∫Edl = −E1τ l12 + ∫Edl + E2τ l34 + ∫Edl = (− E1τ + E2τ )l12(34) = 0 .
l |
l23 |
l41 |
|||||||
контур |
0, если l23 → 0 |
0, если l41 → 0 |
|||||||
направление обхода |
|||||||||
– тангенциальная составляющая вектора E не претерпевает скачка на границе |
|||||||||
E1τ = E2τ |
|||||||||
раздела двух сред. |
|||||||||
D = εε0E, |
|||||||||
D1τ |
= |
ε1 |
– тангенциальная составляющая вектора D претерпевает скачок. |
||||||
D2τ |
ε2 |
||||||||
II. Проводники
Поведение проводника в электрическом поле определяется наличием огромного количества свободных зарядов, которые могут легко перемещаться под действием сколь угодно малого поля на любые расстояния.
Вметаллах свободные заряды – электроны, n =1028 ÷1029 м13 .
Вэлектростатическом случае в проводнике наступает равновесное состояние, из которого вытекают следующие свойства:
1.Поле внутри проводника равно нулю (Eвнутр = 0). (В противном случае будет течь электрический ток, пока E не станет равным нулю.)
2.Вектор напряженности поверхности проводника.
Eτ |
= 0 |
. (Если Eτ ≠ 0, то по поверхности потечет ток, пока Eτ не станет рав- |
Eпов. = |
= E |
|
En |
ным нулю.)
3. Некомпенсированный заряд располагается по поверхности проводника. Доказательство: Проведем внутри проводника поверхность Гаусса и запишем теорему Гаусса.
некомп. |
= ∫(DdS)= 0 . |
||||
S проводника ∑Qохвач. SГаусса |
|||||
SГаусса |
|||||
S Гаусса |
Т. к. D внутри проводника = 0, |
некомп. |
= 0 . |
||
то ∑Qохвач. SГаусса |
|||||
Пусть SГаусса |
→ Sпроводника |
некомп. |
= |
0 некомпенсированные |
|
∑Qохвач. Sпровод. |
|||||
заряды располагаются на внешней поверхности проводника, ч. т. д.
4.Любые точки внутри и на поверхности проводника имеют одинаковые значения потенциала. Поверхности проводника является эквипотенциальной.
Доказательство: |
1 |
ϕ1 −ϕ2 = |
∫Edl = 0 φ1 = φ2, ч. т. д. |
|
lвнутри |
2 |
lвнутрипроводника = 0 |
5. Напряженность поля у поверхности заряженного проводника находится по формуле:
Eτ = 0 |
|||||
Eпов. = |
E |
= |
σ |
, |
|
n |
εε0 |
||||
σ – поверхностная плотность заряда, ε – диэлектрическая проницаемость среды, приникающей к поверхности проводника.
Доказательство: |
||
σ |
Проведем гауссову поверхность в виде цилиндра, перпендикулярно- |
|
h SГауссаn1 |
го поверхности проводника. |
|
проводник |
Запишем теорему Гаусса и учтем, что внутри проводника поле рав- |
|
но нулю (D2n = 0), а силовые линии вне проводника параллельны |
||
боковой поверхности цилиндра.
∫(DdS)= (σSторца ),
SГаусса
D1n Sторца + ∫DdS + D2n Sторца = (σSторца )
Sбок
0, 0
если h → 0
D1nSторца = σSторца D = σ En = εεσ0 , ч. т. д.
6.В неэлектростатическом случае поле внутри проводника ≠ 0. Под действием этого поля течет ток, плотность которого j = λE – закон Ома в дифференциальной форме.
λ – проводимость; λ = ρ1 , ρ – удельное сопротивление.
7.Обобщенный закон Ома для участка цепи.
1 dl |
2 |
I = |
∫jdS . |
dS = ndS |
E |
j |
Sсечен. проводника |
j |
|
Ток на участке 1-2 определяется действием как кулоновского поля, так и поля сторонних сил, которое мы будем характеризовать вектором Eстор.
j = λE; E = Eкул + Eстор, j = λ(Eкул + Eстор);
Вместо λ подставим 1/ρ и умножим слева и справа на dl:
ρj = λ(Eкул + Eстор) | dl,
ρ(jdl) = Eкулdl + Eсторdl,
∫2 |
ρ |
I |
dl = ∫2 |
Eкулdl + ∫2 |
Eсторdl , |
|||||||||
S |
||||||||||||||
1 |
1 |
1 |
||||||||||||
I ∫2 |
ρdl |
= ∫2 |
Eкулdl + ∫2 |
Eсторdl , |
||||||||||
1 |
S |
1 |
1 |
|||||||||||
= R12 |
||||||||||||||
R |
= I |
2 |
ρdl |
. Здесь R12 – сопротивление участка цепи 1-2. Если участок однородный, то |
||||||||||
∫1 |
||||||||||||||
12 |
S |
|||||||||||||
R = |
ρl |
. |
||||||||||||
S |
||||||||||||||
IR12 = ∫2 Eкулdl + ∫2 Eсторdl .
1 |
1 |
Введем обозначение
U12 = IR12 – падение напряжения,
ϕ1 −ϕ2 = ∫2 Eкулdl – разность потенциалов,
1
E = ∫2 Eсторdl – э. д. с.
1
IR12 = (φ1 – φ2) ± E12 – обобщенный закон Ома для участка цепи.
Итак, имеются три термина, характеризующих участок цепи. Каждый из них является энергетической характеристикой. Их различие заключается в следующем:
Aкул.сил |
|||||
ϕ1 |
−ϕ2 = |
– разность потенциалов, характеризуется работой кулоновских сил; |
|||
q0 |
|||||
E |
Aстор. сил |
||||
= |
– ЭДС, характеризуется работой сторонних сил; |
||||
q0 |
|||||
U12 = Aкул.сил + Aстор. сил – падение напряжения в цепи, характеризуется работой и тех, и q0
других сил.
Вольтметр как прибор показывает только разность потенциалов. Эта разность потенциалов равна падению напряжения, только если на этом участке отсутствует ЭДС.
+Q |
–Q |
§ 3. Емкость. Энергия поля |
||
+ + |
– |
Зарядим два проводника одинаковыми по величине и противо- |
||
– |
положными по знаку зарядами. Заряды распределятся по по- |
|||
φ1 |
+ |
– |
φ2 |
верхности проводника так, чтобы поле внутри проводника было |
+ |
– |
|||
+ |
– |
равно нулю. Такое распределение зарядов единственно для дан- |
||
+ |
– |
ной формы проводника. Тогда каждая последующая порция за- |
||
рядов будет распределяться подобно предыдущей. В результате при увеличении заряда в n раз поле в каждой точке пространства также увеличивается в n раз.
↑ Q в n раз ↑ E в n раз ↑ (φ1 – φ2) в n раз.
Следовательно, между зарядом и разностью потенциалов существует прямо пропорциональная зависимость.
Q ~ (φ1 – φ2),
Q = C(φ1 – φ2); коэффициент пропорциональности C – это взаимная емкость двух про-
водников.
Q |
1 Кл |
= [1Ф]. |
|||||
C = |
, C = |
1 |
|||||
ϕ1 |
−ϕ2 |
||||||
В |
|||||||
1 мкФ = 10-6 Ф,
1 пФ = 10-12 Ф.
Емкость не зависит от Q. Это чисто геометрический параметр, который определяется геометрическими размерами и диэлектрическими свойствами среды.
Пример. Емкость уединенного проводника
Уединенный проводник – проводник, удаленный от предметов. Роль второго проводника играют окружающие предметы.
Cуед = Qϕ .
Шар Q Чтобы E внутри шара было равно нулю, заряд должен быть равномерно распределен по поверхности шара.
Из т. Остроградского-Гаусса Eвнешара |
= |
Q |
. |
||||||||||||||||
4πε0 r 2 |
|||||||||||||||||||
∞ |
∞ |
Q |
Q |
1 |
∞ |
Q |
Q |
||||||||||||
ϕвнутр = ∫Eвнешараdr = ∫ |
|||||||||||||||||||
dr = |
− |
= |
; C = |
= 4πε0 R , |
C = 4πεε0R |
. |
|||||||||||||
2 |
ϕ |
||||||||||||||||||
r |
r |
4πε0 r |
4πε0 |
r |
R |
4πε0 R |
|||||||||||||
(В системе СГСЭ |
1 |
=1 , Cшара = R, [C] = 1 [см].) |
|||||||||||||||||
4πε0 |
|||||||||||||||||||
Пример. Конденсатор – это система, состоящая из двух проводников такой формы, что поле заряженного конденсатора сосредоточено практически между его обкладками.
В зависимости от формы конденсаторы бывают следующие: |
||||||||||||||||||||||||||||||
Плоский конденсатор |
Цилиндрический конденсатор |
|||||||||||||||||||||||||||||
R2 |
R1 |
|||||||||||||||||||||||||||||
S |
||||||||||||||||||||||||||||||
d |
l |
|||||||||||||||||||||||||||||
C = εε0 S |
C = |
2πεε0l |
||||||||||||||||||||||||||||
d |
ln |
R2 |
||||||||||||||||||||||||||||
R |
||||||||||||||||||||||||||||||
R1 |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||
Сферический конденсатор |
R2 |
C = 4πεε0 R1R2 . |
||||||||||||||||||||||||||||
R |
2 |
− R |
||||||||||||||||||||||||||||
1 |
||||||||||||||||||||||||||||||
Формулы вывести самостоятельно. |
||||||||||||||||||||||||||||||
Энергия заряженного конденсатора. Плотность энергии |
||||||||||||||||||||||||||||||
1 |
2 |
Энергия конденсатора не зависит от способа зарядки. Будем переносить |
||||||||||||||||||||||||||||
+ |
δq |
– |
порции заряда +δq с обкладки 2 на обкладку 1. |
|||||||||||||||||||||||||||
+ |
+ |
– |
δAвнеш. сил = −δAсилполя = Aсилполя = (ϕ |
)δq |
q |
|||||||||||||||||||||||||
+ |
– |
1 |
−ϕ |
2 |
= |
δq , |
||||||||||||||||||||||||
+ |
– |
2→1 |
2→1 |
1→2 |
C |
|||||||||||||||||||||||||
+ |
– |
Q |
q |
1 q2 |
Q |
Q2 |
||||||||||||||||||||||||
+ |
– |
|||||||||||||||||||||||||||||
A = ∫ |
dq = |
= |
. |
|||||||||||||||||||||||||||
+ |
– |
C |
C 2 |
2C |
||||||||||||||||||||||||||
0 |
0 |
|||||||||||||||||||||||||||||
Так как работа – это мера изменения энергия, то после зарядки энергия конденсатора будет равна:
A = W. |
W = |
Q2 |
= |
C(ϕ |
1 |
−ϕ |
2 |
)2 |
= |
Q(ϕ |
1 |
−ϕ |
2 |
) |
. |
|
2C |
2 |
2 |
||||||||||||||
Плотность энергии электрического поля
Выразим энергию конденсатора через величины, характеризующие его поле.