Материал: 1549

Рисунок 2.2 – Частотная характеристика полевого транзистора

2.4 Расшифровка исходных данных

Примеры компактно заданных исходных данных, которые должен содержать бланк задания (Приложение 2):

Cх 15 – четырехполюсник из таблицы 2.1 с заданными нормированными параметрами; в последнем столбце таблицы пояснены смысловые значения особых частот схем.

Cх 42 – двухполюсник из таблицы 2.2, параметры которого рассчитываются по выражениям (2.1)

ТБ, ТП – соответственно биполярный и полевой транзисторы, параметры которых заданы в таблицах 2.3 и 2.4.

Указание: все транзисторы работают в линейном режиме (рисунок 2.3), то есть крутизна S проходной характеристики транзистора не зависит от значения UmВХ.

16

t I00 – ток покоя

Рисунок 2.3 – Проходная характеристика транзистора

Эквивалентные модели транзисторов М1, М2, М3 и М4 приведены на

Все модели содержат зависимые источники:

вмоделях М1 и М2 источник JK, управляемый напряжением UЭ (обратите внимание на направления JK и UЭ в биполярных транзисторах типа p-n-p и n-p-n);

вмоделях М3 и М4 источник JC, управляемый напряжением UЗ на емкости CЗИ полевых транзисторов.

Способ включения ОЭ, ОБ, ОИ указывает, какой из выводов транзистора

является общим для UВХ и UВЫХ при передаче напряжения от источника к нагрузке: ОЭ – общий эмиттер, входной сигнал подается между базой и эмиттером,

нагрузка подключается между коллектором и эмиттером; ОБ – общая база, входной сигнал подается между эмиттером и базой,

нагрузка подключается между коллектором и базой; ОИ – общий исток, входной сигнал подается между затвором и истоком,

нагрузка подключается между стоком и истоком.

Общий вывод принять за опорный, то есть заземлить.

17

М1 – модель биполярного транзистора, тип p-n-p;

М2 – упрощенная модель биполярного транзистора, тип n-p-n; М3 и М4 – модели полевых транзисторов.

Рисунок 2.4 – Эквивалентные схемы замещения транзисторов по переменному току в режиме малого сигнала

Частотные свойства управляемых источников транзисторов представлены зависимостями (f ) и (f ) на рисунке 2.1 и зависимостью

S(f ) на рисунке 2.2, из которых очевиден смысл граничных частот транзисторов f в схеме с ОЭ, f в схеме с ОБ и fS в схеме с ОИ. При этом

следует иметь в виду, что в моделях М1 при включении с ОЭ и в моделях М3 и М4 полевых транзисторов сигнал поступает в нагрузку не только через

зависимые источники JK и JC, но и через емкости СK2 , СK1, СЗС , ССИ , то есть эти схемы являются фазонеминимальными, что особенно важно на очень

высоких частотах ( ) , когда с источниками JK и JC можно не считаться

(JK 0, JС 0), так как их управляющие напряжения UЭ 0 и UЗ 0 (см. рисунок 2.4). Это утверждение полностью соответствует частотным зависимостям (f ) , (f ) и S(f ) .

Замечание: строго говоря, эквивалентные модели транзисторов и нагрузки должны изменяться при значительном изменении частотного диапазона; мы же пытаемся исследовать частотные

18

характеристики во всем частотном диапазоне по «застывшим» моделям; этот факт следует иметь в виду, однако, работа по «застывшим» эквивалентным схемам не мешает реализации цели и задач, поставленных в нашей курсовой работе, тем более, что результирующие частотные характеристики должны быть построены в относительно узком частотном диапазоне.

Структурная схема исследуемой цепи представлена на рисунке 2.5. В зависимости от задания на курсовую работу для полной цепи определяется либо KТ, либо K, смысл которых пояснен на рисунке 2.5. Очевидно, если в качестве нагрузки служит двухполюсник, то речь может идти только о функции KТ, а если в качестве нагрузки используется четырехполюсник, то может быть задана как функция KТ (UВЫХ = UТ), так и K (UВЫХ = UН).

где fГР - граничная частота транзистора.

Таким образом, ЧХ надо построить для интервала частот 0 m ax или0 Hm ax 0 , а в нормированных значениях для интервала от нуля до нmax.

Параметр н, входящий в шифр задания, определяет нормированную частоту, на которой вычисляются значения частотных характеристик по карте нулей и полюсов и выражениям АЧХ и ФЧХ согласно заданию (Приложение 2).

Указание: так как часть исходных данных задаются в виде шифра, то в пояснительной записке следом за бланком задания необходимо поместить лист с расшифрованными исходными данными: полная модель цепи, подлежащая исследованию, тип и параметры транзистора, параметры элементов нагрузки и особые частоты нагрузочных цепей (частоты среза, резонанса, квазирезонанса), рассчитанные по выражению (2.3) в соответствии с пунктом 2.1. Удобно, если параметры нагрузки и транзистора будут

19

представлены как в нормированном, так и ненормированном виде.

3 СОДЕРЖАНИЕ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Расчетная часть курсовой работы состоит из трех блоков:

1)исследование цепи нагрузки, то есть определение качественного характера частотных характеристик на основе схемы, вывод операторных выражений входной и передаточной функций, их анализ и нахождение соответствующих частотных характеристик;

2)исследование схемы транзистора с обобщенной нагрузкой YН (рисунок 3.1);

Рисунок 3.1

3) исследование полной цепи, то есть транзистора с заданной избирательной нагрузкой.

Подробнее содержание расчетной части изложено в бланке задания (Приложение 2).

Варианты исходных данных к бланку задания помещены в Приложении 3.

4 МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ. ПРИМЕРЫ

4.1Определение предполагаемого характера частотных характеристик нагрузки

Методика основана на знании теории реактивных двухполюсников, знании частотных характеристик последовательного и параллельных колебательных контуров, знании фазовых соотношений в простейших RLCцепях, а также умении анализировать цепь на крайних частотах = 0 и = .

Определение амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) входной и передаточной функций: составляются модели цепи на крайних частотах диапазона, определяются значения Z(0) и K(0), Z ( ) и К( ) и учитываются возможности появления резонансов на частотах 0< < .

20