Материал: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

При анодировании некоторых вентильных1) металлов в разряде на постоянном токе процесс роста окисла в основном подобен случаю анодирования в растворах.

При плазменном анодировании и особенно в случае ВЧ-плаз- мы ионы, электроны и нейтральные частицы, которые участвуют в образовании окисла, могут иметь сравнительно высокие энер­ гии, что, как правило, не учитывается при рассмотрении обыч­ ных электрохимических систем. В процессе роста пленки в плазме происходит внедрение и последующая миграция в окисле определенных частиц кислорода. Окисление кремния в ВЧ-плаз- ме протекает и в случае, когда к пленке не приложено поле, но при наличии электрического поля скорость роста и достижимые толщины пленок значительно возрастают. Подобное влияние электрического поля указывает на то, что частицами, диффун­ дирующими в окисел, являются преимущественно ионы кисло­ рода, а не его атомы или молекулы. По мнению Лнгензи [134], эти ионы представляют собой в основном О-; в пленке устанавли­ вается большой градиент концентрации этих ионов, приводящий к росту пленки по диффузионному механизму (из которого вы­ текает простой параболический закон dx/dt = k/x, где х — тол­ щина окисла, k — константа).

Одновременно с ростом пленки происходит ее распыление, обусловленное бомбардировкой ионами высоких энергий. При постоянном потенциале границы раздела окисел — плазма ско­ рость распыления пленки будет постоянной, и параболический закон роста переходит в линейно-параболический dx/dt = k/x

s, где s — скорость распыления пленки. Результаты, получен­

ные Крейтчманом [135] при анодировании кремния в ВЧ-плазме, хорошо согласуются с этой зависимостью.

При анодировании в разряде на постоянном токе механизм роста аналогичен процессу анодирования в электролите. В обоих случаях подвижны как ионы металла, так и ионы кислорода, что подтверждается существованием двухслойной структуры пленок, обнаруженной' эллипсометрическими измерениями, об­ суждавшимися ранее [131, 137]. Это означает, что должны наб­ людаться различия в свойствах окислов, полученных на границе раздела подложка — окисел и окисел — плазма. Очевидно, что объяснить это различие внедрением в окисел примесей из элек­ тролита в данном случае невозможно. Вероятно, на рост у гра­ ницы раздела окисел — плазма оказывает влияние ультрафио­ летовое излучение плазмы и непрерывная бомбардировка

') Термин «вентильные» металлы был введен в ранних исследованиях для характеристики группы металлов, которые, будучи покрыты окисной пленкой, приобретают выпрямляющие свойства. Металлы этой группы правильнее ха­ рактеризовать более общим свойством — способностью к образованию высоко­ омных анодных пленок. — Прим. ред.

частицами высоких энергии. Дальнейшим подтверждением под­ вижности ионов металла и кислорода служит результат экспери­ мента по плазменному анодированию образца, предварительно выращенного до известной толщины в растворе электролита [131]. Эта первоначальная пленка образует своего рода меченый слой и, согласно эллипсометрическим данным, последующий рост в плазме имеет место по обе стороны от этого слоя.

Ионный ток, протекающий во время образования окисла, определяется полем Е в окисле [137], хотя графики Тафеля для

анодирования в плазме и в растворе не идентичны. В случае плазменного анодирования тантала и ниобия значения dlgJ/dE

меньше, а величина / 0ехр(—W/kT) в выражении

для

ионного

тока в сильных полях

У = / 0ехр[— (W/kT — 13£)]

больше, чем

в случае анодирования

в растворе (см., например, фиг.

19).

Эти различия находятся в соответствии с меньшими вели­ чинами показателя преломления и диэлектрической проницае­ мости для окислов, полученных в плазме по крайней мере для внешнего слоя. Меньшая величина показателя преломления ука­ зывает на меньшую плотность пленки. Поэтому энергия актива­ ции при нулевом поле должна быть меньше и, следовательно,

Ф иг. 19. Графики Тафеля для АОП на тантале, полученной при 31 и 77°С в разряде с холодным катодом в кислороде (точки О н # ) [46, 131].

Сплошные линии —для анодирования о разбавленной серной кислоте. Плотность тока / выражена в А/см2; Е величина электрического поля.

точка пересечения графика с осью lg / при нулевом поле будет выше. Если ионная проводимость зависит от эффективного поля, то меньшее значение диэлектрической проницаемости объясняет наблюдаемое изменение наклона.

Вопрос о том, какие именно ионы кислорода подвижны, все еще остается открытым. Результаты, рассмотренные выше, ука­ зывают на образование различных отрицательных ионов кисло­ рода. Однако, как указал О’Хэнлон [147], безуспешные попытки [145, 162] экстрагировать заметный ток отрицательных ионов из области отрицательного свечения при разряде в кислороде ука­ зывают на другой механизм, скорее всего на образование по­ верхностных анионов, например, в результате захвата электро­ нов или диссоциации положительных молекулярных ионов при столкновениях. Конечно, ввиду большой величины отношения количества электронов к количеству отрицательных ионов в плазме можно ожидать, что электроны играют важную роль при анодировании. Если, например, ионный ток в окисле конт­ ролируется электронным током, который в свою очередь зави­ сит от напряженности поля в окисле, то тогда 1gJ также будет определенным образом зависеть от Е.

V.ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

1.ВВЕДЕНИЕ

Обычно в диэлектрической поляризации различают элек­ тронную поляризацию, возникающую при деформации элек­ тронных оболочек, ионную поляризацию, обусловленную отно­ сительным смещением ионов, и поляризацию, связанную со смещением иона или электрона из равновесных положений, кото­ рым отвечает нулевой дипольный момент, в пустые узлы ре­ шетки или в эквивалентные состояния с изменением направления полного момента. Движение между эквивалентными состояния­ ми может осуществляться прыжковым механизмом. Смещение из равновесного положения требует преодоления некоторого потенциального барьера. Механизм поляризации, обусловлен­ ной переориентацией молекул с постоянным дипольным мо­ ментом, маловероятен в рассматриваемых окисных пленках, по­ скольку трудно ожидать, чтобы в этих пленках молекулярные группы с постоянным дипольным моментом имели бы ориента­ ционную подвижность в электрическом поле. Однако смещение молекулярных цепочек в этом случае, по-видимому, может иметь место. Предполагалось, что подобный механизм поляризации существует в стеклах [163].

Разделение поляризации на атомную и электронную яв­ ляется идеализацией, поскольку в действительности эти состав­ ляющие не являются независимыми. Смещение ионов вызывает

(13)

смещение электронного облака (эффект короткодействия), а электрическое поле, создаваемое ионами, поляризует элек­ тронный заряд, и наоборот (эффект дальнодействия). Поэтому целесообразней разделять поляризацию на ультрафиолетовую (смещаются только электроны) и инфракрасную (в которую дают вклад смещения ядер и электронов) [105, 106]. Сигетти для учета короткодействующего взаимодействия между атом­ ным и электронным смещениями ввел фактор S в выражение для диэлектрической проницаемости (ег) ионного кристалла.

При наличии в элементарной ячейке одного катиона и одного аниона с валентностью Z

 

+ \ 3 /

ПУ(

\ т1

+ т2)

где п — показатель преломления, N — число элементарных ячеек

в единице

объема, vt — частота

поперечных колебаний, mi и

т 2 — массы

положительных и отрицательных ионов. Величина

S, рассчитанная Сигетти для ряда материалов с кубической ре­

шеткой, изменяется в пределах от 0,48 до

1,10. Расчет для кри­

сталлов Та20 5 и Nb2C>5 (и тем более для

анодных окисных пле­

нок) не проведен, так как до сих пор

не известны их структура

и значения vt. Таким образом, трудно что-либо сказать о фак­ тической величине ег в этих материалах.

Большинство опубликованных работ посвящено механизму диэлектрических потерь в диапазоне звуковых и инфразвуковых частот. Механизм поляризации, представляющий особый инте­ рес в этом диапазоне, связан с прыжками ионов или электро­ нов между потенциальными ямами. При объяснении экспери­ ментальных результатов на основе этого механизма необходимо учитывать распределение параметров барьеров вследствие аморфной природы АОП. Диэлектрические свойства окислов в широком диапазоне частот можно исследовать по переходным характеристикам и с помощью мостовых измерений на перемен­ ном токе. Метод переходных характеристик позволяет получить информацию об ионной проводимости в стационарном режиме (см. разд. V .3).

Влияние пространственного заряда на поляризацию и токи проводимости начинает сказываться только при напряжениях, достаточных для инжекции носителей. Это обстоятельство поз­ воляет разделить эффекты диэлектрической поляризации и про­ странственного заряда в переходных процессах. По этому по­ воду в литературе существует ряд противоречивых мнений.

Изучение электрического пробоя диэлектрических аморфных пленок имеет большое практическое значение. Результаты ис­ следования диэлектрического пробоя АОП будут представлены в разд. V,4.

2.ПРОЦЕССЫ ПОЛЯРИЗАЦИИ

а.Влияние предыстории пленки. Как будет показано ниже, переходные характеристики и мостовые измерения на перемен­

ном токе позволяют получить значения е' и в" — действитель­

ной и мнимой частей диэлектрической проницаемости. Однако интерпретацию результатов необходимо проводить с осторож­ ностью, ибо они зависят от способа получения пленок и после­ дующей их истории. В качестве иллюстрации на фиг. 20 показаны типичные изменения величин е' и е" при термоциклировании пленок Та20 5 [164]. Если образец нагревается выше темпера­

туры его получения, емкость и потери очень быстро увеличи­ ваются. Выдержка образца при температуре 380 °К в течение Зч приводит к уменьшению в' и в" на 0,4 и 1,5% соответственно.

I. к

Фиг. 20. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости е', е" перед отжигом образца Та—ТагОг—Аи [164].

Частота 1 кГц; цифрой / указано установившееся состояние,

Источник: https://studfile.net/preview/19992809/

Смотрите также: