ кой пленки в зависимости от приведенной толщины k = d/l при различных значениях параметра зеркальности р.

Ф иг. 7. Приведенные температурные коэффициенты сопротивления а/осо тонкой^ пленки и тонкой проволоки в зависимости от приведенной толщины

/ —тонкая пленка, р=0; 2 тонкая проволока, р*^Q.

Источник: https://studfile.net/preview/19992809/

Смотрите также: