Материал: Экспериментальные методы исследований. Калинин Ю.Е

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

На рис. 11.3 качественно представлен типичный спектр электронов, испускаемых твердым телом под действием пучка высокоэнергетичных первичных электронов с энергией EP. На нем обычно наблюдаются сильный пик упругорассеянных электронов с максимумом около EP и низкоэнергетическая полоса вторичных электронов. Оже-электроны дают небольшие пики на кривой энергетического распределения N(E) на сильном фоне вторичных электронов. Выделение спектра Ожеэлектронов на этом фоне представляет собой весьма трудную экспериментальную задачу. Метод, в котором возбуждаемые электронным пучком Оже-электроны используются для идентификации компонентов на поверхности, был предложен в 1953 году Лэндером, однако широкое применение Ожеспектроскопии для химического анализа началось после 1968 года, когда Харрис предложил дифференцировать кривые энергетического распределения N(E) для подавления фона вторичных и неупругорассеянных Оже-электронов.

N(E) Пик вторичных

Рассеянные элек-

Оже-

0

Ep E,

Рис. 11.3. Типичный спектр вторичных, рассеянных и Оже-электронов

491

На рис. 11.4 в качестве примера приведен Оже-спектр серебра в интегральной и дифференциальной форме.

Рассмотрим подробнее связь энергетического положения Оже-линии в спектре с энергетическим спектром атомов вещества. Пусть первичная вакансия образовалась в К-оболоч- ке атома, соответствующий уровень имеет энергию Ек (рис.11.2), и она заполняется электроном из L-оболочки, имеющим энергию ЕL1, а разность энергии ЕL1 Ек передается электрону с уровня L2. Энергия Оже-электрона будет

Em EK EL1 EL2 A ,

(11.1)

где φА – работа выхода анализирующего электрода спектрометра. Рассмотренный Оже-переход идентифицируется как переход КL1L2. Возможен целый ряд подобных переходов (KL1L1, KL1L2, M2M4M4, …) с разными вероятностями. Характерной особенностью метода Оже-спектроскопии является то, что энергия Оже-электронов не зависит от энергии электронов возбуждающего пучка, а определяется исключительно разницей энергий электронных уровней атомов элемента и, в некоторой степени, его химическим окружением.

В отличие от ЭОС, в методе рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) спектральное положение характеристических пиков фотоэлектронов зависит от энергии возбуждающего рентгеновского кванта h и энергии уровня (например Ek), с которого выбит фотоэлектрон:

Em h Ek A .

(11.2)

492

 

60000

 

 

 

arb.units

50000

 

 

 

40000

а

 

 

 

 

 

30000

 

 

 

 

 

 

 

N(E)

20000

 

 

 

10000

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

340

350

360

E, eV

 

30000

 

 

 

units

20000

 

 

 

10000

б

 

 

 

 

 

arb.

0

 

 

 

 

 

 

 

dN/dE,

-10000

 

 

 

-20000

 

 

 

-30000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

340

350

360

E, eV

Рис. 11.4. Оже-спектр Ag:

а - интегральный N(E); б – дифференцированный dN/dE

Поскольку для Оже-процесса нужны, по крайней мере, два энергетических уровня и три электрона, в отдельных атомах Н и Не Оже-электроны возникать не могут. Точно так же не могут быть источниками Оже-электронов изолированные атомы Li, имеющие на внешней оболочке один электрон. Все остальные элементы могут быть идентифицированы методом

493

ЭОС. Наиболее вероятные Оже-переходы, наблюдаемые в электронной Оже-спектроскопии, представлены на рис. 11.5. Это переходы электронов между соседними орбиталями, т.е. серии KLL, LMM, MNN, NOO и OOO. Хотя, как говорилось выше, Оже-эффект в изолированных атомах Li невозможен, в твердом теле валентные электроны обобщены, а потому возможны переходы типа KVV с участием валентных электронов. Это позволяет определять литий методом ЭОС в различных соединениях.

Как упоминалось выше, заполнение вакансии на внутренних оболочках может происходить как с эмиссией Ожеэлектрона, так и с излучением рентгеновского кванта (рис. 11.6). Вероятность релаксации в результате Оже-эмиссии превышает вероятность испускания рентгеновского кванта для относительно неглубоких уровней с энергией не превышающей2 эВ. Это утверждение справедливо для всех атомных уров-

ней – K, L, M, N и т.д.

Метод ЭОС, как и другие методы электронной спектроскопии, позволяет получать информацию только о составе приповерхностных слоев образца. Причиной этого является малая средняя длина свободного пробега электронов с энергией, типичной для Оже-электронов (50 – 2000 эВ) вследствие их интенсивного неупругого рассеяния в твердом теле. Оже-электроны, отдавшие энергию на возбуждение плазменных колебаний, на возбуждение внутренних оболочек или на межзонные переходы, исключаются из наблюдаемых характеристических Оже-пиков и становятся частью почти однородного фона вторичных электронов, на который накладываются Оже-пики.

494

Рис. 11.5. Наиболее четко выраженные Оже-переходы, наблюдаемые в ЭОС. Точки, имеющие более интенсивную черную окраску, представляют собой наиболее вероятные Ожепереходы

495

Источник: https://studfile.net/preview/16569699/