которое, как показано в [71], верно и при наличии магнитного поля в системе. Итак, матричный элемент Gmn матрицы кондактанса есть поток локального тензора проводимости между проводниками п и
m. Более того, матрица ˆ полностью определяется исключительно
G
поведением тензора σˆ (r , r′) вдали от области рассеяния, что и позволяет выразить ее в терминах S-матрицы системы. Уравнение непрерывности, которое в статическом случае имеет вид j(r ) = 0, немедленно приводит к закону Кирхгоффа:
∑ Im = 0. |
(П2.18) |
m |
|
Поскольку глобальный закон сохранения заряда (П 2.18) должен выполняться при любых Vn, приходим к правилу сумм:
∑Gmn = 0, |
(П2.19) |
|
m |
ˆ |
|
Последнее означает, что матрица кондактанса |
||
G полностью |
||
определяется своими недиагональными элементами, так как |
||
Gnn = −∑Gmn . |
(П 2.20) |
|
m≠n |
|
|
Выясним, наконец, как именно матричные элементы Gmn выражаются через матрицу рассеяния. Рассмотрим сначала самый простой случай идеального одноканального проводника, когда роль исходящих идеальных проводников 1 и 2 играют левая и правая асимптотические области образца. Согласно выводам гл. 1, ожидаемый результат для двухтерминального кондактанса такой сис-
темы имеет вид G21 = 2e2
h. Для того чтобы получить его из общих
соотношений (П2.14) и (П2.17), выберем в качестве базиса точных состояний рассеяния полную ортонормированную систему собственных функций одномерного идеального провода:
ψ |
k |
(x) = eikx |
2π. |
|
|
|
Здесь роль непрерывного индекса α выполняет одномерный
волновой вектор, α = k (–∞, +∞). |
Для матричных элементов опе- |
||||||||||||
ратора плотности тока найдем |
e |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
ˆ |
|
|
′ |
= − |
|
′ |
|
i(k +k′)x |
. |
(П2.21) |
|
|
|
|
|
||||||||||
k |
|
j (x) |
|
k |
|
4πm (k + k |
)e |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
151
Подставляя это выражение в (П 2.14.1), найдем для вещественной части тензора проводимости в пределе ω → 0:
Re σ(x, x′,ω → 0) = |
2e2 |
cos |
ω(x − x′) |
. |
(П2.22) |
h |
|
||||
|
|
υ |
|
||
|
|
|
F |
|
|
Мы учли, что в этом пределе ввиду двух дельта-функций в исходной формуле для Re{σˆ} вклад в интеграл дают только значения
β = k′ = ±(kF +ω
υF ) и α = k = ±kF .
Видно, что в статическом случае σ(x, x′) = 2e2
h и не зависит от
координат, как и должно быть в силу трансляционной инвариантности идеального провода бесконечной длины. Интегрирование по поперечным координатам в (П2.17) в одномерном случае отсутствует, а ex1 ex2 = −1, так что для двухтерминального кондактанса по-
лучим
G21 = σ(x → ∞, x′ → −∞) = |
2e2 |
, |
(П2.23) |
|
h |
||||
|
|
|
как и ожидалось. Этот простой пример показывает, что статическая локальная проводимость σ(x, x′) является хорошо определенной
величиной даже в случае, когда рассеяние в системе отсутствует вовсе. Более того, результат (П2.22) для ненулевых частот соответствует бесконечной макроскопической проводимости, определенной в соответствии с (П2.1.1):
∞ |
′ |
′ |
n e |
2 |
(П2.24) |
Re σ(ω) = ∫−∞ d (x − x |
)Re σ(x, x ,ω) = π |
m |
δ(ω), |
||
|
|
|
|
|
|
где учтено, что при d = 1 плотность электронов n и фермиевская скорость связаны формулой πn
m = 2υF
. Отсюда, используя соотношения Крамерса–Кронига, можно получить для мнимой части σ(ω): Imσ(ω) = ne2
mω, что соответствует свободному ускорению
всех электронов внешним полем.
Мы видим, что выражение (П2.22) описывает и конечный статический кондактанс идеального проводника, соединяющего два резервуара (см. (П2.23)), и идеальную проводимость (σ δ (ω) ) бесконечного образца.
152
Следуя [71], обратимся теперь к общему случаю мезоскопической системы с п = 1, ..., NL идеальными проводниками (на рис. П1 NL = 4), которые для простоты будут считаться идентичными вдали
от неупорядоченной области. Для произвольной энергии ε каналы проводимости a = 1, ..., N характеризуются значениями продольных проекций волнового вектора ka > 0, определяемых условием
ε = εa + 2ka2
2m,
где εα – дискретная энергия поперечного движения в a-м канале (общее количество открытых каналов в каждом из проводников определяется величиной энергии Ферми этого проводника).
|
Волновые функции электронов в идеальных проводниках сис- |
||||||
темы вдали от области рассеяния выбираются так: |
|
||||||
|
|
ψ(a±) (r ) = |
1 |
|
e±ikaxχa ( y), |
(П2.25) |
|
|
|
2π υa |
|||||
|
|
|
|
|
|
||
где |
υa – |
скорость |
продольного |
движения электрона, υa = |
|||
= |
ka m >0, |
χa ( y) |
– ортонормированные собственные функции |
||||
поперечного движения в α-м канале, |
|
|
|||||
|
|
|
∫dy χa ( y)χb ( y) = δa b . |
(П2.26) |
|||
|
Индексы (+/–) соответствует исходящим (+) |
и входящим (–) |
|||||
плоским волнам в идеальных проводниках; множитель (2π υa )−1
2 выбран из условия, чтобы все состояния ψ(a±) (r ) переносили равные потоки при любых α . Далее состояния ψ(a±) (r ) используются для того, чтобы по их асимптотическому поведению в проводнике
m определить точные состояния рассеяния ψa (r ) , |
характеризуе- |
мые набором квантовых чисел α = (ε,n,a) : |
|
ψα (x →∞m ) =δnmψ(a−) (rm ) +∑Smn,baψb(+) (rm ). |
(П2.27) |
b |
|
Состояние рассеяния ψεna (r ) описывает падающюю волну в
канале a проводника n, которая, рассеиваясь на потенциале неупорядоченной области, формирует исходящие волны во всех каналах всех проводников системы. В (П2.27) Smn,ba −безразмерная ампли-
153
туда рассеяния электрона из a-го канала n-го проводника в b-й канал m-го проводника.
Ввиду выбранной выше нормировки асимптот (П2.25) истинные состояния рассеяния также ортонормированы:
∫d d r ψα=εn1a (r )ψβ=ε′n2b = δ(ε−ε′)δn1n2 δab . |
(П2.28) |
Наконец, состояния рассеяния (П2.27) подставляются в выражение (П2.14.1) в качестве точных ортонормированных состояний системы в отсутствии внешнего поля. Тогда ввиду наличия уже упоминавшихся выше двух дельта-функций интегрирование в этом
выражении |
|
∫ |
d β(...) = |
∫ |
n a |
∫ |
n b |
|
∫ |
|
|
||||||
|
d α |
|
|
dε∑ |
dε′∑(...) |
(П 2.29) |
||
|
|
|
|
|
1 |
|
2 |
|
сводится к дискретной сумме по индексам проводников и каналов проводимости при ε = ε′ = εF. Соответственно, для коэффициентов матрицы кондактанса будем иметь:
Gnm |
= −h∑∑In(mb)In(na). |
(П2.30) |
||
|
n2b n1a |
2 |
1 |
|
|
|
|
|
|
Здесь |
|
|
|
|
Iαβ(n) = ∫C d y′ jαβ (r′) er′ |
(П2.31) |
|||
|
n |
|
|
|
– вклад состояний αβ в исходящий ток на единичный интервал энергии в n-м проводнике. Подставляя сюда асимптотики (П2.28)
состояний рассеяния ψα и учитывая свойство ортонормированности волновых функций поперечного движения, получим
In(na),n b = |
e |
|
δn nδn n δab − |
∑Snn ,caSnn ,cb . |
||||||
|
||||||||||
1 2 |
h |
1 1 2 |
|
|
c |
1 |
|
2 |
|
|
В частности, полагая здесь п1 = п2 = п и а = b, |
найдем: |
|||||||||
|
|
|
I (n) |
= |
e |
(1 |
− R |
), |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
na,na |
|
h |
|
na |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(П2.32)
(П2.33)
где Rna = ∑c |
|
Snn,ca |
|
2 − вероятность отражения падающей волны в |
|
|
а-м канале n-го проводника. Последняя формула допускает простую физическую интерпретацию: полный исходящий ток в n-м
154
проводнике, приходящийся на единичный интервал энергии, обусловленный падающей волной nа есть разность падающего тока и полного отраженного тока для этой моды (напомним, что заряд электрона есть e). Переобозначая индексы в (П2.32), получим
m |
|
e |
|
−∑Smn |
|
|
|
|||
In( |
b),n a |
= |
|
|
δn mδn n δba |
,cbSmn |
,ca . |
(П2.34) |
||
|
||||||||||
2 |
1 |
|
h |
2 2 1 |
c |
2 |
1 |
|
|
|
Чтобы убедиться в унитарности матрицы рассеяния, введенной формулой (П2.27), определим матрицы Snm размерности N×N для каждой пары проводников m и n их матричными элементами в подпространстве каналов:
|
(Smn )ba = Smn,ba |
|
|
(П2.35) |
|||||
Тогда полная S-матрица имеет размерность NL × NL : |
|
||||||||
|
S11 |
... |
S1N |
|
|
|
|
||
ˆ |
|
|
|
|
|
L |
|
, |
(П2.36) |
S |
= |
|
|
|
|
|
|
||
|
S |
NL 1 |
... |
S |
NL NL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
составленную из N×N субматриц Snm. Для идеального проводника, в частности,
Sid |
0 |
1 |
|
(П2.37) |
|
= |
1 |
0 |
. |
||
|
|
|
|
||
То обстоятельство, что даже в отсутствии рассеяния выражение (П2.37) отлично от единичной матрицы, обусловлен принятым в мезоскопике определением S-матрицы, когда на главной диагонали располагаются не амплитуды прохождения, как принято в стандартных учебниках квантовой механики, а амплитуды отражения. S-матрица, определенная согласно (П2.36), унитарна, т.е. удовле-
творяет условию |
|
|
|
ˆ ˆ† |
ˆ† ˆ |
=1, |
(П2.38) |
S S |
= S S |
что является следствием закона сохранения заряда, который можно записать в виде тождества ∑m Gmn = 0. Используя это выражение
и формулу (П2.32), получим
∑In(mb),n a = 0. |
(П2.39) |
||
m |
2 |
1 |
|
|
|
|
|
155