Материал: МЭИ(ТУ) Физика

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

тью, можно считать плоскорадиальным (силовые линии лежат в плоскостях, перпенди- кулярных заряженной нити, и направлены по радиусу). Рассмотрим сечение нитей пер- пендикулярной плоскостью (рис. 53). В любой точке, не лежащей в плоскости обеих

Рис. 53.

нитей, векторы напряженности полей первой и второй нитей расположены под углом друг к другу. Следовательно, результирующее поле E = E1 + E2, и оно не может быть равно нулю. Векторы E1 и E2 коллинеарны и притом направлены в разные стороны только в точках, лежащих в плоскости нитей между ними. Все точки прямой, располо- женной параллельно нитям, будут находиться в равных условиях.

Решение. Рассмотрим поле в точке C:

EC = E1 + E2 .

(1)

Как видно из рис. 53, векторы E1 и E2 направлены в разные стороны. Следовательно, равенство (1) можно заменить скалярным выражением

EC = E1 - E2 .

(2)

Напряженности E1 и E2 соответственно равны:

E =

τ1

,

ü

2πε0 x

ï

1

ï

(3)

τ2

ý

E2 =

ï

.

ï

2πε0 (a - x) þ

Здесь x – расстояние от первой нити до точки C. Согласно условию задачи EC = 0, по-

этому

1

æ

τ

τ

2

ö

ç

1 -

÷ = 0 .

(4)

2πε0 è

x

a - x ø

Отсюда

τ

(a - x)-τ

2

x

= 0 .

(5)

1

x(a - x)

Так как заведомо x ≠ a и x ≠ 0, то выражение (5) дает результат:

τ1a = x(τ1 +τ2 ),

откуда

x =

τ1a

0,07 м .

τ1 +τ2

Напряженность поля обращается в нуль в точках прямой, лежащей в одной плоскости с заряженными нитями параллельно им и расположенной на расстоянии x = 0,07 м от первой нити.

Задача 6

Три плоскопараллельные тонкие пластины, расположенные на малом расстоянии друг от друга, равномерно заряжены. Поверхностные плотности зарядов пластин

σ1 = 3×10−8 Клм2 ; σ2 = -5 ×10−8 Клм2 ; σ3 = 8×10−8 Клм2 .

Найти напряженности поля в точках, лежащих между пластинами и с внешней сторо- ны. Построить график зависимости напряженности поля от расстояния, выбрав за нача- ло отсчета положение первой пластины.

Анализ. Согласно принципу суперпозиции поле в любой рассматриваемой точке будет создаваться всеми тремя заряженными пластинами:

3

E = åEi ,

(1)

1

где Ei – вектор напряженности поля, созданного одной пластиной.

Следовательно, прежде всего надо найти поле, создаваемое одной равномерно за- ряженной пластиной1. Рассмотрим большую плоскость, равномерно заряженную с по- верхностной плотностью σ. Из соображений симметрии можно предположить, что в точках, достаточно близких к плоскости, силовые линии поля направлены перпендикулярно самой плос- кости (рис. 54). Тогда, если напряженность поля вычислять с помощью теоремы Гаусса, вспомогательную поверхность надо выбрать так, чтобы она содержала две плоскости, параллель-

Рис. 54. ные заряженной, например цилиндр, ось которого располагает- ся параллельно силовым линиям поля, а основания симметрич- ны относительно заряженной плоскости и одно из них проходит через точку K, в кото-

рой определяется поле. При таком выборе вспомогательной поверхности угол (E, dS)

будет равен нулю во всех точках оснований цилиндра и π2 во всех точках боковой по-

верхности.

1 Если формула поля заряженной плоскости известна студентам, то данный вывод можно опустить.

Разобьем интеграл по вспомогательной гауссовой поверхности на интегралы по бо- ковой поверхности цилиндра (Sбок) и по основаниям (SI и SII):

òEdS = òEdS + òEdS + òEdS .

S Sбок SI SII

Первый интеграл обращается в нуль, так как на боковой поверхности E dS, скалярное произведение EdS = EdS cos(E, dS), поэтому E, dS ≡ 0. Знак тождества показывает, что это равенство справедливо в любой точке боковой поверхности. На основаниях цилин- дра векторы E и dS коллинеарны, поэтому EdS = EdS. Следовательно,

òEdS = òEdS + òEdS .

(2)

S

SI

SII

Надо обязательно оговорить, что эти

преобразования справедливы, если основания ци-

линдра много меньше заряженной плоскости, в противном случае будет неверным на-

ше первоначальное предположение о направлении силовых линий.

Малость основания по сравнению с размерами заря-

женной плоскости позволяет предположить, что во всех

точках каждого основания напряженность будет одинако-

Рис. 55.

вой. Симметричное расположение оснований относительно

заряженной плоскости позволяет считать, что напряженно-

сти поля на поверхностях SI и SII по модулю одинаковы E1 = E2 = E, поэтому выражение

(2) можно преобразовать следующим образом:

òEdS + òEdS = E1SI + E2SII = 2ESосн .

(3)

SI

SII

Здесь Sосн – площадь каждого основания вспомогательного цилиндра, E – напряжен- ность поля в точках оснований.

Согласно теореме Гаусса запишем

òEdS =

1

åQ ,

(4)

S

ε0

где åQ – алгебраическая сумма зарядов, охватываемых поверхностью интегрирова-

ния.

В рассматриваемом случае поверхность интегрирования вырезает из заряженной плоскости площадку, равную основанию вспомогательной цилиндрической поверхно- сти, поэтому

åQ = σSосн .

(5)

Подставляя в формулу (4) полученные выражения для потока и зарядов, получаем

E =

σ

.

(6)

2ε0

Выражение (6) определяет поле большой равномерно заряженной плоскости.

В условиях задачи оговорено, что пластины находятся на малом расстоянии друг от друга, поэтому можно считать, что в точках A, B, C, D (рис. 55) каждая из пластин соз- дает поле, определяемое формулой (6).

Решение. Учитывая направления полей и выбирая направление направо за поло- жительное, находим

EA =

1

(-

σ1

+

σ 2

-

σ3

)= - 3×10−8

= -3,4 ×103 В м ;

2ε0

1

ε0

EB

=

(

σ1

+

σ2

-

σ3

)= 0 ;

0

E =

1

(

σ

1

-

σ

2

-

σ

3

)

= - 5

×10−8

= -5,6 ×103 В м ;

C

ε0

0

ED

=

1

(

σ1

-

σ2

+

σ3

)= 3

×10−8

= 3,4 ×103 В м .

0

ε0

Поверхностные плотности σi зарядов берутся везде по абсолютной величине, так как знак заряда уже учитывается направлением поля.

Построим график зависимости напряженности E от расстояния x, отсчитываемого от первой пластины (рис. 56).

При анализе графика надо обратить внимание сту- дентов, что на каждой заряженной поверхности вектор напряженности обязательно терпит разрыв, причем можно показать, что величина скачка напряженности

Рис. 56.

DE

=

σ .

ε0

Надо также указать на то, что при удалении от пластин график начнет менять свой ха- рактер – однородность поля, создаваемого равномерно заряженной плоскостью, имеет место только для точек, расстояния до которых от плоскости малы по сравнению с ее собственными размерами. Это следует подчеркивать неоднократно, чтобы студенты

Рис. 57.

четко усвоили относительность таких понятий, как бесконечно большая плоскость, бесконечно длинная нить и т. п.

Задача 7

В вакууме образовалось скопление зарядов в форме тонкого длинного цилиндра радиуса R0 с постоянной объемной плотностью ρ. Найти напряженности поля в точках, лежащих внутри и вне цилиндра.

Анализ. Согласно условию задачи длина цилиндра много больше его радиуса. Это позволяет предположить, что в средней части цилиндра силовые линии располагаются радиально и поле обладает плоскорадиальной симметрией. Для того чтобы найти напряженность поля с помощью теоремы Гаусса, вспомогательной поверхности надо придать форму цилиндриче- ской поверхности, коаксиальной с заряженным цилиндром. Точка, в которой определяется поле, должна лежать на боковой поверх- ности цилиндра; длина вспомогательной цилиндрической поверх- ности может быть произвольной, но заведомо много меньше, чем длина заряженного цилиндра, в противном случае предположение

о плоскорадиальной структуре поля будет несправедливо. Решение. Рассмотрим точки, лежащие вне заряженного цилиндра: r ≥ R0. Вспомо-

гательную поверхность SB проводим в виде цилиндра радиуса rB и высотой h (рис. 57).

На основании теоремы Гаусса запишем

òEdS =

1

åQ .

(1)

SB

ε0

Внутри поверхности интегрирования находится заряд, вырезаемый поверхностью SB из заряженного цилиндра. Так как объемная плотность заряда постоянна, то

åQ = ρπR02h .

(2)

Боковая поверхность вспомогательного цилиндра и торцы находятся заведомо в разных условиях относительно заряда; следовательно, потоки вектора напряженности через боковую поверхность и через торцы надо рассматривать отдельно.

Поэтому интеграл, стоящий в равенстве (1), следует разбить на три интеграла: по

боковой поверхности Sбок, по верхнему торцу SI и по нижнему торцу SII, т. е.

òEdS = òEdS + òEdS + òEdS .

(3)

SB

Sбок

SI

SII

Источник: https://files.student-it.ru/previewfile/285662

Смотрите также: