Материал: МЭИ(ТУ) Физика

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

F0 = E01q ,

где E01 – напряженность поля, создаваемого одной из пластин в вакууме; q – абсолют- ное значение заряда одной из пластин.

Предположим, что жидкий диэлектрик заполняет все пространство между обклад- ками. В этом случае результирующая сила F, действующая на каждую из пластин кон- денсатора, может быть рассчитана по формуле

F = E1q ,

где E1 – результирующее поле одной пластины в диэлектрике.

1-й случай. Если конденсатор до погружения в диэлектрик был отключен от бата- реи, то постоянным будет оставаться заряд каждой пластины. Напряженность поля ка- ждой пластины будет убывать в ε раз в результате появления связанных зарядов на гра- нице диэлектрик-пластина, создающих собственное поле, направленное навстречу по- лю конденсатора. В этом случае

F1 = Eε01 q = F20 .

2-й случай. Если конденсатор все время остается соединенным с батареей, то по- стоянной будет разность потенциалов между его обкладками. При погружении конден- сатора в диэлектрик связанные заряды на границе диэлектрик-пластина будут стре- миться ослабить поле внутри конденсатора и тем самым уменьшить разность потен- циалов между его обкладками. Действие этих связанных зарядов компенсируется доба- вочными зарядами, посылаемыми батареей.

Так как разность потенциалов остается неизменной, то и напряженность поля, соз- даваемого каждой пластиной, также не меняется, т. е. E01 = const.

Абсолютное значение заряда каждой пластины при этом увеличится в ε раз, т. е. q'= εq ,

где q' – новая величина заряда. Следовательно,

F2 = F0ε = 2F0 .

Задача 8

В плоском конденсаторе, заряженном до разности потенциалов U = 600 В, расстоя- ние между обкладками (l = 0,4 см) заполнено наполовину

слюдой, относительная диэлектрическая проницаемость ко-

Рис. 70.

торой ε = 7. Найти напряженность поля в диэлектрике и в вакууме для двух случаев: 1) граница диэлектрика параллельна заряженным пластинам; 2) граница диэлектрика пер- пендикулярна заряженным пластинам. Во втором случае искривлением силовых линий поля вблизи границы диэлектрика пренебречь.

Анализ и решение. 1-й случай. Граница диэлектрик-вакуум расположена перпен- дикулярно силовым линиям поля, поэтому вектор смещения при переходе через эту границу не меняется. Так как источниками поля являются две плоскопараллельные равномерно заряженные пластины, можно считать, что вектор смещения вообще не бу- дет зависеть от положения рассматриваемой точки, т. е.

D1 = D2 .

(1)

Здесь D1 и D2 – векторы смещения в точках 1 и 2 (рис. 70, а).

Однородность поля в пределах слоя диэлектрика и слоя вакуума позволяет запи- сать, что

U = E1x1 + E2 x2 ,

(2)

где E1 и E2 – напряженности электрического поля в слоях 1 и 2; x1 и x2 – толщины слоев диэлектрика и вакуума.

Учитывая связь между значениями векторов напряженности и смещения, равенство

(1) можно преобразовать к виду

εE1 = E2 .

(3)

Решая совместно уравнения (2) и (3) при условии, что x

= x =

l

, получаем

1

2

2

E =

2U

= 3,75 ×104

В м ;

l(1+ ε )

1

E2 =

2Uε

= 26,25 ×10

4

В м .

l(1+ ε )

2-й случай. Согласно условию можно пренебречь искривлением силовых линий вблизи границы диэлектрик-вакуум, т. е. и в диэлектрике, и в вакууме поле можно счи-

тать однородным. Тогда

E = E

2

= U

=15 ×104 В м .

(4)

1

l

Это значит, что наличие диэлектрика не меняет (при такой конфигурации) напряженно- сти поля. Но слюда, находящаяся между пластинами, обязательно будет поляризована, т. е. на ее поверхностях, примыкающих к заряженным пластинам, появятся связанные

заряды, которые создадут поле, направленное навстречу внешнему. Поэтому равенство

(4) может иметь место, если в результате внесения слюды на металлических пластинах установится разная поверхностная плотность зарядов: внизу σ1, наверху σ2 (рис. 70, б). Очевидно, что σ1 > σ2.

Задача 9

Найти разность потенциалов между средней плоскостью и поверх- ностью большого плоского слоя из диэлектрика, заряженного с объем- ной плотностью ρ, если толщина слоя l, относительная диэлектрическая проницаемость его ε (рис. 71). Построить графики зависимостей E(x) и φ(x), где x – расстояние от средней плоскости слоя до рассматриваемой точки.

Анализ. Согласно условию задачи линейные размеры заряженного Рис. 71. слоя велики по сравнению с его толщиной и с расстоянием x от середи-

æ

l

ö

ны слоя до рассматриваемых точек çдля случая x

>

÷

. Это условие позволяет предпо-

2

è

ø

ложить, что силовые линии и линии электрического смещения будут располагаться перпендикулярно самому слою. Такая плоскосимметричная конфигурация поля позво- ляет найти поле с помощью обобщенной теоремы Гаусса. Для этого построим вспомо- гательную поверхность в форме цилиндра, основания которого параллельны слою и симметричны относительно его средней плоскости.

æ

x

l

ö

Расчет поля придется проводить дважды: для точек, лежащих внутри слоя ç

£

÷

2

æ

x

l

ö

è

ø

и для точек, лежащих вне слоя ç

³

÷

. В обоих случаях основания вспомогательной

2

è

ø

цилиндрической поверхности должны быть малы по сравнению с размерами слоя для того, чтобы оставалось в силе сделанное предположение о плоскосимметричном поле.

Решение. Рассмотрим сначала точки, лежащие внутри слоя, для которых

x

£

l

(см. рис. 71).

2

Для поверхности S1 согласно обобщенной теореме Гаусса, запишем

òDdS = åQ .

(1)

S

Легко видеть, что правая часть равенства (1)

Рис. 72.

åQ = ρSт 2x ,

(2)

где Sт – площадь основания вспомогательной поверхности S1. Интеграл по поверхности S1 сведется к интегралу только по двум основаниям (на боковой поверхности вспомога-

тельного цилиндра (D, dS) = 0, так как D ^ dS).

Во всех точках каждого основания векторы D и dS коллинеарны, вектор D по мо- дулю постоянен, и значения вектора смещения на обоих основаниях одинаковы (вслед- ствие симметричного расположения оснований относительно середины слоя). Следова- тельно,

òDdS = 2DSт .

(3)

S1

Подставляя выражения (2) и (3) в формулу (1), получаем, что при

x

£

l

D = ρx ,

2

(4)

E =

ρx

.

(5)

ε ε

0

Для точек, лежащих вне слоя, аналогично найдем, что при

x

³

l

D =

ρl

2

,

(6)

2

E =

ρl

.

(7)

2ε0

Анализ формул (4) и (6) для граничных условий, т. е. для точек x = ± 2l , показывает,

что вектор смещения не терпит разрыва на поверхности слоя – слой заряжен равномер- но по объему; следовательно, в бесконечно тонком поверхностном слое свободный заряд будет равен нулю.

Вектор E, как видно из сравнения формул (5) и (7), терпит па границах слоя скачок, равный

DE

ρl

æ

1

ö

=

ç1-

÷ .

2ε0

ε

è

ø

График зависимости E(x) представлен на рис. 72. При x < 0 график располагается ниже оси абсцисс, так как в этих точках вектор E на- правлен влево, т. е. отрицателен.

Найдем теперь разность потенциалов между серединой слоя и поверхностью:

U = ò2

Edx .

(8)

1

Векторы E и dx коллинеарны; точки 1 и 2, расположенные соответственно на середине и на поверхности слоя, характеризуются следующими значениями x: x1 = 0, x2 = 2l . По-

этому формула (8) примет вид

l 2

U = òEdx .

(9)

0

Подставляя сюда выражение для E и производя интегрирование, получаем

U =

ρl2

.

ε

0

Для построения графика φ(x) надо в какой-либо точке принять φ = 0 (например, при x = 0) и затем либо найти формулу φ(x) для любого значения x, либо воспользоваться уже построенным графиком E(x). В первом случае расчет удобнее вести по формуле

ϕ(0)-ϕ(x) = òx Edx .

0

æ

x

³

l

ö

, то этот интеграл надо разбить на два:

Если рассматривать точки вне слоя ç

÷

2

l

l

è

ø

в пределах от 0 до

и от

до x. Проведем построение графика вторым методом

2

2

(рис. 73). Согласно условию φ(0) = 0. В точках 0 £ x £

l

по мере воз-

2

растания x потенциал будет уменьшаться (увеличение x соответствует движению вдоль силовых линий), причем кривая φ(x) должна быть вы- пуклой, так как с ростом x увеличивается модуль тангенса угла наклона касательной к кривой φ(x).

Точка

x =

l

является особой точкой, в которой функция

Рис. 73.

2

E(x) = ddxϕ терпит разрыв.

За пределами слоя направление силовых линий поля не меняется; следовательно, с ростом x потенциал будет продолжать уменьшаться, но постоянство E вне слоя позво-

Источник: https://files.student-it.ru/previewfile/285662

Смотрите также: