Материал: Электричество и магнетизм. Колебания . курс лекций для студентов всех специальностей. Головинский П.А., Преображенский М.А

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

В неполярных диэлектриках центры зарядов разных знаков совпадают. Относительное смещение положительных и отрицательных зарядов происходит под действием внешнего поля. Диполь, моделирующий такие молекулы, уже нельзя считать жестким: расстояние между разноименными зарядами растет с ростом напряженности внешнего поля E0.

ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ. Процессы ориентации и деформации молекулярных диполей, приводящие к частичному разделению отрицательных и положительных зарядов, называются поляризацией диэлектрика. Количественной мерой поляризации служит вектор поляризации Р. Его определяют как векторную величину, равную суммарному дипольному моменту системы. Вектор поляризации единицы объема V есть

(2.1)

где n — число молекул в единице объема, р — средний дипольный момент молекулы.

Для широкого класса изотропных диэлектриков и не очень больших значений напряженности электрического поля справедливо равенство

(2.2)

где χ — диэлектрическая восприимчивость, E — напряженность суммарного поля, то есть внешнего поля E0 и внутреннего поля.

Связанность зарядов в диэлектрике приводит к тому, что объемная плотность заряда внутри него равна нулю как без действия внешнего поля, так и при его наличии. Рассмотрим прямоугольный однородный полярный диэлектрик, помещенный в постоянное электрическое поле E0, как показано на рис. 2.2.

Рис. 2.2. Поляризация диэлектрика

Тогда поляризация диэлектрика во внешнем поле приводит к появлению на двух перпендикулярных полю границах тонких слоев связанных зарядов с модулем поверхностной плотности заряда ζb. При этом поле этих слоев направ-

16

лено противоположно внешнему полю. Мысленно вырежем из диэлектрика цилиндр с основаниями площадью S, лежащими на границах диэлектрика, и осью, параллельной линиям напряженности (пунктир на рис. 2.2). Поскольку на основаниях цилиндра имеется некомпенсированный связанный заряд, равный Sζb, а высота цилиндра равна толщине диэлектрика d, модуль дипольного момента цилиндра определяется равенством

(2.3)

Здесь учтено, что объем цилиндра V = Sd. Из уравнения (2.3) видно, что величина дипольного момента единицы объема диэлектрика равна поверхностной плотности связанных зарядов ζb:

(2.4)

Таким образом, поверхностная плотность связанного заряда совпадает по величине с величиной поляризации. При этом направление вектора Р совпадает с направлением E0. Соотношение (2.4) справедливо как для полярных, так и для неполярных диэлектриков.

ОТНОСИТЕЛЬНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ. Рассмотрим теперь

поле бесконечной равномерно положительно заряженной плоскости, помещенной в однородную диэлектрическую среду, как показано на рис. 2.3. Обозначим поверхностную плотность заряда . В результате поляризации вблизи поверхности возникает двойной слой связанных зарядов отрицательного знака с каждой стороны от плоскости с плотностью, модуль которой равен ζb. Поле, порождаемое этими зарядами, направлено противоположно внешнему. Для определения величины поля E0 порождаемого свободными и связанными зарядами, воспользуемся теоремой Остроградского-Гаусса.

Рис.2.3. Поле равномерно заряженной плоскости

Выберем замкнутую поверхность в форме цилиндра, ось которого параллельна E0, а площади торцов равны S (пунктир на рис 2.3). Из соображений

17

симметрии ясно, что и суммарное поле Е так же, как и E0 параллельно оси цилиндра и, следовательно, поток вектора Е через боковую поверхность равен нулю. Поток вектора напряженности через торцы цилиндра площадью S равен

(2.5)

Подставляя (2.2) с учетом (2.4) в (2.5), получим:

(2.6)

В отсутствие диэлектрика

(2.7)

Из уравнений (2.6) и (2.7) следует, что в диэлектрической среде

(2.8)

где ε относительная диэлектрическая проницаемость среды. Тогда можно записать:

(2.9)

В общем случае определить плотность связанных зарядов нелегко, и при использовании теоремы Остроградского-Гаусса для расчета полей в диэлектриках даже в случае высокой симметрии возникают трудности. Для удобства расчета электрических полей вводят вспомогательный вектор электрической индукции D. Он представляет собой сумму разнородных величин — напряженности суммарного поля и вектора поляризации единицы объема:

(2.10)

Можно показать, что для вектора электрической индукции теорема Ост- роградского-Гаусса имеет следующий вид: поток вектора индукции через любую замкнутую поверхность выражается через алгебраическую сумму только свободных зарядов q внутри замкнутой поверхности:

(2.11)

Поскольку в соответствии с уравнением (2.10) вектор D пропорционален напряженности суммарного поля, расчет полей в диэлектриках значительно упрощается.

НОРМАЛЬНАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ ПОЛЯ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ДИЭЛЕКТРИКОВ.

На границе раздела диэлектриков свободных зарядов нет. Выберем замкнутую поверхность в форме цилиндра малой высоты, ось которого перпендикулярна плоской границе раздела диэлектриков I и II (рис 2.4).

В соответствии с теоремой Остроградского-Гаусса

(2.12)

18

откуда

(2.13)

или

(2.14)

Рис. 2.4. Преломление вектора электрической индукции

на границе раздела двух диэлектриков

Таким образом, нормальная составляющая электрической индукции при переходе через границу раздела диэлектриков не изменяется. Нормальная составляющая напряженности электрического поля изменяется скачком.

ПОЛЕ РАВНОМЕРНО ЗАРЯЖЕН-

НОЙ НИТИ. Теорему ОстроградскогоГаусса можно применить для расчета поля систем, обладающих высокой симметрией. Найдем поле бесконечной равномерно заряженной прямолинейной нити с линейной плотностью заряда . Выберем замкнутую поверхность в форме цилиндра так, чтобы ось цилиндра совпадала с нитью, как показано на рис. 2.5. Поток вектора D через торцы цилиндра равен нулю, а поток через боковую поверхность

(2.15)

Отсюда следует, что

(2.16)

Следовательно,

(2.17)

ПОЛЕ РАВНОМЕРНО ЗАРЯЖЕН-

НОГО ШАРА. Вычислим поле, создаваемое шаром радиуса R, заряд ко-

Рис. 2.5. Поле равномерно заряженной нити торого q равномерно распределен по

его объѐму V с плотностью , в

произвольной точке пространства. Из соображений симметрии ясно, что индукция поля направлена по лучам, проходящим через центр шара, а модуль индукции зависит только от расстояния до центра (рис. 2.6). При такой конфигу-

19

рации поля естественно выбрать в качестве замкнутой поверхности для применения теоремы Остроградско- го-Гаусса сферу радиуса r, концентрическую с поверхностью шара.

Поток вектора индукции через такую сферу равен произведению модуля вектора D на площадь сфе-

ры (Dn = D):

(2.18)

Если , величина заряда, заключенного внутри поверхности, не зависит от ее радиуса и равна заряду шара q. Подставляя в (2.11) поток (2.18) и заряд q, имеем

(2.19)

Рис. 2.6. Поле равномерно заряженного шара

что совпадает по виду с законом Кулона. Таким образом, закон Кулона описывает не только поле точечного заряда, но и поле равномерно заряженного шара для расстояний r, больших его радиуса.

Если , то внутри поверхности находится лишь часть заряда шара, пропорциональная объему , охватываемому поверхностью:

(2.20)

Подставляя в (2.11) поток (2.18) и заряд (2.20), имеем

(2.21)

ПОЛЕ ВНУТРИ ПЛОСКОГО КОНДЕНСАТОРА. Как видно из приведенных при-

меров, применение теоремы Остроградского-Гаусса непосредственно к расчету полей эффективно только в случае, когда из соображений симметрии можно указать поверхности, на которых D = const.

Рассмотрим поле между двумя проводящими плоскими параллельными пластинами, имеющими равные, но противоположные по знаку заряды (рис. 2.7). Пусть промежуток между пластинами заполнен диэлектриком с относительной проницаемостью .

Поле внутри конденсатора найдем, воспользовавшись формулой (2.9) для поля равномерно заряженной плоской поверхности и принципом суперпозиции электрических полей. Согласно принципу суперпозиции поле внутри конденсатора равно удвоенному полю, создаваемому отдельной заряженной поверхностью:

(2.22)

20

Источник: https://studfile.net/preview/16565976/