Материал: МЭИ(ТУ) Физика

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Пока энергия фотона ≠ ∆εщели, поглощения излучения не происходит. Если же = ∆εщели, происходит интенсивное поглощение излучения, при этом ток приёмника падает до нуля. Зная частоту излучения ν, можно найти ∆εщели. Из опыта ширина щели

∆εщели ≈ (10-3 ÷ 10-2) эВ.

Ток приёмника

ν

= ∆εщели

Какова же природа этой щели? Согласно Л. Куперу, свободные электроны, двигаясь сквозь решётку и взаимодействую с ионами, слегка оттягивают последние из положения равновесия, создавая вокруг себя положительную «шубу». Поэтому в кристалле помимо кулоновского отталкивания электронов может возникнуть притяжение, обусловленное наличием ионов кристаллической решётки. На определённом расстоянии (много большем периода решётки) эта сила притяжения может быть больше силы отталкивания. В результате образуется пара связанных электронов, называемая куперовской парой. При образовании такой пары энергия электронов уменьшается (действительно, чтобы разорвать эту пару, придётся совершить работу) и в результате электроны, имевшие энергию Ферми, будут иметь энергию меньше, чем εF. Это и приводит к появлению энергетической щели. Куперовскую пару составляют электроны, имеющие противоположные импульсы (они как бы вальсируют) и противоположные спины!

Итак, взаимодействие электронов между собой через кристаллическую решётку приводит к появлению куперовских пар. Энергия электронов, составляющих пару, уменьшается, вследствие этого образуется щель вблизи уровня Ферми. В эту «игру» вступают только электроны, лежащие вблизи уровня Ферми (это 1/104 всех электронов)

и имеющие противоположные спины. Диаметр пары (10-6 ÷ 10-7) м, тогда как период решётки около 10-10 м.

Так как электроны, входящие в состав куперовской пары, имеют противоположные спины, то сама пара является бозоном – её спин s = 0. На бозоны не распространяется запрет Паули. Следовательно, куперовские пары как бозоны могут находиться в одном квантовом состоянии (в одной фазовой ячейке может находиться любое число изобразительных точек), образуя связанный коллектив – бозонную жидкость. Если, действуя электрическим полем, мы заставим эту сверхтекучую жидкость двигаться (а это так и есть), то такое состояние будет сохраняться сколь угодно долго, так как, если происходит разрыв пары, то электрон с одной стороны не может преодолеть щель, а с другой

стороны нет вакантного места на энергетических полках, которое он мог бы занять. В результате он вынужден искать себе нового партнёра для образования пары и целостность системы восстанавливается.

Сверхпроводимость может быть нарушена при T > Tкр, когда электроны из разрушенных пар могут преодолеть энергетическую щель и перейти на свободные уровни выше неё. Критическая температура связана с шириной щели соотношением

∆εщели = 3,5kTкр .

§ 7. Зонная теория проводимости твёрдых тел

Зонная теория проводимости является следующим этапом в развитии теории свободных электронов.

Теория свободных электронов пренебрегает взаимодействием электронов с узлами кристаллической решётки. Поэтому энергия электронов меняется квазинепрерывно. Эта теория объясняет многие явления, но бессильна ответить даже на такой вопрос, как природа различия между проводниками или изоляторами.

В действительности валентные электроны в кристалле движутся не вполне свободно – на них действует периодическое поле решётки. Это приводит к тому, что спектр возможных значений энергии электронов деформируется – образуются зоны разрешён-

ных и запрещённых значений энергии.

Теория свободных электронов

Зонная теория

Не учитывает влияние узлов кристалличе-

Учитывает влияние узлов кристаллической

ской решётки

решётки. Электроны находятся в периоди-

ческом поле этой решётки.

Потенци-

Потенци-

εF

альная яма

альная яма

I. Расщепление энергетических уровней валентных электронов при формировании кристаллической решётки

Рассмотрим изолированный атом лития и кристаллическую решётку лития.

Изолированный

Атомы в узлах кристаллической решётки

Энергия электронов

атом лития

1 Å

ядро

2s

Разрешённая

2s

2s

2s

2s

зона (зона

проводимости)

.

Запрещённая

Потенц барьер

зона

1s

1s

1s

1s

1s

Разрешённая

зона

При образовании кристаллической решётки между электронами (не только валентными) и узлами решётки имеет место взаимодействие, так как высота и ширина потенциального барьера уменьшается. Кроме того, сказывается влияние туннельного эффекта. В результате валентные электроны (уровень 2s) получают возможность практически беспрепятственно переходить от одного атома к другому. Вследствие резкого уменьшения толщины и высоты потенциального барьера свободу перемещения (благодаря туннельному эффекту) получают и электроны с других уровней атома. Образуется единая квантовомеханическая система, в которой энергетические уровни чуть сдвигаются друг относительно друга (в противном случае нарушается принцип Паули – в одном состоянии окажутся N электронов, N – число атомов). В итоге образуются энергетиче-

ские зоны – каждый уровень расщепляется на N поду-

ровней.

2s

N

-

скиезоны

гий: уровню 1s – зона 1s, уровню 2s – зона 2s и т. д. Зоны

1s

N

Энергетиче

Каждому энергетическому уровню изолированного

атома в кристалле соответствует зона разрешённых энер-

εg

разрешённых энергий разделены областями запрещён-

ных энергий εg. (В квантовой механике эта задача решается в общем виде с помощью функций Блоха.) На внутренних оболочках взаимное влияние атомов меньше, поэтому по мере приближения к ядру расщепление уровней даёт всё более и более узкие зоны.

Ширина запрещённых и разрешённых зон порядка нескольких электрон-вольт. Так как в 1 м3 вещества порядка N ~ 1028 электронов, то расстояние между уровнями внутри разрешённой зоны порядка 10-28 эВ.

II. Заполняемость зон. Влияние внешнего воздействия на электроны

Нижние зоны заполняются полностью. Валентная зона либо заполняется полностью, либо частично (зона проводимости).

Влияние внешнего воздействия

а) Валентная зона заполнена полностью.

Если на электрон действует сила, то с классической точки зрения он меняет направление и модуль скорости. Однако с квантовой точки зрения это может не произойти, так как изменение состояния электрона означает переход на другой энергетический уровень. Это возможно, если этот уровень свободен. Но таких уровней нет – валентная зона заполнена полностью.

εg ~ 2 эВ

Пусть образец находится в электрическом поле. Энергия, которую может получить электрон на средней длине транспортного пробега L, достигает значения порядка

Зона

10-4 ÷ 10-8 эВ. Её не хватит для переброски электрона в

проводимости

зону проводимости. Ток не пойдёт. Энергия теплового

5 эВ

движения порядка 10-2 эВ. Она тоже мала для перехода

Валентная

в свободную зону проводимости.

зона

б) Частично заполненная валентная зона

В этом случае электрическое поле может перевести элек-

10-28 эВ

троны

на

свободные

энергетические

уровни

(10-8 эВ >> 10-28 эВ). Следовательно, в таком образце мож-

но создать электрический ток.

в) Межзонные переходы

При обычных разностях потенциалов энергия, приобретённая электроном на длине свободного пробе-

га, не достаточна для переброса через запрещённую

зону шириной εg. Однако, если образец облучить светом, так чтобы > εg, то зона проводимости на время облучения заполняется электронами. Теперь

с помощью электрического поля можно создать ток.

III. Деление твёрдых тел на проводники, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории

С классической точки чем больше электронов в атоме, тем больше проводимость. Однако с квантовой точки зрения это совсем не так. Проводимость определяется степенью заполнения верхней зоны и шириной запрещённых энергетических зон.

Проводники

Диэлектрики

Полупроводники

Зона прово-

Зона прово-

димости

димости

εg ≈ 5 эВ

εg ≈ (1 ÷ 3) эВ

Валентная

Зона прово-

Валентная

зона

димости

зона

а) Проводники

Есть два варианта – либо зона проводимости частично заполнена, либо она пуста, но перекрывается с валентной зоной, т.

ε

е. εg = 0.

2s

Зона

Первый вариант реализуется у элемен-

F

проводимости

ε

тов I группы таблицы Менделеева. На-

Li

пример, у лития два электрона на ниж-

1s

нем уровне 1s и один на верхнем уров-

ε

не 2s. В результате валентная зона (зона

f

1

проводимости) заполнена наполовину.

Есть вакантные места выше уровня

ε

Ферми. Можно создать электриче-

Зона

ский ток.

2p

проводимости

F

У бериллия (II группа таблицы Мен-

ε

2s

Валентная

делеева) реализуется другой вариант.

Здесь зона проводимости 2p пуста, но

зона

она перекрывается с полностью за-

Be

полненной валентной зоной 2s. В ре-

зультате электроны под действием

1s

электрического поля могут свободно

переходить на вакантные места выше

ε

уровня Ферми. Можно создать элек-

f

1

трический ток.

Зонная теория объясняет также, почему трёхвалентный алюминий проводит хуже, чем одновалентная медь. Электропроводность зависит не от числа свободных электронов, а от соотношения между числом этих электронов в зоне проводимости и числом

вакантных мест.

Cu

Al

Не все электроны могут создавать ток, так

Зона

как мало вакантных мест.

проводимости

Источник: https://files.student-it.ru/previewfile/285662

Смотрите также: