При анодировании некоторых вентильных1) металлов в разряде на постоянном токе процесс роста окисла в основном подобен случаю анодирования в растворах.
При плазменном анодировании и особенно в случае ВЧ-плаз- мы ионы, электроны и нейтральные частицы, которые участвуют в образовании окисла, могут иметь сравнительно высокие энер гии, что, как правило, не учитывается при рассмотрении обыч ных электрохимических систем. В процессе роста пленки в плазме происходит внедрение и последующая миграция в окисле определенных частиц кислорода. Окисление кремния в ВЧ-плаз- ме протекает и в случае, когда к пленке не приложено поле, но при наличии электрического поля скорость роста и достижимые толщины пленок значительно возрастают. Подобное влияние электрического поля указывает на то, что частицами, диффун дирующими в окисел, являются преимущественно ионы кисло рода, а не его атомы или молекулы. По мнению Лнгензи [134], эти ионы представляют собой в основном О-; в пленке устанавли вается большой градиент концентрации этих ионов, приводящий к росту пленки по диффузионному механизму (из которого вы текает простой параболический закон dx/dt = k/x, где х — тол щина окисла, k — константа).
Одновременно с ростом пленки происходит ее распыление, обусловленное бомбардировкой ионами высоких энергий. При постоянном потенциале границы раздела окисел — плазма ско рость распыления пленки будет постоянной, и параболический закон роста переходит в линейно-параболический dx/dt = k/x—
— s, где s — скорость распыления пленки. Результаты, получен
ные Крейтчманом [135] при анодировании кремния в ВЧ-плазме, хорошо согласуются с этой зависимостью.
При анодировании в разряде на постоянном токе механизм роста аналогичен процессу анодирования в электролите. В обоих случаях подвижны как ионы металла, так и ионы кислорода, что подтверждается существованием двухслойной структуры пленок, обнаруженной' эллипсометрическими измерениями, об суждавшимися ранее [131, 137]. Это означает, что должны наб людаться различия в свойствах окислов, полученных на границе раздела подложка — окисел и окисел — плазма. Очевидно, что объяснить это различие внедрением в окисел примесей из элек тролита в данном случае невозможно. Вероятно, на рост у гра ницы раздела окисел — плазма оказывает влияние ультрафио летовое излучение плазмы и непрерывная бомбардировка
') Термин «вентильные» металлы был введен в ранних исследованиях для характеристики группы металлов, которые, будучи покрыты окисной пленкой, приобретают выпрямляющие свойства. Металлы этой группы правильнее ха рактеризовать более общим свойством — способностью к образованию высоко омных анодных пленок. — Прим. ред.
частицами высоких энергии. Дальнейшим подтверждением под вижности ионов металла и кислорода служит результат экспери мента по плазменному анодированию образца, предварительно выращенного до известной толщины в растворе электролита [131]. Эта первоначальная пленка образует своего рода меченый слой и, согласно эллипсометрическим данным, последующий рост в плазме имеет место по обе стороны от этого слоя.
Ионный ток, протекающий во время образования окисла, определяется полем Е в окисле [137], хотя графики Тафеля для
анодирования в плазме и в растворе не идентичны. В случае плазменного анодирования тантала и ниобия значения dlgJ/dE
меньше, а величина / 0ехр(—W/kT) в выражении |
для |
ионного |
|
тока в сильных полях |
У = / 0ехр[— (W/kT — 13£)] |
больше, чем |
|
в случае анодирования |
в растворе (см., например, фиг. |
19). |
|
Эти различия находятся в соответствии с меньшими вели чинами показателя преломления и диэлектрической проницае мости для окислов, полученных в плазме по крайней мере для внешнего слоя. Меньшая величина показателя преломления ука зывает на меньшую плотность пленки. Поэтому энергия актива ции при нулевом поле должна быть меньше и, следовательно,
Ф иг. 19. Графики Тафеля для АОП на тантале, полученной при 31 и 77°С в разряде с холодным катодом в кислороде (точки О н # ) [46, 131].
Сплошные линии —для анодирования о разбавленной серной кислоте. Плотность тока / выражена в А/см2; Е —величина электрического поля.
точка пересечения графика с осью lg / при нулевом поле будет выше. Если ионная проводимость зависит от эффективного поля, то меньшее значение диэлектрической проницаемости объясняет наблюдаемое изменение наклона.
Вопрос о том, какие именно ионы кислорода подвижны, все еще остается открытым. Результаты, рассмотренные выше, ука зывают на образование различных отрицательных ионов кисло рода. Однако, как указал О’Хэнлон [147], безуспешные попытки [145, 162] экстрагировать заметный ток отрицательных ионов из области отрицательного свечения при разряде в кислороде ука зывают на другой механизм, скорее всего на образование по верхностных анионов, например, в результате захвата электро нов или диссоциации положительных молекулярных ионов при столкновениях. Конечно, ввиду большой величины отношения количества электронов к количеству отрицательных ионов в плазме можно ожидать, что электроны играют важную роль при анодировании. Если, например, ионный ток в окисле конт ролируется электронным током, который в свою очередь зави сит от напряженности поля в окисле, то тогда 1gJ также будет определенным образом зависеть от Е.
V.ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
1.ВВЕДЕНИЕ
Обычно в диэлектрической поляризации различают элек тронную поляризацию, возникающую при деформации элек тронных оболочек, ионную поляризацию, обусловленную отно сительным смещением ионов, и поляризацию, связанную со смещением иона или электрона из равновесных положений, кото рым отвечает нулевой дипольный момент, в пустые узлы ре шетки или в эквивалентные состояния с изменением направления полного момента. Движение между эквивалентными состояния ми может осуществляться прыжковым механизмом. Смещение из равновесного положения требует преодоления некоторого потенциального барьера. Механизм поляризации, обусловлен ной переориентацией молекул с постоянным дипольным мо ментом, маловероятен в рассматриваемых окисных пленках, по скольку трудно ожидать, чтобы в этих пленках молекулярные группы с постоянным дипольным моментом имели бы ориента ционную подвижность в электрическом поле. Однако смещение молекулярных цепочек в этом случае, по-видимому, может иметь место. Предполагалось, что подобный механизм поляризации существует в стеклах [163].
Разделение поляризации на атомную и электронную яв ляется идеализацией, поскольку в действительности эти состав ляющие не являются независимыми. Смещение ионов вызывает
смещение электронного облака (эффект короткодействия), а электрическое поле, создаваемое ионами, поляризует элек тронный заряд, и наоборот (эффект дальнодействия). Поэтому целесообразней разделять поляризацию на ультрафиолетовую (смещаются только электроны) и инфракрасную (в которую дают вклад смещения ядер и электронов) [105, 106]. Сигетти для учета короткодействующего взаимодействия между атом ным и электронным смещениями ввел фактор S в выражение для диэлектрической проницаемости (ег) ионного кристалла.
При наличии в элементарной ячейке одного катиона и одного аниона с валентностью Z
|
+ \ 3 / |
ПУ( |
\ т1 |
+ т2) |
|
где п — показатель преломления, N — число элементарных ячеек |
|||||
в единице |
объема, vt — частота |
поперечных колебаний, mi и |
|||
т 2 — массы |
положительных и отрицательных ионов. Величина |
||||
S, рассчитанная Сигетти для ряда материалов с кубической ре |
|||||
шеткой, изменяется в пределах от 0,48 до |
1,10. Расчет для кри |
||||
сталлов Та20 5 и Nb2C>5 (и тем более для |
анодных окисных пле |
||||
нок) не проведен, так как до сих пор |
не известны их структура |
||||
и значения vt. Таким образом, трудно что-либо сказать о фак тической величине ег в этих материалах.
Большинство опубликованных работ посвящено механизму диэлектрических потерь в диапазоне звуковых и инфразвуковых частот. Механизм поляризации, представляющий особый инте рес в этом диапазоне, связан с прыжками ионов или электро нов между потенциальными ямами. При объяснении экспери ментальных результатов на основе этого механизма необходимо учитывать распределение параметров барьеров вследствие аморфной природы АОП. Диэлектрические свойства окислов в широком диапазоне частот можно исследовать по переходным характеристикам и с помощью мостовых измерений на перемен ном токе. Метод переходных характеристик позволяет получить информацию об ионной проводимости в стационарном режиме (см. разд. V .3).
Влияние пространственного заряда на поляризацию и токи проводимости начинает сказываться только при напряжениях, достаточных для инжекции носителей. Это обстоятельство поз воляет разделить эффекты диэлектрической поляризации и про странственного заряда в переходных процессах. По этому по воду в литературе существует ряд противоречивых мнений.
Изучение электрического пробоя диэлектрических аморфных пленок имеет большое практическое значение. Результаты ис следования диэлектрического пробоя АОП будут представлены в разд. V,4.
2.ПРОЦЕССЫ ПОЛЯРИЗАЦИИ
а.Влияние предыстории пленки. Как будет показано ниже, переходные характеристики и мостовые измерения на перемен
ном токе позволяют получить значения е' и в" — действитель
ной и мнимой частей диэлектрической проницаемости. Однако интерпретацию результатов необходимо проводить с осторож ностью, ибо они зависят от способа получения пленок и после дующей их истории. В качестве иллюстрации на фиг. 20 показаны типичные изменения величин е' и е" при термоциклировании пленок Та20 5 [164]. Если образец нагревается выше темпера
туры его получения, емкость и потери очень быстро увеличи ваются. Выдержка образца при температуре 380 °К в течение Зч приводит к уменьшению в' и в" на 0,4 и 1,5% соответственно.
I. к
Фиг. 20. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости е', е" перед отжигом образца Та—ТагОг—Аи [164].
Частота 1 кГц; цифрой / указано установившееся состояние,