Материал: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

85.

I Ы N.. Electrochim. Acta, 12, 1043 (1967).

Extended

a b s t r №

86.

O rd

J.,

Dallas

Meet.,

Electrochem.

Soc.,

1967,

42

(1967).

87.

О r d J.t частное сообщение, 1969.

Electrochem.

Soc.,

88.

M a s i n g

L., O r m e

J.

E.,

Y o u n g

L., /.

108,

428

(1961).

/. Elec-

89.

D a v i e s

J. A.,

P r i n g l e J. P. S., G r a h a m R. L.,

B r o w n

F.,

90.

trochem. Soc., 109, 999 (1962).

D a v i e s

J. A.,

D o m e i j

B., /. Electrochem. Soc., 110, 849 (1963).

91.

D a v i e s

J. A.,

D o m e i j

B.,

P r i n g l e J. P. S.,

B r o w n

F.,

/.

Electro­

92.

chem. Soc., 112, 675 (1965).

(1968).

W h i 11 о n J. L., /. Electrochem. Soc., 115, 58

Extended

abstr.,

93.

P r i n g l e

J. P. S., Dallas Meet. Electrochem. Soc., 1967,

№ 35 (1967); New York

Meet., Electrochem.

Soc.,

1969,

Extended

abstr.,

№> 11

(1969).

D., J. Phys. Chem. Solids,

94.

A m s e l

G., S a m u e l

23,

1707

(1963).

95.

P г i n g 1 e J. P. S., частное сообщение,

1968.

(1964).

96.

C h e s e l d i n e

D.

M.f /.

Electrochem.

Soc., Ill, 1128

97.

P a w e l

R. E., J. Electrochem. Soc., 114,

1222

(1967).

99.

A m s e 1 G.,

C h e г к i C.,

N a d a i J. P., S i e j к a J.,

New

York

Meet.,

100.

Elecfrochem. Soc., 1969, Extended abstr., № 12 (1969).

(1958)

H e a v e n s

O.

S., K e l l y

J. C. Proc. Phys. Soc., London, 72, 906

[cp. В e n n e 11 H E., В e n n c t J. M., в книге: Physics of Thin

Films, vol. 4,

1967, p. 78;

русский перевод: Физика тонких пленок,

т. 4,

«Мир»

1970,

101.

стр. 7.]

S.,

Y o u n g L.,

J. Electrochem. Soc., Ill, 1411 (1964).

K u m a g a i

102.

D e 1 Г О с a

C.

J., Y o u n g

L., Proc. Conf. Ellipsometry

1968;

Surface Sci.,

105.

Press, London and New York, 1954.

S z i g e t i B., Trans. Farad. Soc., 45, 155 (1949).

Press,

London and

106.

F r o h l i c h

H., Theory of Dielectrics, Oxford Univ.

107.

New York,

1958.

Comman., 6,341 (1968).

F r i t z s c h e C . R., Solid State

1368

(1964).

108.

T i b o l G.

J., H u l l R. W., /.

Electrochem. Soc., Ill,

111.

Z a i n i n g e r

К.

H.,

W a x m a n

A.,

IEEE Trans.

Elec. Dev.,

16, 333

(1969).

Solid

State

Electr.,

112. W a x m a n

A., M a r k

G.,

12,

751

(1969).

113.

L e c o y

G., G o n s o v

L

Phys. Status Solidi, 30, 9 (1968).

114.

P o l l a c k

S. R.,

M o r r i s

С. E., Trans. AIME, 233,

497

(1965).

abstr.,

115.

M e a d

C. A.,

New York

Meet.,

Electrochem.

Soc.,

1969,

Extended

116.

№ 45 (1969).

(1968).

L a m b e J., J a k 1 e v i c R. C., Phys. Rev., 165, 821

117.

M i l e s

J. L.,

S m i t h

P. H.,

J. Electrochem. Soc.,

110,

1240 (1963).

118.

P o p i a n o

P. L., IEEE

Trans. Parts, Mater. Packag.,

1,

217

(1965).

119.

W o r l e d g e

P.

L., W h i t e

D.,

Brit. I.

Appl.

Phys.,

18,

1337

(1967).

120. T e r r y

L.

E.,

K o m a r e k

E.

E.,

U.

S.

At.

Energy

Commun,

121.

SC-TM-307-63- (14), 1963.

L. P.,

Appl. Phys. Lett.,

12,

396

(1968).

L o c k e r L. D.,

S k o l n i c k

122.

M о r r i t z

F. L.,

S h i m a

R.,

R e e s

D. E., M i 11 e г A., 8th Symp. Aerosp.

123.

Mater. Proc. Eng., I960, 1965.

Forces

Tech. Rep. AFAL

TR-67-72, 1967.

S c h a r f e

M., U. S. Armed

124.

Н а г t е 1 Е.,

Диссертация,

Inst. Tech. Elec.,

Tech.

Hochschule,

Munrch,

1967.

125.

A s a n o K . ,

Диссертация, Univ. of Minnesota,

1964.

1 (1964).

126.

J o h n s o n

M. C.,

IEEE

Trans. Component Parts, 11,

127.

J e n n i n g s

T. A.,

M c N e i l l W., S a l o m o n

R. E.,

/.

Electrochem. Soc.,

114, 1134 (1967).

128.

L a v r i n e t s

D. A., U.

S.

A r m e d Forces

Tech. Rep.

AFAL

TR-67-73,

1967.

131. L e e

W. L., P u l f r e y D. L., Y o u n g L., New York Meet., Electrochem.

Soc.,

1969, Extended abstr., Я> 22 (1969).

134.

L i g e n z a

J. R., /. AppL Phys., 36, 2703 (1965).

135.

К r a i t c h m a n J., /. Appl. Phys., 38, 4323

(1967).

136.

T i b o l G. J., Insulation

(Libertyville, 111.),

11, 25 (1965).

137.

L e e

W. L., О v i 1 e

G., P u 1f r e у

D. L., Y о u n g

L.,

/. Electrochem. Soc.,

117,

1172 (1970).

138.

R a m a s u b ra m a n

i a n

N.,

New

York

Meet.,

Electrochem.

Soc.,

1969,

Extended abstr., Яг 24 (1969).

J. L., IEEE

Trans. Parts,

Mater. Pakag. (1),

139.

W h i t m o r e

R. E.,

V o s

s e n

140.

SIO

(1965).

O. A., /. Appl. Phys., 37, 2924 (1966).

W e i n r e i ch

141.

L e w i c k i

G.,

M e a d

C. A.,

J. Phys. Chem. Solids,

29,

1255

(1968).

Elec­

142.

A 1 e x a n d e r J. H.,

J o y c e R. J.,

S t e r 1 i n g H. F.,

Monreal

Meet.,

trochem. Soc.,

1968, Extended abstr., N2 462

(1968).

145.

T h o m p s o n J. B.,

Proc. Roy.

Soc., London, A262, 503 (1961).

146.

K n e w s t u b b

P. F., D a w s o n

P. M., T i с к n e r A. W.,

/. Chem. Phys.,

147.

38, 1031 (1963).

Vac. Sci. Technol., 7, 330 (1970).

O’H a n 10n J. F., /.

1970, Extended

148.

O’H a n l o n

J.

F.,

Los

Angeles

Meet., Electrochem.

Soc.,

abstr., Яг 13 (1970).

Me. N e i l l , Appl. Phys. Lett.,

149.

J e n n i n g s

T. A.,

W.

12,

25 (1968).

150.

P e r s s o n

K., /. Appl.

Phys., 36, 3086 (1965).

155.

E h l e r s

K.

W.,

пат.

США

3341352,

1967;

см. Chem. Abstr.,

67,

111071

(1967).

156.

L o c k e r L. D.,

S ко 1n i c k

L. P.,

Montreal

Meet.,

Electrochem. Soc.,

1968,

157.

Extended abstr. Яг 483

(1968).

L.,

J. Electrochem.

Soc.,

117,

945

O l i v e

G.,

P u l f r e y

D. L., Y o u n g

(1970).

158.

L e e W. L.,

Y an

G.,

Y o u n g

L„

неопубликованные данные,

1968.

159.

R e v e s z

A.

G.,

J a i n i n g e r

J.,

/.

Amer.

Ceram. Soc.,

16,

606

(1963).

160.

T i b o l

G.

J.,

K a u f f m a n

W. M.,

Proc. IEEE,

52, 1465

(1964).

161.

S k e 11 E. R., H 0w e 11 s G. M., Surface Sci., 7, 490

(1967).

162.

W h i t l o c k

W.

S., B o u n d e n

J. E., Proc. Phys. Soc.,

77, 845

(1961).

163.

S t e v e

Is

J. M.,

J. Soc. Glass Technol., 34, 80 (1950).

164.

P u l f r e y

D.

L.,

W i l c o x

P.

S.,

Y o u n g

L., I. Appl.

Phys.,

40,

3891

(1969).

Electrochem. Soc.,

165.

A x e l r o d

N.

N.,

S c h w a r t z

N.f

/.

116,

460

(1969).

166.

S m y t h

D.

М.,

S h i m G.

A.,

T r i p p

Т. В.,

/. Electrochem.

Soc.t

ПО,

167.

1271

(1963);

111,

1331

(1964);

113,

100

(1966).

Y ou n g

L.,

Trans. Farad. Soc.t 55, 842

(1959).

168.

S i l c o x

N.

W.,

Ma i

s e e l

L.,

/.

Electrochem.

Soc.,

109, 1151

(1962).

169.

В го a d b e n t R. N., Electrochem. Technol., 6, 163 (1968).

170.

P e e k em a

R.

M.,

B e e s

l e y

J.

P.,

Electrochem.

Technol., 6,

166

(1968).

173.

W i l l i a m s

G., в книге: Molecular Relaxation Processes, ed. R. C. Cross,

174.

Acad. Press, New York, 1966.

C, 65, 23 (1961).

S c h i e b e r

D. J., /. Res. Nat. Bur. Stand., Sect.

4,

411

175.

C h e r k i

C.,

C o e h l o R., M a r i a n i

J. L.,

Solid

State Commun.,

176.

(1966) .

(1955).

Y ou n g L., Trans. Farad. Soc., 51, 1251

Solid Films,

2,

457

177.

H a r r o p

P.

J., W o o d G. C.,

P e a r s o n

C., Thin

(1968).

C., Phil. Mag., [8],

178.

M c F a r l a n e J. C., W e a v e r

13,

671 (1966).

181.

C h e r k i С., С о e h 1о R., Phys. Status Solidi, 19,

K91

(1961).

182.

C h e r k i C., M a r i a n i J. L., Rev. Gen. Elec., 75,

769

(1966).

185.

W o o d

G.

C.,

B r o c k

A. J.,

Nature (London), 209,

773 (1966).

186.

S m y t h

D.

M.,

S h i r n

G. A., /.

Electrochem. Soc.,

115,

186 (1968).

187.

L eh о v e c

K., /. Electrochem. Soc., 115, 520 (1968).

42A,

47

(1946); Ge*

188.

G e v e r s

M.,

du

P r e

F. K-, Trans.

Farad. Soc.,

189.

v e r s M., Philips Res. Rep., 1,

159,

197, 279, 361, 447

(1945).

G a r t o n

G., Trans. Farad. Soc., 42A, 47 (1946).

1969,

J.

Vac. Sci.

Tech.,

190.

M a s s e r j i a n

J.,

Proc.

Int. Symp. Thin Films,

191.

6, 843

(1969).

K.,

W a l l e y

P.

A.,

Proc.

Int.

Symp.

Thin

Films,

1969,

J o n s c h e r

A.

192.

/. Vac. Sci.,

6, 662 (1969).

32, 107 (1965).

L a m b

D. R.,

GEC (Gen. Elec. Co.) /.,

193.

J о n s c h e г A. K., /. Electrochem. Soc.,

116, 217C

(1969).

194.

C h o p r a

K. L.,

Thin Film Phenomena, Macmillan, New York, 1969; рус­

ский перевод: Ч о п р а

К. Л., Электрические явления

в тонких пленках,

195.

изд. «Мир», М.,

1972.

H i l l

R. М.,

Thin Solid Films, 1, 39 (1967).

Soc.,

London,

A301,

196.

S i m m o n s

J.

G.,

V e r d e r b e r

R.

R., Proc. Roy.

77 (1967).

T. W., Proc. Int. Symp. Thin Films, 1969, /.

Vac. Sci. Tech.,

197.

H i c k m o t t

198.

6, 828

(1969).

В. M., Jap. J. Appl. Phys., 7, 1542

(1968).

P i n t o R.,

S h a n a

199.

M o t t

N. F., T w o s e W. D., Adv. Phys., 10,

107

(1961); русский перевод:

200.

М о т т

H., Т у з

У., УФН, LXX1X, № 4, 691 (1963).

Г у б а н о в

А. И., Квантово-электронная теория аморфных полупровод­

ников, М. — Л., изд. АН СССР, 1963.

201.

И о ф ф е

А. Ф.,

Ре г е л ь

А. Р.,

Progr. Semicond.,

4, 239

(1960).

№ 30

202.

H u b e r

F.,

Dallas

Meet.

Electrodiem.

Soc.,

1967,

Extended

abstr.,

(1967) .

И. Л., Электрохимия, 4,

203.

О ш е

E. К.,

Р о з е н ф е л ь д

1081

(1968).

204.

К у з н е ц о в а

Е. Г., Б о р и с о в а

Т. И., В е с е л о в с к и й

В. И., Электро­

химия, 4,

142

(1968).

209.

P u l f r e y

D.

L.f S h o u s h a

A.

H.

M.,

Y o u n g L., J. Appl.

Phys.,

41,

2838 (1970).

J. Electrochem.

Soc.,

210.

G o o d m a n

A. M.,

115, 276C

(1968).

211.

M e a d

C. A.,

S n o w

E. H., D e a l

В. E., Appl. Phys. Lett., 9,

53

(1966).

212.

H i с к m о 11 T. W., /. Appl. Phys., 35, 2679 (1964).

213.

К г u g e r G„ Electrochim, Acta,

13,

1389

(1968).

214.

K l e i n

N., /. Electrochem. Soc.,

116, 963

(1970).

J.

Vac.

215.

F o r l a n i

F.,

M i n n a j a N.,

Int.

Symp. Proc. Thin

Films,

1969,

Sci. Tech., 6, 518 (1969).

216.

K l e i n

N.,

G a f n i

H., IEEE

Trans. Electron Devices, 13,

281

(1966).

217.

K e n n e d y

D. R., E .R .A . Rep. L/T

374,

Lealherhead,

England,

1958.

223.

W o o d G. С., P e a r s о n C., Corros Sci., 7, 119

(1967).

224.

Бельг. пат. 649202, Philips Res. Labs., 1964; CM. Chem. Abstr., 66, 43311

225.

(1967) .

R.

S.,

V i j h A.

K„ /.

Electrochem. Soc.,

116, 388

(1969).

A l w i t t

226.

S c h w a r t z

N.,

G r e s h

M.,

J.

Electrochem.

Soc.,

112, 296 (1965).

227.

W i l s o n

J.

R.,

M a c D o n a l d

I.

A., A t k i n s o n

J.

T. N.,

Dallas Meet.,

230.

О д и н е ц

Л. Л., П л а т о н о в Ф. С., С а в и н а

Г. М., Изв.

вузов,

Фи­

231.

зика, 10, 121 (1967).

J. Appl. Phys.,

7,

1491

S a k u r a i

Т.,

S u z u k i Т., N o g u c h i Y., Jap.

232.

(1968) .

A., G r o s s

E. P., J e 1 a t i s J. G.,

G e 11 e г M.,

Phys. Rev.,

v o n H i p p e 1

233.

91, 568 (1953).

D. L., Brit. J. Appl.

Phys. [2], 1,

1581

(1968).

В га d w e l l

A., P u l f r e y

236. C o o p e r

R.,E l l i o t t С. T., Brit. J. Appl.

Phys., 17, 481

(1966).

237. G u n d 1a

ch К. H., S c h n u p pP., Z. Angew.

Phys., 21, 468

(1966),