Материал: Диагностика наноматериалов и наноструктур. Акулинин С.А., Проскурина И.С

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Таблица 1 Основные методы спектроскопии, используемые

для диагностики состава поверхностных слоев

Носители

 

Средства возбуждения

информации

Фотоны

Электроны

Ионы

 

РФС (рентге-

РЭС (рентге-

ИРС (ионно-

 

новская флуо-

 

новская эмис-

рентге-

Фотоны

ресцентная

сионная спек-

новская спек-

 

спектроско-

 

троскопия)

троскопия)

 

пия)

 

 

 

 

 

 

 

РФЭС

(рент-

 

 

 

 

геновская фо-

 

 

 

 

тоэлектронная

 

 

 

 

спектроско-

ЭОС

(элек-

ИОС (ионная

Электроны

пия)

 

тронная Оже-

Оже-

УФЭС (ульт-

спектроско-

спектроско-

 

 

рафиолетовая

пия)

 

пия)

 

фотоэлек-

 

 

 

 

тронная спек-

 

 

 

 

троскопия)

 

 

 

 

ЛМС

(лазер-

ИМС (искро-

ВИМС (вто-

Ионы

ная

масс-

вая

масс-

рично-ионная

спектромет-

спектромет-

масс-спектро-

 

 

рия)

 

рия)

 

метрия)

Образовавшаяся за счет неупругого столкновения вакансия на оболочке атома через короткое время ( ~ 10-16 с) заполняется электроном одного из вышележащих уровней. Избыток энергии может пойти на испускание рентгеновского кванта или передан третьему электрону, который может быть испущен атомом.

21

Первичный пучок

Оже-электроны (II)

электронов

 

 

 

 

 

Вакуум

 

 

 

V

 

 

 

Рассеянные

электроны L2,3

L1

h (I)

K

Рис. 2.1. Схема процесса возбуждения электронов, приводящего к образованию характеристического рентгеновского излучения (I) или Оже-электронов (II)

Кинетическая энергия этого электрона зависит от разности потенциальных энергий начального (уровень K), промежуточного (L1) и конечного состояния (L2), поэтому спектр энергии таких электронов будет характеристичен для атомов каждого химического элемента.

Процесс заполнения вакансии за счет электронных переходов между внутренними оболочками атома с передачей избытка энергии третьему электрону называется эффектом Оже, а эти электроны – Оже-электронами. Таким образом, в основе метода ЭОС лежат такие процессы, как ионизация внутренних атомных уровней первичным электронным пучком, безызлучательный Оже-переход и выход Оже-электрона в вакуум, где он регистрируется при помощи электронного спектрометра.

Точно также, как и при возбуждении электронным пучком, Оже-электроны могут испускаться и в том случае, когда вакансия на внутренней электронной оболочке атома создается под действием ускоренных ионов или за счет поглощения рентгеновского кванта с испусканием фотоэлектрона. Со-

22

ответствующий метод называется Оже-спектроскопией с ионным или рентгеновским возбуждением. Эффект Оже был открыт в 1925 году Пьером Оже (P.Auger), работавшим с рентгеновскими лучами.

На рис.2.2 качественно представлен типичный спектр электронов, испускаемых твердым телом под действием пучка высокоэнергетичных первичных электронов с энергией EP. На нем обычно наблюдаются сильный пик упругорассеянных электронов с максимумом около EP и низкоэнергетическая полоса вторичных электронов. Оже-электроны дают небольшие пики на кривой энергетического распределения N(E) на сильном фоне вторичных электронов. Выделение спектра Оже-электронов на этом фоне представляет собой весьма трудную экспериментальную задачу. Метод, в котором возбуждаемые электронным пучком Оже-электроны используются для идентификации компонентов на поверхности, был предложен в 1953 году Лэндером, однако широкое применение Оже-спектроскопии для химического анализа началось после 1968 года, когда Харрис предложил дифференцировать кривые энергетического распределения N(E) для подавления фона вторичных и неупругорассеянных Оже-электронов. На рис.3.3 в качестве примера приведен Оже-спектр серебра в интегральной и дифференциальной форме.

23

N(E) Пик вторичных электронов

Рассеянные

электроны

Оже-электроны

0

Ep

E, keV

Рис. 2.2. Типичный спектр вторичных, рассеянных и Оже-электронов

 

60000

 

 

30000

 

 

 

 

 

 

 

50000

 

 

 

 

 

 

 

 

20000

 

arb.unitsN(E)

40000

 

unitsarb.

 

 

20000

 

10000

 

 

30000

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

10000

 

dN/dE,

-10000

 

 

0

 

 

-20000

 

 

340

350

 

 

 

 

E, eV

 

 

 

 

 

 

 

-30000

 

 

 

 

 

340

350

E, eV

а – интегральный N(E); б – дифференцированный dN/dE.

Рис. 2.3. Оже-спектр Ag

Рассмотрим подробнее связь энергетического положения Оже-линии в спектре с энергетическим спектром атомов вещества. Пусть первичная вакансия образовалась в К- оболочке атома, соответствующий уровень имеет энергию Ек (рис. 2.1), и она заполняется электроном из L-оболочки,

24

имеющим энергию ЕL1, а разность энергии ЕL1 Ек передается электрону с уровня L2. Энергия Оже-электрона будет

Em EK EL1 EL2 A ,

(2.1)

где φА – работа выхода анализирующего электрода спектрометра. Рассмотренный Оже-переход идентифицируется как переход КL1L2. Возможен целый ряд подобных переходов (KL1L1, KL1L2, M2M4M4, …) с разными вероятностями. Характерной особенностью метода Оже-спектроскопии является то, что энергия Оже-электронов не зависит от энергии электронов возбуждающего пучка, а определяется исключительно разницей энергий электронных уровней атомов элемента и, в некоторой степени, его химическим окружением.

В отличие от ЭОС, в методе рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) спектральное положение характеристических пиков фотоэлектронов зависит от энергии возбуждающего рентгеновского кванта hи энергии уровня (например Ek), с которого выбит фотоэлектрон:

Em h Ek A .

(2.2)

Поскольку для Оже-процесса нужны, по крайней мере, два энергетических уровня и три электрона, в отдельных атомах Н и Не Оже-электроны возникать не могут. Точно так же не могут быть источниками Оже-электронов изолированные атомы Li, имеющие на внешней оболочке один электрон. Все остальные элементы могут быть идентифицированы методом ЭОС. Наиболее вероятные Оже-переходы, наблюдаемые в электронной Оже-спектроскопии, представлены на рис. 2.4.

25

Источник: https://studfile.net/preview/16565912/