Материал: Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ной формы [114, 115]. Существенный результат всех таких рас­ четов состоит в том, что для достаточно тонких ферромагнит­ ного и промежуточного слоев энергия комбинации неелевская стенка + квазистенка действительно ниже, чем энергия отдель­ ной стенки в одной из пленок. Область толщин, для которых это справедливо, показана на фиг. 18. Следует отметить, что подобная комбинация устойчива даже до толщин ферромагнит­ ных слоев, при которых в независимых пленках существовали бы стенка с поперечными узлами или стенки Блоха.

Качественно это предсказание подтверждается на опыте [ПО, 111], хотя количественное согласие оставляет желать луч­ шего (фиг. 19).

Слончевски [116] усовершенствовал расчеты, рассмотрев вместо одномерных двумерные стенки. Иначе говоря, в допол­ нение к компонентам в плоскости пленки, допускавшимся и ранее, он учел небольшую составляющую намагниченности, нормальную к плоскости пленки. Этот автор вычислил энергию и форму стенки (а не предположил эту форму a priori). При расчете был сделан ряд радикальных предположений, причем наиболее серьезные из них были подтверждены Ахарони [117], который применил несколько иной подход, но получил факти­ чески те же результаты. Слончевски [116] показал, что в той области, для которой предыдущие расчеты считались вполне хорошими, новые вычисления дают энергии, приблизительно в

У 2 раз меньшие, но в некоторых областях энергии в одно- и

двумерной моделях могут отличаться на порядок величины [117]. К сожалению, оказалось, что в этих случаях [117а] параметр

Фиг. 18. Диаграмма толщин пленок, для которых устойчивы различные конфигурации стенок [6].

£ —толщина ферромагнитного слоя, 6 —толщина промежуточного слоя.

самосогласованное™ расчета низкий [1176], так что истинный минимум энергии может лежать еще гораздо ниже. Все эти

расчеты дают одинаковую энергию для пары

стенка — стенка

или пары стенка — квазистенка, поскольку в

них предпола­

гается, что квазистенка состоит из двух зеркальных изображе­ ний стенки. Из обсуждения порошковых фигур ясно следует, что это предположение является необоснованным. Далее, на

Фиг. 19. Зависимость толщины пленки, при которой изменяется конфигура­ ция доменных стенок, от расстояния между пленками [ПО].

d'толщина пленки, при которой происходит переход от стенки Нееля к стенке Блоха.

По сравнению с фиг. 18 положения осей координат изменены.

кривой зависимости поворота намагниченности от расстояния имеется острый излом, что приводит к нефизическим ситуациям для вращающего момента и неразумным значениям обменной

энергии.

Хотя рассмотренные выше конфигурации часто наблюдались в многослойных пленках, ими отнюдь не исчерпываются обна­ руженные в этих системах структуры стенок. Если пленки с положительной связью, в которых домены должны стремиться накладываться друг на друга, размагничены полем, парал­ лельным осям легкого намагничивания обоих ферромагнитных слоев, то стенки в обоих слоях часто оказываются наложен­ ными друг на друга, откуда следует, что они антипараллельны, как и описывалось выше. Но в действительности это не всегда так. Иногда стенки сближаются, но не накладываются. Когда пленки размагничены полем в направлении трудного намагни­ чивания, результирующее направление спина в доменных

Естественно ожидать, что для минимизации магнитостатиче­ ской энергии стенки должны принять очень похожую конфигу­ рацию. Так и было первоначально предположено Фельдкелле-

ром и

др. [92]. Согласно этим авторам, если обозначить через

01 угол

между направлением спинов в пленке 1 и осью легкого

намагничивания, а через 02 соответствующую величину для пленки 2, то функция sin 0i + sin 02 плавно проходит через

нуль в середине конфигурации. Однако Бирагне и сотр. [118] показали, что sin 0j + sin 02 равняется нулю в весьма широкой области около 1 мкм в центре структуры. На фиг. 20 — это чет­ кая область между черными линиями. Было высказано предпо­ ложение [109], что каждая из параллельных стенок Нееля со­ провождается квазистенкой и что антипараллельные стенка и квазистенка в одной и той же пленке (фиг. 21,6) на малых расстояниях отталкиваются, так что возникает равновесное расстояние между ними около 1 мкм. Однако это не единствен­ ное расположение, совместимое с наблюдаемой функцией sin 01 + sin 02.

Фельдкеллер [7] предложил другую модель, показанную на фиг. 21, в: все величины в структуре меняются непрерывно, при­ чем в центральной области спины в стенках и квазистенках вращаются одинаково, но в противоположных направлениях,

а

+

 

 

 

 

+

 

 

 

+

 

© -СО+ ©

©

 

 

±___ -

+-

©

е -Ф8>+ Ф

+

 

 

Стенка

Квазистенка

1 о

-

-О—*►+-*>+© +<Ф- О" “

0

2 © +

о- о - ©--о-—*-+■©» + 0

 

Квазистенка

Стенка

 

Фиг. 21. Диаграмма

теоретических

конфигураций

из двух стенок Нееля

с параллельными намагниченностями [109, 7].

.а —стенки находятся в контакте и магнитостатическая энергия минимальна; б —стенки

и индуцированные квазнстепки с равновесным расстоянием между ними; е — стенкн

и

кваэистенки с компенсированной центральной областью.

так что величина sin 0i + sin 02 равна нулю. Он сделал вывод, что это наиболее вероятная конфигурация, отвечающая мини­ муму обменной энергии и энергии размагничивания. Однако представляется несколько неожиданным, что такая конфигура­ ция приводит к почти идеальной компенсации по столь широ­ кой области, поэтому вопрос не кажется полностью решенным.

Возможный способ различить эти две модели состоит в ис­ следовании изменения размеров разных частей конфигурации в зависимости от толщины промежуточного слоя. Известно [113— 117], что при увеличении толщины промежуточного слоя стенка должна становиться шире. Тогда в модели Фельдкеллера [7] все размеры стенок, включая и центральную часть, должны изменяться более или менее одинаково. В модели же Бирагне и сотр. [109] внешние области будут расти со скоростью, отличной от внутренней разделяющей области, и, вероятно, быстрее. Ширина «разделения» в одном случае уже была изме­ рена [109], и не вызовет особых затруднений одновременно измерить ее и полную толщину системы и сравнить скорости их изменения. Однако до сих пор это не было сделано.

На фиг. 20 видно другое необъясненное свойство стенок, размагниченных по жесткому направлению: две стенки систе­ матически пересекаются. Поскольку знаки обеих стенок на обеих сторонах от пересечения одинаковы, то трудно понять, почему образуется пересечение.

Кроме только что рассмотренных модификаций нормальных доменных стенок, в многослойных пленках наблюдался еще ряд других доменных структур, которые необычны для независимых пленок. Простейшая из них — так называемая возмущенная стенка. В независимых пленках такие стенки наблюдались только в пленках тоньше примерно 300 А [119, 120]. В стенках намагниченность поворачивается на 360° и на обеих сторонах стенки имеет одинаковое направление, примерно параллельное оси трудного намагничивания пленки. Эти стенки соединены с одной стороны с обычной 180°-ной стенкой. Предполагается [120], что такие стенки возникают от блоховской линии, захва­ ченной дефектом. Мидделхук [121] нашел, что в многослойных структурах подобные стенки могут существовать в более тол­ стых пленках (толщиной около 400 А) благодаря образованию пары стенка—квазистенка и понижению стеночной энергии.

Другой тип структуры, очень близкой к только что рассмот­ ренной и наблюдавшейся в многослойных пленках [6, 111, 112], представлен порошковой фигурой на фиг. 17, а и схематически изображен на фиг. 17,6. В этой структуре конец домена начал распространяться в одной пленке, был остановлен в ней дефек­ том, продолжился во второй пленке и (в приведенном случае) вновь проявился в первой пленке. В результате в пленке обра­

Источник: https://studfile.net/preview/19992809/

Смотрите также: