Материал: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Фнг. 19.

Размерная

зависимость отношения' удельных сопротивлений г =

= Р2951.2.

деленного

на толщину d, для пленок алюминия [141].

1 моиокрпсталлнческне пленки; 2 — поликристаллнческие пленки.

# AI59 на полированном КВг; О А159 на сколотом КВг; Л AI69 на полированном КВг.

ные сопротивления монокристаллических пленок были ниже, чем у поликристаллических. Максимальная величина отношения удельных сопротивлений ргэз/р^г составляла 230 у монокристал­ лических пленок и 90 у поликристаллических. Поскольку отно­ шения удельных сопротивлений так велики, можно воспользо­ ваться формулой Фукса в приближении малых k [формула (15)],

как показано на фиг. 191).

Прямые линии для монокристаллических и поликристалли­ ческих пленок пересекают ось абсцисс в одной и той же точке; этой точке пересечения соответствует объемная длина свобод­ ного пробега электронов, равная 17,54 мкм как для монокри­ сталлических, так и для поликристаллических пленок. Этот результат вызывает некоторое удивление, так как он означает, что границы зерен в поликристаллических пленках не рассеи­ вают электроны проводимости2). По наклону прямых можно определить параметр зеркальности р. Если для поликристалли­ ческих пленок положить р = 0, то для монокристаллических

') Автор работы [141а] выразил, однако, сомнение в применимости при­ ближения малых к к этим данным.

2) Венсберг и Джозефе [142] также не обнаружили сколько-нибудь за­ метного влияния границ зерен на низкотемпературное сопротивление галлиевых проволок. Другие исследователи, однако, наблюдали вклад границ зерен в сопротивление как тонких поликристаллических пленок [143, 144]- так И массивных поликристаллов [145, 146].

пленок р оказывается равным 0,42, а

величина

ро/ =

11,5 X

X Ю-12 Ом • см2. Это значение довольно

велико, но

все

же на­

ходится в разумном согласии с результатами для катаных алю­ миниевых фольг. Если взять для поликристаллических пленок большее значение р, то величина ро/ будет еще больше.

Несколько противоположный результат для поликристалли­ ческих пленок алюминия был получен Маядасом и сотр. [143, 144, 147]. Пленки наносили на нагретые и ненагретые некри­ сталлические подложки и измеряли сопротивление при комнат­ ной температуре и при 4,2 К. Полученные результаты нельзя согласовать с теорией Фукса, выбрав одно значение параметра зеркальности р и объемного удельного сопротивления р0, их

молено интерпретировать, лишь предполагая, что ро убывает с ростом толщины. Помимо этого, при толщине около 4000 А наблюдалось изменение текстуры, приводящее к заметному раз­ рыву на кривой зависимости удельного сопротивления от тол­ щины. Поскольку чистота пленки с толщиной не меняется, а размеры зерен, как следует из экспериментов, при уменьшении толщины убывают, можно сделать вывод, что рассеяние на гра­ ницах зерен дает значительный вклад в ту часть сопротивления, которая зависит от размеров. Эти результаты указывают на необходимость быть осторожным при интерпретации данных по сопротивлению поликристаллических пленок.

Был проведен также ряд измерений размерного эффекта на индиевых пленках и фольгах. Гейд и Уайдер [148], пользуясь индиевыми фольгами, полученными холодной прокаткой, обна­ ружили хорошее согласие с формулой Фукса для диффузного

рассеяния на поверхности.

Наилучшее совпадение данных

для

0 К (полученных путем

экстраполяции) наблюдалось

при

р01— 16-10-12 Ом-см2. Форсволл и Холвех [149] также исполь­

зовали холоднокатаные индиевые фольги и получили значение ро/= 14• 10-12 Ом-см2 при 1,4 и 4,2 К. По данным Котти [85], проводившего измерения на одном образце (на холоднокатаной индиевой фольге), значения ро/ составляли 12,7; 13,4 и 13,9 X X 10-12 Ом-см-2 при температурах соответственно 2; 3,4 и 4,2К. Как и в случае алюминиевых фольг, эти значения больше тех, которые получаются при изучении аномального скин-эффекта (ро/ = 5,8-10-12 Ом-см2 [150]). Токсен [151] проводил измерения при низких температурах на пленках индия, приготовленных вакуумным напылением на кварцевые подложки. Изменение остаточного удельного сопротивления с толщиной согласуется с теорией Фукса, если принять объемную длину свободного про­ бега электрона / равной 15,2 мкм, а произведение р0/ равным 20-10-12 Ом-см2.

Таким образом, эксперименты показывают, что в случае индия и алюминия ро/ для напыленных пленок больше, чем для

катаных фолы, и что значения р0/ как для пленок, так и для фольг превышают значения, полученные путем измерения ано­ мального скин-эффекта. К этому экспериментальному факту мы еще вернемся в разд. III, 5, б.

До сих пор обсуждались результаты изучения размерных эффектов в простых металлах, к которым применима теория Фукса. Была также исследована размерная зависимость удель­ ного сопротивления переходных металлов [126,152— 161]. Интер­ претацию результатов часто затрудняют эффекты загрязнения, обусловленные химической активностью металлов, и структур­ ные изменения, зависящие от толщины пленки. Однако даже при отсутствии этих эффектов остается неясным, можно ли при­ менять теорию Фукса для анализа размерных эффектов в та­ ких металлах.

г. Пленки полуметаллов. В пленках полуметаллов наблю­ даются размерные эффекты двух типов: классические, при ко­ торых с толщиной пленки сравнима длина свободного пробега электрона, и квантовые, при которых с толщиной сравнима дебройлевская длина волны электрона. В этом разделе мы рас­ смотрим классические размерные эффекты, а обсуждение квантовых эффектов отложим до разд. IV.

Размерную зависимость электропроводности монокристал­ лов висмута впервые изучали Фридман и Кёниг [162]. Измере­ ния проводились при 4,2 К на монокристаллических пластин­ ках, полученных электрополировкой образцов, первоначальная толщина которых составляла 3 мм. Использовалось два кри­ сталла, тригональные оси которых были перпендикулярны на­ правлению тока и параллельны плоскости пленки; бинарная ось была параллельна току в одном кристалле и повернута на 12° от поверхности в другом кристалле. Отношение сопро­ тивлений Rm/Rifi измерялось для двух кристаллографических

ориентаций; было найдено, что при толщинах менее 1 мм оно приближается к постоянному значению. Отношение проводи­ мостей, соответствующих предельным случаям тонких и толстых пленок, хорошо согласуется с теорией Прайса [66]. Это согласие служит веским доказательством того, что в висмуте рассеяние электронов поверхностью является чисто зеркальным. Как и следовало ожидать, при направлении тока, перпендикулярном тригональной оси, проводимость пленок в отличие от объемной проводимости была анизотропной. Кроме того, в работе [162] был получен неожиданный результат: химическое травление или шлифовка поверхности образца не изменяли зеркального ха­ рактера рассеяния электронов на поверхности1).

1) Позднее, однако, Фридман обнаружил, что пескоструйная обработка поверхности монокристалла висмута приводит к повышению доли диффузного отражения [163].

Обри и др. [164] также изучали размерную зависимость про­ водимости монокристаллических пластин висмута с тригональной осью, перпендикулярной направлению тока. Измерения тоже проводились при 4,2 К, но использовался клиновидный образец, толщина которого менялась от 0,5 до 5 мм. Резуль­ таты этих измерений показаны на фиг. 20 вместе с данными Фридмана и Кёнига для той же ориентации (только биссекторная и тригональная оси переставлены местами). Формы обеих кривых очень похожи, в обоих случаях имеет место насыщение проводимости при малых значениях толщины. Однако отноше­ ние проводимости тонкой пленки к объемной проводимости оказывается гораздо меньшим, чем следует из теории Прайса. Обри и сотр. интерпретируют большое уменьшение проводимо­ сти с ростом толщины как возможное следствие угловой зави­ симости параметра зеркальности (ср. разд. 11,4). Теоретиче­ ские кривые, рассчитанные на основе этой модели, показаны на фиг. 4; как видно, при малых толщинах происходит насыще­ ние проводимости. Однако весьма трудно объяснить при по­ мощи рассматриваемой модели оба набора данных на фиг. 20.

Размерная зависимость проводимости монокристалличе­ ских пластин висмута изучалась также Гарсиа и Као [165]. Их образцы имели толщину от 0,04 до 3,1 мм и ту же кристалло­ графическую ориентацию, что и у Обри и сотр. [164]. Резуль-

Ф и г. 20. Размерная зависимость отношения сопротивлений Rsoo/Ru для пластин висмута.

Левая шкала на оси ординат относится к работе Обри и др. [164], правая— ус работе Фридмана н Кёнига [162].

400*

N

200-

J________ |________ |________1________ L------

/

2

3

d, мм

Фиг. 21. Размерная зависимость отношения удельных сопротивлений рзоо/рзл для пластин висмута [165].

таты представлены на фиг. 21. Наблюдается насыщение прово­ димости для некоторой промежуточной области толщин; далее, для толщин менее 0,8 мм при уменьшении толщины происхо­ дит непрерывное понижение проводимости без признаков но­ вого насыщения. Это второе уменьшение проводимости наблю­ далось недавно Обри и Криси [165а], которые приписывают это явление обычному размерному эффекту, связанному с длиной свободного пробега, тогда как уменьшение проводимости при больших толщинах вызвано рассеянием фононов на границах. Такое рассеяние должно приводить к уменьшению, вклада, вно­ симого в проводимость образца увлечением электронов фоно­ нами [1656].

Классические размерные эффекты можно также наблюдать в тонких пленках полуметаллов, когда длина свободного про­ бега электронов сильно уменьшается по сравнению с объемным значением [166, 167]. Изучение таких эффектов, однако, сильно усложняется из-за квантовых размерных эффектов (см. разд. IV), что делает их интерпретацию довольно трудной.

3.ЭКСПЕРИМЕНТЫ С ТОНКИМИ ПРОВОЛОКАМИ

Вэтом разделе будет рассматриваться зависимость удель­ ного сопротивления тонких проволок и нитевидных кристаллов от толщины. Хотя размерным эффектам в тонких проволоках уделялось меньше внимания, чем аналогичным эффектам в пленках, тем не менее этому вопросу посвящено значительное

Источник: https://studfile.net/preview/19992809/

Смотрите также: