Материал: Електронно-дірковий перехід

Схемне зображення МОН-транзистора з вбудованим каналом р- та n-типу надано на рис. 4, а, б, структура останнього - на рис. 4, в.

в)

Рис. 4. Схемне зображення МОН-транзистора з вбудованим каналом р-типу (а) та n-типу (б), структура МОН-транзистора з вбудованим каналом n-типу (в)

В МОН-транзисторах із вбудованим каналом тонкий поверхневий канал відокремлений від затвору шаром двооксиду кремнію. Тип провідності каналу збігається з типом провідності витоку та стоку. Стік та витік виконані більш легованими, ніж канал, вони позначені n+. Основа, або підкладка, служить виключно для створення робочих зон МОН-транзистора та надання міцності приладу. Через наявність напруги між витоком і стоком струм у колі стоку IС буде протікати навіть при нульовому зміщенні на затворі UЗВ = 0.

а б

Рис. 5. Сімейство стоко-затворних (а) та стокових характеристик (б) МОН-транзистора з вбудованим каналом n-типу

Якщо до затвору відносно витоку і підкладки прикласти від'ємну напругу, то дірки з підкладки втягуватимуться в канал, а електрони виштовхуватимуться. Провідність каналу, що позбавлений частини електронів, зменшується, в результаті чого струм стоку падає. Такий режим називають режимом збіднення. За умови UЗВ = UЗВ від вбудований канап зникає, і струм стоку дорівнює нулю (рис. 5, б). Позитивне зміщення на затворі (UЗВ > 0) викликає приплив у канал електронів, унаслідок чого він розширюється, а струм стоку збільшується. Такий режим роботи МОН-транзистора називають режимом збагачення.

У МОН-транзисторі з індукованим каналом за відсутності напруги на затворі каналу немає. Канал виникає у при поверхневому шарі основи підкладки лише при поданні на затвор прискорюючої напруги відносно витоку. Тому такий транзистор може працювати лише у режимі збагачення. Схемне зображення МОН-транзистора з індукованим каналом р- та n-типу надано на рис. 6, а, б, ВАХ останнього - на рис. 6, в.

в

Рис.4. Схемне зображення МОН-транзистора з індукованим каналом р-типу (а) й n-типу (б) та ВАХ останнього (в)

Основними параметрами ПТ є:

• 1. Крутизна вольт-амперної характеристики ( визначається за стоко-затворною характеристикою ):
  • S = ДІС / ДUЗВ при UСВ = const,

характеризує підсилювальні властивості приладу. Числові значення цього параметра становлять 0,1 ч 10 мА/В.

2. Внутрішній (вихідний) опір транзистора

Ri = RВИХ = Д UСВ / ДІС при UЗВ = const,

напівпровідник транзистор електронний перехід

характеризує нахил вихідної характеристики на ділянці насичення.

Оскільки на пологих ділянках вихідних характеристик струм стоку змінюється дуже мало, то цей параметр змінюється також дуже мало. Внутрішній опір має значення сотень кОм - одиниць МОм.

3. Вхідний опір транзистора - RВХ = Д UЗВ / ДІЗ при UСВ = const.

Оскільки струм затвору ІЗ визначається зворотним струмом переходу, то вхідний опір ПТ дуже великий: 106 …109 Ом.

4. Коефіцієнт підсилення за напругою - м = S Ri = ДUСВ / ДUЗВ при ІС= const.

Типовим значенням м є 50...200.