Материал: МЭИ(ТУ) Физика

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

тельно полукольца E x

= òdE x

. Следовательно, вектор напряженности поля направлен

(Q )

по оси y и

E = E y

= òdE y

= òdE cosα ,

(21)

(Q )

(Q )

где dE = dQ 4πε0 R 2 =

τdl

Подставляя это выражение в (21), получим:

4πε0 R 2

E = E y =

τdl cosα .

(22)

(Qò) 4πε0 R 2

Интеграл (22) содержит две переменные α и dl. Для приведения интеграла к одной переменной, выразим элемент дуги dl через центральный угол dα: dl = Rdα. С учетом

того, что угол α изменяется в пределах от −

π

до +

π

, выражение (22) примет вид:

2

2

π 2

τ cosαdα

τ

E = E y

=

ò

=

.

(23)

4πε

0

R 2

2πε

0

R

−π 2

Так как заряд q < 0, сила, с которой поле действует на этот заряд, направлена про- тивоположно вектору Е, т. е. против оси y, и равна

τ q

F = Fy = (òq )Edq = Eq = 2πε0 R .

Подстановка числовых значений дает:

F = 6 · 10-6 Н.

Задача 1.6. Две тонкие сферические оболочки с радиусами R1 = 4 см и R2 = 8 см расположены концентрично и заряжены равномерно зарядами Q1 = 6 · 10-8 Кл и

Q2 = – 1 · 10-8 Кл.

1)Найти напряженность поля в точках, находящихся на расстоянии r1 = 6 см и r2 = 10 см от центра сфер.

2)Найти потенциал на внутренней оболочке.

3)Построить графики зависимости проекции напряженности на направление ра- диуса-вектора и потенциала от расстояния r от центра сфер – Er(r) и φ(r).

Ре ш е н и е . Поле создается известными зарядами,

равномерно распределенными по поверхностям двух концентрических сферических оболочек. Конфигурация зарядов обладает сферической симметрией, поэтому си-

Рис. 1.8.

ловые линии должны располагаться радиально (рис. 1.8). Так как Q2 < 0 и |Q2| > Q1, можно предположить, что за пределами внешней сферы силовые линии направлены противоположно радиусу-вектору.

Симметрия поля позволяет для нахождения напряженности применить теорему Остроградского-Гаусса.

Вспомогательные поверхности S1 и S2 (показаны на рис. 1.8 пунктиром) имеют форму сфер с радиусами r1 (для точки 1) и r2 (для точки 2).

Сумма зарядов, охваченных поверхностью S1, равна заряду Q1 внутренней оболоч- ки; сумма зарядов, охваченных поверхностью S2, равна сумме зарядов Q1 + Q2 обеих оболочек.

Рассмотрим левую часть формулы òEdS =

åQi

, например, для поверхности S1.

ε0

(S )

Векторы Е и dS во всех точках поверхности коллинеарны, следовательно,

òEdS =

òEdS cos(EdS)=

òEdS ,

(S1 )

(S1 )

(S )

так как cos(EdS) = cos 0° = l.

Величина Е во всех точках поверхности S1 в силу симметрии одинакова, что позво-

ляет записать

òE1dS = E1 òdS = E14πr12 .

(S1 )

(S1 )

Аналогичное рассмотрение для поверхности S2 дает:

òE2dS = E2 4πr22 .

(S2 )

Подставляя в формулу òEdS =

1

åQ полученные выражения для потоков векто-

(S )

ε0

ра напряженности (левая часть) и сумм зарядов, охваченных поверхностью интегриро- вания (правая часть), получим:

E

4πr2

=

1

Q , E

2

4πr2

=

1

(Q + Q

2

).

1

1

ε0

1

2

1

ε0

Отсюда

E1 =

Q1

>

0 , так как Q1 > 0;

4πε

0

r2

1

E2 = Q1 + Q22 , учитывая, что Q2 < 0 и Q1 + Q2 < 0, получим E2 < 0. 4πε0r2

Подстановка числовых значений в СИ дает:

E1 = 1,5 · 105 В/м; E2 = 3,6 · 104 В/м.

Для любой точки, находящейся между внутренней и внешней оболочкой, напря- женность поля выражается формулой, аналогичной формуле для Е1, а за пределами внешней оболочки – для E2. Таким образом,

при R1 < r < R2 E =

Q1

;

(24)

4πε0r2

при r > R2

E = -

Q1

+

Q2

;

(25)

4πε0r2

Формулы (24) и (25) могут быть использованы дли расчета потенциала в любой точке поля.

Для точки C, лежащей на поверхности внутренней оболочки, при выборе начала

отсчета потенциала в бесконечности

ϕC = ∞òEdl .

(26)

0

При интегрировании по радиусу-вектору dl = dr скалярное произведение в подын- тегральном выражении Edl = Erdr, где Er – проекция вектора напряженности на направ- ление радиуса-вектора. Поскольку выражения для E различны для двух указанных вы- ше интервалов, интеграл (26) следует разбить на два интеграла с пределами интегриро- вания для переменной r: от R1 до R2 и от R2 до ∞. Так как при R1 < r < R2 Er = + E, а при r > R2 Er = – E, окончательное выражение для потенциала примет вид:

R2

Q1

Q1 +Q2

1

æ

Q2

ö

ϕC = ò

dr + ò

dr =

çQ1

÷

ç

+

÷ .

4πε

r2

4πε

r2

4πε

0

R

R

2

R

0

R

2

0

è 1

ø

1

Подстановка числовых значений дает:

φC = 22,5 В.

График зависимости Er(r) может быть построен на основании выражений (24) и (25) и указанных выше соотношений между Er и E для разных интервалов значений r. На участке r < R1 E = 0, что легко получить, применяя теорему Гаусса для лю- бой точки внутри первой сферы. График Er(r) показан

Рис. 1.9.

на рис. 1.9. Как видно из графика, на заряженных поверхностях, т. е. при r = R1, r = R2 функция Er(r) терпит разрыв – напряженность изменяется скачком.

Для построения графика φ(r) можно, не рассчитывая потенциал как функцию рас- стояния на отдельных участках, использовать имеющийся график Er(r) и найденное значение потенциала на поверхности внутренней оболочки.

При r < R1, E 0, как следует из дифференциальной связи E x = − ∂∂ϕx , φ = const = φC.

При R1 < r < R2 Er < 0 и, следовательно, потенциал убывает с расстоянием.

Рис. 1.10.

При r > R2 Er < 0 и потенциал возрастает с расстоя-

нием. Так как φ∞ = 0, то, очевидно, на участке от R1 до R2 потенциал отрицателен и, следовательно, где-то на участке между R1 и R2 график должен пересечь ось абсцисс. График φ(r) показан на рис. 1.10.

Как видно из рис. 1.10, на участке от R1 до R2 угол между касательной к кривой и положительным направлением оси абсцисс тупой и возрастает по величине; тангенс

этого угла, равный ∂∂ϕr = −Er , отрицателен и убывает по абсолютной величине, следо-

вательно Er > 0 и убывает, что соответствует ходу кривой Er(r) на этом участке (рис. 1.9). На участке от R2 до ∞ угол между касательной к кривой и положительным направлением оси абсцисс острый и убывает по величине; тангенс этого угла, равный

∂∂ϕr = −Er , положителен и убывает с возрастанием r, следовательно Er < 0 и возрастает,

что соответствует ходу кривой Er(r) на этом участке (рис. 1.9).

Задача 1.7. Вблизи тонкой большой пластины, равномерно заряженной с поверх- ностной плотностью заряда σ = 6 · 10-6 Кл/м2, на нити подвешен маленький шарик, мас- са которого m = 0,2 г. При сообщении шарику некоторого заряда шарик отклоняется так, что нить образует с вертикалью угол α = 37°.

Найти заряд q, сообщенный шарику.

Р е ш е н и е . Рассматривается точечное тело заданной массы с неизвестным заря- дом, находящееся в поле равномерно заряженной плоскости.

Рис. 1.12.

Рис. 1.11.

ны).

Если шарик рассматривать как точечный заряд, то куло- новская сила F, с которой поле действует на него, F = Eq, где Е

напряженность поля, создаваемого заряженной плоскостью в точке, где находится шарик.

Благодаря действию электрического поля шарик нахо- дится в равновесии при условии, что нить отклонена от вер- тикали на заданный угол α. Помимо электрического поля на шарик действует поле тяжести с силой mg и нить с силой натяжения Т. Силы показаны на рис. 1.11 (рисунок сделан в предположении, что заряды шарика и пластины одноимен-

Условие равновесия:

F + mg + T = 0.

В проекциях на координатные оси, показанные на рис. 1.11:

F – T sin α = 0; mg – T cos α = 0.

Совместное решение двух уравнений относительно неизвестного дает

F = Eq = mg tg α. (27)

Так как искомой величиной является q, то задача сводится к нахождению напря- женности E поля, создаваемого большой равномерно заряженной плоскостью. Рассмат- риваемое поле обладает симметрией: можно предполагать, что силовые линии вблизи пластины и достаточно далеко от ее краев располагаются перпендикулярно к пластине.

Установленная симметрия позволяет для нахождения напряженности использовать теорему Остроградского-Гаусса.

В качестве гауссовой поверхности удобно выбрать поверхность прямого цилиндра, образующая которого перпендикулярна рассматриваемой плоскости, а площадь осно- ваний цилиндра мала по сравнению с площадью пластины (рис. 1.12).

Заряд, охваченный этой вспомогательной поверхностью,

åQi = σS .

(28)

Поток вектора напряженности через замкнутую поверхность цилиндра следует раз- бить на три потока: через каждое из оснований цилиндра и через боковую поверхность

S3.

Источник: https://files.student-it.ru/previewfile/285662

Смотрите также: