Материал: Физико-математическое моделирование систем. материалы XX Международного семинара. Батаронов И.Л., Шунин Г.Е

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

очевидна. По умолчанию каждому объекту обеспечивается не менее одного соседа. В качестве метода определения расстояния используется метрика Евклида [6, 7]. По данным медико-социологического мониторинга для входного класса пространственных объектов рассчитаны среднее и максимальное расстояния до ближайшего соседа: 15,816 и 1842,692 метров.

Сведения по территориальной контрастности могут найти применение в адресных мероприятиях для коррекции работы онкологической службы и направленного анализа факторов, вызывающих увеличение риска развития ЗНО.

Заключение

При помощи глобальной статистики Морана (Global Moran’s I) исследована пространственная автокорреляция входного набора геоданных медикосоциологического мониторинга случаев заболевания ЗНО за 2007 – 2016 гг. по г. Вологде. Выполнена проверка нулевой гипотезы, утверждающей, что пространственные процессы носят случайный характер. Для оценки значимости индекса Морана применены z-оценка и p-значение. Получена сводка глобального индекса Морана для типа распределения – кластеризован и следующих входных классов пространственных объектов: возраст, пол, год проведения мониторинга. Нулевая гипотеза для них отклонена. Пространственное распределение значений в каждом наборе данных кластеризовано.

Литература

1 .Рапаков, Г. Г. Методы анализа выживаемости в задачах активного долголетия (опыт г. Вологды): монография/ Г. Г. Рапаков; М-во образ. и науки РФ, Вологод. гос. ун-т, Международ. акад. наук эколог. и безопасн. жизнедеятельности. – Вологда: ВоГУ, 2015. – 119 с.

2 .Вологда — город долгожителей [Электронный ресурс]: концепция активного долголетия на территории муниципального образования «Город Вологда» на период до 2035 года: решение Вологодской городской Думы от 29 декабря 2014 г. № 129 // КонсультантПлюс: справ. – правовая система / Компания «КонсультантПлюс».

3.Mitchell, A. The ESRI Guide to GIS Analysis, Volume 1: Geographic Patterns and Relationships / A. Mitchell. – ESRI Press, 2001. – 190 p.

4.Mitchell, A. The ESRI Guide to GIS Analysis, Volume 2: Spatial Measurements and Statistics / A. Mitchell. – ESRI Press, 2005. – 252 p.

5.Getis, A. The Analysis of Spatial Association by Use of Distance Statistics / A. Getis, K. Ord // Geographical Analysis. – 1992. – Vol. 24, Issue 3. – pp. 189–206.

6.Fischer, M. M. Handbook of Applied Spatial Analysis: Software Tools, Methods and Applications / M. M. Fischer, A. Getis. – Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2010. – 811 p.

7.Bivand, R. S. Applied Spatial Data Analysis with R / R. S. Bivand, E. Pebesma, V. Go- mez-Rubio. – Springer Science+Business Media New York, 2013. – 413 p.

COMPUTER SIMULATION OF SPATIAL PATTERN WITH GLOBAL MORAN’S I

G. G. Rapakov, V. A. Gorbunov, K. A. Abdalov

Vologda State University

Spatial clustering target patterns in data based on Global Moran’s I technique for cancer patients during active longevity project.

Keywords: Global Moran’s I, spatial clustering, decision support.

95

УДК 535.37:544.164

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРОЕНИЯ И ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК «ЯДРО/ОБОЛОЧКА»

К. А. Романова, Ю. Г. Галяметдинов

Казанский национальный исследовательский технологический университет ksenuya@mail.ru

Методы теории функционала плотности были применены для изучения строения и электронных свойств квантовых точек вида «ядро/оболочка», состоящих из полупроводниковых селенида и сульфида кадмия, покрытых оболочкой из сульфида кадмия и цинка. Осуществлен расчет положения валентной зоны и зоны проводимости, ширины запрещенной зоны при варьировании толщины и природы оболочки.

Ключевые слова: численное моделирование, теория функционала плотности, квантовые точки, ширина запрещенной зоны.

Функциональные оптические материалы на основе полупроводниковых квантовых точек (КТ) являются в настоящее время объектами многочисленных исследований вследствие высокой эффективности их люминесценции, регулируемого размером и формой частиц излучения в широком диапазоне видимого спектра, отличной фотостабильности и достаточно продолжительного времени жизни фотовозбуждения. В последние годы были значительно расширены области их практического применения в качестве компонентов лазеров, солнечных элементов, устройств отображения информации, квантовой вычислительной техники, светодиодов, транзисторов и различных оптоэлектронных устройств. Основным затруднением в практическом применении данных объектов является сложность контроля динамики фотоиндуцированных носителей заряда и эмиссионных свойств, которые в основном зависят от размера, формы и природы полупроводниковых наночастиц. С целью улучшения свойств полупроводниковых материалов получают многослойные полупроводниковые КТ со строением «ядро/оболочка», покрывая КТ оболочкой из полупроводникового материала с большей шириной запрещенной зоны. Получаемые при этом наночастицы отличаются лучшей эффективностью излучения по сравнению с отдельными частицами. Применение оболочки позволяет уменьшить деформацию КТ, сохранить первоначальные размер и форму ядра, изменить реактивность и термическую стабильность, модифицировать поверхность, улучшить функциональность, эффективность излучения, диспергируемость и т.д. В итоге частицы по своим свойствам отличаются от свойств материалов, из которых состоят.

Применение теоретических методов химии позволяет подобрать оптимальные компоненты для функциональных материалов и заранее оценить их преимущества и недостатки, прогнозировать соединения с улучшенными свойствами до проведения их синтеза. Несмотря на большое разнообразие квантово-

96

химических методов моделирования, в литературе не представлен единый подход к изучению материалов с полупроводниковыми КТ.

В данной работе представлены результаты по моделированию строения и физико-химических свойств КТ «ядро/оболочка» с ядром из полупроводникового CdSe, покрытого оболочкой из CdS, и КТ CdS c оболочкой из ZnS, имеющих гексагональную структуру вюрцита. В качестве объектов моделирования были выбраны системы, имеющие следующие соотношения числа монослоев в ядре и оболочке КТ CdSe/CdS и CdS/ZnS: 3:7, 5:5, 7:3. Моделирование было проведено с помощью метода теории функционала плотности с функционалом PBE приближения обобщенных градиентов (GGA) c базисным набором плоских волн в рамках метода проекционных присоединений волн (PAW). Кинетическая энергия обрезания была выбрана равной 400 эВ. Для поверхности Ферми использовали приближение Methfessel-Paxton с шириной 0,1 эВ.

На первом этапе было проведено моделирование CdSe и CdS, в качестве критерия оценки точности проведенных расчетов было использовано значение ширины запрещенной зоны, экспериментальное значение которой составляет 1.75 эВ для CdSe и 2.50 эВ для CdS. Рассчитанное значение составило 1.673 эВ при параметрах ячейки a = b = 4.125 Å и с = 6.865 Å для CdSe. В случае CdS в ходе моделирования было получено значение ширины запрещенной зоны 2.478 эВ при параметрах ячейки a = b = 4.015 Å и с = 6.531 Å. Далее были составлены и изучены квантовые точки CdSe/CdS и CdS/ZnS с разным числом монослоев в ядре и оболочке (3:7, 5:5, 7:3). Проведена оптимизация их геометрии, осуществлено моделирование диаграмм распределения электронной плотности и рассчитаны значения ширины запрещенной зоны.

Оптимизированные геометрии поверхностей CdSe/CdS и CdS/ZnS незначительно отличаются от изначальной геометрии элементарных ячеек CdSe и CdS, из которых были построены, и сохраняют исходную гексагональную структуру. Это объясняется тем, что материалы ядра и оболочки КТ имеют одинаковое строение кристаллической решетки, что предотвращает образование дефектов на границе раздела, способствует росту и повышает стабильность КТ. К примеру, в поверхностном слое длина связи Cd-S (2.74 Å) на 0.08 Å меньше средней длины связи Cd-Se (2.66 Å) в объеме КТ и на еще меньшую величину (0.06 Å) отличается от длины связи Cd-Se (2.68 Å) в элементарной ячейке CdSe. Таким образом, оптимизация геометрии поверхности показала незначительное уменьшение длин связей между поверхностными атомами по сравнению с атомами в объеме КТ (не более 3%), что, однако, указывает на отклонение морфологии поверхности от внутренней структуры CdSe.

Рассчитанная ширина запрещенной зоны рассмотренной КТ CdSe/CdS составляет порядка 2.44 эВ, что соответствует экспериментальной величине 2.42 эВ. Ширина запрещенной зоны для гексагональной кристаллической решетки CdSe составляет 1.75 эВ, для CdS - 2.50 эВ. Применение оболочки из CdS и ZnS позволяет пассивировать поверхностные состояния, сохранить форму и размер

97

КТ, предотвратить допуск к поверхности окислителя и варьировать оптические свойства КТ.

Оболочка из CdS оказывает значительно большее влияние наположение зоны проводимости по сравнению с ZnS. В случае КТ CdSe/CdS локализация электронов может происходить как в ядре КТ, так и в оболочке, что приводит к их безызлучательному гашению при миграции электронов на поверхность КТ посредством дефектов поверхности. Применение оболочки из широкозонного полупроводникового материала ZnS (ширина запрещенной зоны 3.91 эВ) позволяет повысить эффективности люминесценции за счет пассивации поверхностных состояний, что приводит к локализации внутри ядра электрондырочной пары.

Таким образом, на основе данных квантово-химических расчетов выявлено влияние природы и толщины оболочки на свойства квантовых точек, эффективность их излучения и перспективность использования в оптоэлектронике. Полученные по результатам моделирования данные близки к экспериментальным. Квантово-химические расчеты были проведены с использованием суперкомпьютеров МВС-10П и МВС-100K «Межведомственного суперкомпьютерного центра РАН» и вычислительных ресурсов системы «Ломоносов» суперкомпьютерного комплекса МГУ имени М. В. Ломоносова [1].

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, проект № 18-33-00062 мол_а.

Литература

1. Voevodin, Vl. V. Practice of «Lomonosov» Supercomputer / Vl. V. Voevodin, S. A. Zhumatiy, S. I. Sobolev, A. S. Antonov, P. A. Bryzgalov, D. A. Nikitenko, K. S. Stefanov, Vad. V. Voevodin // Open Systems J. – 2012. – № 7. – P. 36-39.

THEORETICAL SIMULATION OF THE STRUCTURE AND ELECTRONIC

PROPERTIES OF «CORE/SHELL» QUANTUM DOTS

К. А. Romanova, Yu. G. Galyametdinov

Kazan National Research Technological University

The methods of density functional theory were applied to the study of the structure and electronic properties of «core/shell» quantum dots with semiconductor core of cadmium selenide and cadmium sulfide with cadmium sulfide and zinc sulfide shell. The positions of valence and conduction bands, band gap energies were calculated for the quantum dots with different shells and various thicknesses.

Keywords: computational simulation, density functional theory, quantum dots, band gap.

98

УДК 621.311.17:621.313;621.311.4

РАСЧЕТ ТОКА, НАПРЯЖЕНИЯ, МОЩНОСТИ И ЧАСТОТЫ СЕТЕВОГО НАСОСА WILO BL 80/170-30/2 С ЧАСТОТНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ EMOTRON С ПОМОЩЬЮ ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА MACHINE EDITION

И. А. Семина, И. С. Кожмендина

Омский государственный технический университет semina_ia@mail.ru

Программный комплекс для вычисления тока, напряжения, мощности, частоты сетевого насоса Wilo BL 80/170-30/2 с использованием частотного преобразователя Emotron» позволяет повысить эффективность процесса исследования и расчета параметров регулируемых электроприводов: сократить средства и время для снятия опытных характеристик, вести наблюдения в широком диапазоне параметров двигателя при различных видах настройки системы управления.

Ключевые слова: частотный преобразователь, электрические машины, системы автоматического управления, энергоэффективность, энергосбережение.

Внастоящее время для моделирования и расчета параметров частотно управляемого электропривода широко применяется программный комплекс Machine Edition 7.0. Данная программа позволяет разрабатывать приложения автоматизации в единой среде. Инструментальные средства Machine Edition 7.0 полностью интегрированы со средой и взаимодействуют друг с другом [1].

Вкотельной «Импульс» (рис. 1) предусмотрены три мощных по 30 кВт сетевых насоса Wilo BL 80/170-30/2, работающие на один общий коллектор. Два

Рис. 1. Структурная схема котельной

99

Источник: https://studfile.net/preview/16568950/