Материал: 1549

RШ

C1

L1

RШ

C

C2

L2

L

R

L

C

Сх. 38

Сх. 39

Сх. 40

C

RШ

L2

L1

RШ L2

R

L

RШ

L1

C1

RШ

C2

RШ

C

Сх. 41

Сх. 42

Сх. 43

R

C2

L1

C

RШ

C1

C1

L2

L

L

R

R

Сх. 44

Сх. 45

Сх. 46

L

R

RШ

L1

C2

RШ

L2

C1 RШ

L С

C

Сх. 47

Сх. 48

Сх. 49

RШ

C

R

L

RШ

RШ

C1

C

L

L1

L2

R

C2

Сх. 50

Сх. 51

Сх. 52

Для всех двухполюсников таблицы 2.2 полагать

R Ш 10 ,

R 0,1 ,

(2.1)

L

1

,

fP

,

C

L C

2

где

fР

N fгр ;

L1 L 2 и равно 2 L или

0,5 L в зависимости от способа соединения L1

и L2

на схеме;

C1

C2 и равно 2 C или

0,5 C в зависимости от способа соединения C1

и C2

на схеме.

2.2 Параметры биполярных транзисторов

RЭ , СЭ – сопротивление и емкость эмиттерной цепи,

RБ – сопротивление базы,

CК1 , CК2 – емкости коллекторной цепи,

S0 – крутизна транзистора, S0

0

R Э

0 – коэффициент передачи эмиттерного тока в коллекторную цепь в схеме с

общей базой (ОБ),

0

IK

0

,

IЭ

0 – коэффициент усиления транзистора по постоянному току в схеме с

общим эмиттером (ОЭ),

0

IK

0

,

IБ

f – граничная частота усиления по току в схеме ОЭ (рисунок 2.1),

f – граничная частота в схеме ОБ (рисунок 2.1),

fT – предельная частота усиления (частота единичного усиления по току) в

схеме с ОЭ (рисунок 2.1).

Значения параметров биполярных транзисторов заданы таблицей 2.3.

| |, | |

I

К

100

IБ

0

(f)

0

IК

2

IЭ

10

(f)

1

0

0

2

0

1

10

100

1000

f

fT

f

f, МГц

0

0

,

f

fT

,

f 1,41 fT

1

0

0

Рисунок 2.1 Частотные зависимости (f ) и (f )

биполярного транзистора

13

Таблица 2.3 -

Параметры биполярных транзисторов

Элемент (параметр)

Номер транзистора

эквивалентной схемы

транзистора

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

RЭ, Ом

7,00

25,50

27,00

27,00

7,00

6,90

6,80

7,00

27,00

27,00

RБ, Ом

109,00

150,00

128,60

43,00

120,00

90,00

30,00

299,00

175,50

40,00

CЭ, пФ

142,00

38,80

23,50

73,60

90,90

46,10

46,80

189,50

19,60

23,50

СК1, пФ

2,75

2,00

2,33

0,756

0,625

0,83

1,00

1,17

1,70

3,00

СК2, пФ

2,75

2,00

1,66

0,66

1,90

1,66

2,00

2,33

3,30

6,00

S0, мА/В

140,00

38,40

36,50

36,40

140,00

142,00

145,00

139,40

36,10

36,30

f , МГц

3,20

3,20

3,57

1,60

5,00

7,14

5,00

3,00

7,50

5,00

0

50,00

50,00

70,00

50,00

50,00

70,00

100,00

40,00

40,00

50,00

fT, МГц

160,00

160,00

250,00

80,00

250,00

500,00

500,00

120,00

300,00

250,00

Тип проводимости

p-n-p

p-n-p

n-p-n

p-n-p

n-p-n

p-n-p

n-p-n

n-p-n

n-p-n

p-n-p

fS

S0

,

(2.2)

(CЗИ

2

CЗС )

Номер

СЗИ

ССИ

СЗС

S0

RЗ

RC

транзистора

пФ

пФ

пФ

мА/В

Ом

Ом

П1

4,8

2,9

1,1

12,3

11

980

П2

4,7

2,8

1,2

10,6

12

990

П3

4,6

2,7

1,3

10,9

13

1030

П4

4,5

2,1

1,4

12,7

14

1020

П5

4,4

2,5

1,5

8,1

15

1010

П6

4,3

2,4

1,6

8,3

10

1000

П7

4,2

2,3

1,1

8,4

9

980

П8

4,0

2,2

1,2

8,5

8

990

П9

3,9

2,1

1,3

8,6

7

1100

П10

3,8

2,9

1,4

9,7

8

1005

П11

3,7

2,8

1,5

9,9

9

995

П12

3,6

2,7

1,6

9,8

10

980

П13

3,5

2,6

1,7

8,2

11

970

П14

3,4

2,5

1,1

7,1

12

985

П15

4,1

2,4

1,2

7,2

13

975

П16

4,2

2,3

1,3

9,3

14

1015

П17

4,7

2,2

1,4

12,4

12

1005

П18

3,3

2,1

1,5

10,5

10

960

П19

3,2

2,0

1,6

7,4

8

992

П20

3,1

1,9

1,7

8,0

11

1004