Материал: Физика металлов и дефекты кристаллического строения

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

шой внутренней энергией, обусловленной высоким уровнем связи одноименных атомов. Перемещение антифазных границ осуществляется при помощи диффузионных процессов.

В порошковых металлах такими границами являются меж­ частичные, которые резко отличаются по составу и кристалли­ ческой структуре не только от металлической основы частиц, но и от межзеренных и межфазных границ. Перемещение меж­ частичных границ в порошковых металлах происходит путем растворения, восстановления и т. д.

Поверхность металла также дефектна. В связи с тем, что состояние атомов на внешней поверхности кристалла значи­ тельно отличается от состояния атомов в его объеме (атом по­ верхности имеет меньшее число соседей, более удаленную ко­ ординационную сферу), силы, действующие на поверхностные атомы, значительно меньше и существенно различны. Поэтому по своему строению поверхность металлов не является атомно­ гладкой, а состоит из ступенек с огранкой, соответствующей плоскостям с низкой поверхностной энергией.

В связи с тем, что поверхностные дефекты являются носи­ телями избыточной свободной энергии, они обусловливают по­ вышенную скорость прохождения химических реакций, поли­ морфных превращений, диффузии и т. д., а также являются эффективными центрами рассеивания коллективных электронов, обеспечивающих значительную долю теплового и электрического переноса металлов.

Атомы, расположенные на любой из поверхностей раздела, обладают избыточной энергией по сравнению с энергией ато­ мов внутри кристалла, обусловленной различием сил межатом­ ного взаимодействия по обе стороны от поверхности раздела. В случае внешних поверхностей кристалла и межфазных гра­ ниц это различие определяется соотношением сил межатомного, межмолекулярного взаимодействия в обеих фазах, расположен­ ных по обе стороны от границы раздела. В случае же границ внутри фазы (границ зерен, двойников и т. д.) различие сил межатомного взаимодействия связано с их анизотропностью.

При увеличении поверхности раздела атомы из объемов фаз переходят на поверхность. При этом совершается работа про­ тив нескомпенсированных у границ раздела межатомных сил. Работа, затрачиваемая на создание (увеличение) единицы пло­ щади поверхности раздела фаз или виутрифазовой границы, представляет собой свободную поверхностную энергию (а) или поверхностное натяжение. Поверхностное натяжение опреде­ ляется различием в межатомном взаимодействии по обе сто­ роны от границы раздела. Следовательно,

Отв ГГЖ < (7Ж On <С OJB (Тп

(сгп — поверхностное натяжение частиц пара). Наивысшими зна­ чениями свободной поверхностной энергии обладают жидкости

и твердые тела с наиболее прочными межатомными связями (тугоплавкие металлы, ковалентные кристаллы и т. д.).

Поверхностное натяжение на границе зерен (кристаллов) одной и той же фазы называют зернограничным натяжением, или зернограничной энергией.

6.11. ОБЪЕМНЫЕ ДЕФЕКТЫ

Объемные дефекты имеют размеры одного, порядка вели­ чины в трех измерениях и на несколько порядков превышают размеры точечных дефектов. К этому типу дефектов относятся субмикропоры, являющиеся результатом изотропного роста •скоплений вакансий, субмикропузыри, сегрегации, субмикро­ трещины и т. д.

Субмикропузыри образуются при наличии в металлах рас­ творенных газов, которые приводят к стабилизации исходных субмикропор в связи со значительным внутри них давлением.

Сегрегации инородных атомов (иногда в форме зон Гинье — Престона) представляют собой области в сплавах, обогащен­ ные атомами легирующих элементов. Их возникновение связы­ вается исследователями с начальной стадией распада пересы­ щенных твердых растворов, после которой следует образование зародышей второй фазы.

Субмикротрещины возникают под действием сдвигового на­ пряжения в результате слияния дислокаций в начале дислока­

ционного

скопления. Длина

равновесной

субмикротрещины

Lc = п2Ъ

зависит от количества

дислокаций

/г, вошедших в по­

лость.

При значительном росте субмикродефекты (микротрещины, микропоры, микропузыри газов, дисперсные включения) обна­ руживаются с помощью оптического микроскопа. При боль­ шой концентрации микропор и микропузырей образуются сверх­ решетки, содержащие вакансии и дислокации.

К дефектам кристаллического строения также относятся

микронапряжения, локализованные в пределах зерен поликри­ сталла, обусловленные избытком дислокаций одного знака, дендриты, возникающие в результате микроскопической ликва­ ции, плены (в литых металлах), представляющие собой тонкие шлаковые или окисные пленки внутри металла, непровары, со­ провождающие сварку плавлением и т. д.

Микродефекты (трещины, поры, газовые пузыри и т. д.) мо­ гут возникать как результат дальнейшего собственного разви­ тия, появляться при переходе металла из жидкого в твердое состояние, при полиморфных превращениях, при обработке ме­ таллов, они могут быть связаны с фазовыми превращениями, воздействием неоднородных тепловых полей, неравномерной пластической деформацией и т. д.

ДИФФУЗИЯ в МЕТАЛЛАХ И СПЛАВАХ

Атомы, находящиеся в узлах кристаллических решеток, со­ вершают не только колебательные движения по отношению к центрам своего равновесия, но обладают большой способностью к перемещениям и могут переходить из одних узлов решетки в другие или в междоузлия. Такие перемещения атомов назы­ ваются диффузией. Определяющим фактором диффузионных процессов является температура металла. Если при низких тем­ пературах скорость диффузии настолько мала, что не может зрительно быть обнаружена, то при высоких температурах, на­ пример выше 1000°С, она может быть легко установлена в же­ лезе, меди и других металлах.

В чистых металлах диффузионные процессы реализуются собственными атомами, а их перемещение называется самодиффузией. В многокомпонентных системах диффузия может осу­ ществляться как перемещением собственных атомов, так и ато­ мов примеси, легирующих элементов. Поэтому диффузия в та­ ких системах называется гетерогенной диффузией, или просто диффузией. Чтобы частица, находящаяся в узле решетки, могла покинуть свое нормальное состояние, она должна получить до­ бавочную тепловую энергию, называемую энергией активации, которая в зависимости от мест расположения атомов различна. У атомов, находящихся на поверхности кристалла и имеющих значительно меньшую связь со своими соседями, энергия акти­ вации минимальна по сравнению с атомами, находящимися внутри объема кристалла. Поэтому различают поверхностную диффузию и объемную. При достаточной величине энергии активации атом, находящийся на определенном расстоянии от соседней вакансии, может «перепрыгнуть» в нее. В связи с тем, что тепловая энергия распределяется между атомами неравно­ мерно, ее флуктуация создает условия, при которых в резуль­ тате взаимодействия между соседними атомами один из них

может быть отброшен в любом направлении. Следовательно, для пары атомов нельзя предсказать направление их движения, оно может быть случайным. В то же время при большом коли­ честве движущихся атомов возникает устойчивый поток, при­ водящий к выравниванию концентрации.

Диффузионные процессы всегда происходят при отклонении системы от термодинамического равновесия, вызванного, на­ пример, неравномерным распределением атомов примеси или легирующих элементов, неравномерной концентрацией вакансий и т. д. Процессы выравнивания в этом случае будут протекать до тех пор, пока химические потенциалы отдельных компонен­ тов не станут равными, пока не наступит равновесная концен­ трация.

Диффузионные процессы играют большую роль при обра­ зовании зародышей и росте новой фазы в процессе кристалли­ зации, при фазовых превращениях, при химико-термической об­ работке металлов, при спекании порошковых систем и т. д.

7.1. ОСНОВНЫЕ УРАВНЕНИЯ ДИФФУЗИИ

Диффузионный перенос вещества можно наблюдать тогда, когда в начальный момент имеет место неравномерное распре­ деление компонентов, например вдоль продольной оси длинного образца. Если такой образец длительное время выдерживать при высокой температуре, близкой к температуре плавления, то атомы будут перемещаться вдоль образца до тех пор, пока не произойдет выравнивание состава. При этом в образце возни­ кают макроскопически определяемый поток растворенных ато­ мов и поток атомов основного металла, направленный противо­ положно первому. Поэтому, говоря о диффузии, имеют в виду именно макроскопический поток, а не движение отдельных ато­ мов, из которых он складывается.

Впервые качественный метод расчета диффузии предложил А. Фик. Исходя из его рассуждений предположим, что имеется длинный образец, поперечное сечение которого перпендикулярно градиенту. Так как количество растворенных атомов А с одной стороны сечения больше, чем с другой, то при высоких темпе­ ратурах возникает устойчивый поток атомов А со стороны с большей концентрацией к меньшей, следствием чего будет ста­ тистическое уменьшение градиента. Предположим, что объем­ ная концентрация с изменяется только вдоль оси образца и что концентрационный градиент дс/дх мал, а разность концентра­ ций между соседними плоскостями бесконечно мала. При этом каждый атом перемещается с прежнего места на последующие серией беспорядочных прыжков с частотой /. Допустим, что атомные плоскости с площадью, равной единице, расположены

перпендикулярно потоку на расстоянии

/ друг

от друга

(рис. 7.1), а концентрация диффундирующих

атомов

в плоско­

стях соответственно составляет с\ в плоскости

1 и с2— в

пло­

скости 2, и при этом

с1 >

с2. Тогда количество

атомов в

пло­

скостях составит п\ =

С\1

и П2 = с 21. При малом

времени

коли­

чество атомов, перепрыгивающих из плоскости 1, составит Около половины этих прыжков произойдет в каждом из двух направлений, так что количество перепрыгивающих атомов в направлении 1 ->2 составит n\f8t/2. Аналогично с плоскости 2

на

плоскость

1п2\Ы/2 атомов. Следовательно,

поток

атомов

(7),

т. е. количество атомов, проходящих в единицу

времени

 

^7 г

 

через единицу площади, будет равен

 

 

/ = у («, — По) f = J I (с, — с2) /.

 

°1 \ С2

 

 

 

 

 

I

 

Приравняв С\ с2= — (дс/дх) I, получим

 

 

 

 

 

 

Рис. 7.1.

 

7 = — D (дс/дх),

 

(7.1)

где

D = l2f/2

 

см2с-1 — коэффициент диффузии,

характеризую­

щий ее скорость.

Выражение (7.1) представляет собой первый закон Фика, согласно которому диффузия рассматривается в виде непрерыв­ ного потока атомов, а количество продиффундировавшего ве­ щества прямо пропорционально площади поперечного сечения, градиенту концентрации вдоль направления диффузии. Физи­ ческий смысл коэффициента диффузии (D) состоит в том, что он соответствует количеству вещества, продиффундировавшего за 1 с через поверхность площадью 1 см2 при перепаде концен­ трации d c/d x= 1. Следовательно, коэффициент диффузии за­ висит от концентрации. Отрицательный знак в выражении (7.1) вводится потому, что градиент дс/дх принимает отрицательное значение, если направление диффузии считается положитель­ ным, т. е. сопровождается перемещением с участков, более бо­ гатых атомами данного компонента, к участкам, более бедным. Из статистического закона следует, что скорость потока про­ порциональна градиенту концентрации, а поток направлен в сторону уменьшения концентрации.

Первый закон Фика описывает стационарное состояние диф­ фузионного потока, когда концентрация в любой точке не из­ меняется со временем.

При изменении концентрации в какой-либо области поток относится к нестационарному состоянию. В нестационарных си­ стемах, в которых градиент концентрации dc/dx зависит от вре­ мени, процессы диффузии описываются вторым законом Фика:

дс _р. дс

(7.2)

дГ— д* ~дх *

 

Если рассматривать D как независимую от концентрации вели­ чину, что строго выполняется только при самодиффузии, то в

Источник: https://studfile.net/preview/19992808/

Смотрите также: