8.Использование, каких звуковых сигналов в акустооптических модуляторах позволяет управлять интенсивностью светового луча?
9.Чем определяется быстродействие акустооптического модулятора?
10.Использование, каких звуковых сигналов в акустооптических фильтрах позволяет управлять диапазоном выделяемых длин волн?
11.Почему коллинеарные акустооптические фильтры получили большее распространение, чем неколлинеарные?
12.Каков характер обработки сигнала в акустооптическом процессоре?
Методические указания к теме 10
Акустоэлектронные устройства на ПАВ включают в себя как простейшие линии задержки, фильтры, резонаторы, так
иболее сложные процессы аналоговой обработки сигналов.
Косновным элементам акустоэлектронным устройств можно отнести звукопроводы, преобразователи, отражательные структуры, волноводы, концентраторы.
Многоотводные линии задержки позволяют дискретно изменять время задержки. Дисперсионные линии задержки позволяют изменять время задержки в зависимости от частоты сигнала.
В полосовых фильтрах на ПАВ для формирования требуемого импульсного отклика применяется метод непосредственного и внешнего взвешивания.
Для осуществления плавной регулировки времени задержки в широких пределах может применяться метод преобразования частот. Устройство реализующее этот метод содержит две дисперсионные линии задержки, смесители и гетеродин. Более подробно выше приведенные вопросы можно изучить, проработав [2,4].
24
Вопросы для самопроверки к теме 10
1.В чем сущность пьезоэффекта?
2.Каковы параметры звукопроводов, применяемых в акустоэлектронных устройствах на ПАВ?
3.Чем определяется частота акустического синхрониз-
ма?
4.Какие эффекты учитывает температурный коэффициент задержки?
5.Для чего применяются отражательные структуры, концентраторы, многополосковый ответвитель?
6.Каким образом можно повысить избирательность фильтров на ПАВ?
3. КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ
по курсу ―Интегральные устройства радиоэлектроники‖
1.Цель и задачи курса. Классификация ИС по характеру обрабатываемых сигналов, степени интеграции, области применения. Система обозначений ИС.
2.Биполярные транзисторы. Принцип действия, характеристики и параметры.
3.Схемы включения биполярного транзистора, характеристики и параметры.
4.Структура интегрального биполярного транзистора. Основные технологические операции.
5.Модели. Общие характеристики и классификация.
6.Математическая модель биполярного транзистора,
ееосновные элементы.
7.Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Принцип действия, характеристики и параметры.
8.МДП-транзистор со встроенным каналом. Принцип действия, характеристики и параметры.
25
9.МДП-транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия, характеристики и параметры.
10.Модель МДП-транзистора. Основные элементы мо-
дели.
11.Обзор современных технологий изготовления ИС.
12.Классификация и система обозначений транзисто-
ров.
13.Ячейка памяти на основе МДП-транзистора (Flash
память).
14.Приборы с зарядовой связью (ПЗС). Структура и принцип передачи информации.
15.Структура ПЗСсенсора.
16.Структура ПЗС-матрицы с кадровым переносом Достоинства и недостатки.
17.Структура ПЗС-матрицы с межстрочным переносом Достоинства и недостатки. Способы повышения чувствительности.
18.Спектральные характеристики ПЗС-матриц.
19.Процедуры обработки информации в цифровом фотоаппарате.
20.Перспективные устройства памяти.
21.Механизм генерации оптического излучения в полупроводниках.
22.Устройство, принцип действия, основные параметры, характеристики и области применения светоизлучающих диодов.
23.Фотодиод. Принцип действия, ВАХ и режимы ра-
боты.
24.Фотодиод. Характеристики и параметры.
25.Фототранзистор. Фотодиод со структурой p-i-n.
26.Принцип действия лазеров. Необходимые условия для генерации излучения, способы накачки
27.Параметры и режимы работы лазеров.
28.Полупроводниковые инжекционные лазеры. Устройство и область применения.
26
29.Современные устройства оптической записи ин-
формации.
30.Современные устройства отображения информа-
ции.
31.Сущность акустооптического взаимодействия. Дифракция Рамана-Ната и Брэгга.
32.Устройство, принцип действия, основные параметры и область применения дефлекторов на основе акустооптического взаимодействия.
33.Устройство, принцип действия, основные параметры и область применения модуляторов и фильтров на основе акустооптического взаимодействия.
34.Акустооптические процессоры и корреляторы. Принцип действия и основные параметры.
35.Основные физические процессы в сверхпроводящих переходах. Стационарный эффект Джозефсона.
36.Нестационарный эффект Джозефсона. Сверхпроводящие квантовые интерферометры.
37.Принцип работы акустоэлектронных устройств на ПАВ. Области применения.
38.Преобразователи ПАВ. Принцип действия и основные параметры.
39.Звукопроводы для устройств на ПАВ. Основные параметры.
40.Элементы устройств на ПАВотражательные структуры, волноводы, концентраторы.
41.Классификация линий задержки на ПАВ. Многоотводные линии задержки.
42.Линия задержки с однократной задержкой. Устройство, основные физические процессы и характеристики.
43.Дисперсионные линии задержки. Конструкции и основные характеристики.
44.Устройство, принцип действия фильтров на ПАВ.
45.Способы получения требуемых параметров и АЧХ при проектировании фильтров на ПАВ. Внешнее взвешивание.
27
46.Сущность метода непосредственного взвешивания
вфильтрах на ПАВ для получения требуемой АЧХ.
47.Способы получения регулируемой задержки в устройствах на ПАВ.
48.Резонаторы на ПАВ. Конструкции и основные па-
раметры.
4. ВАРИАНТЫ КОНТРОЛЬНЫХ РАБОТ
При выполнении контрольной работы студенты прорабатывают два вопроса, перечисленные в предыдущем разделе. Варианты контрольных работ представлены в табл. 3
|
|
|
|
Таблица 3 |
|
Варианты контрольных работ |
|
||
№ вар-та |
№ вопросов |
№ вар-та |
|
№ вопросов |
1 |
1, 25 |
13 |
|
13, 37 |
2 |
2, 26 |
14 |
|
14, 38 |
3 |
3, 27 |
15 |
|
15, 39 |
4 |
4, 28 |
16 |
|
16, 40 |
5 |
5, 29 |
17 |
|
17, 41 |
6 |
6, 30 |
18 |
|
18, 42 |
7 |
7, 31 |
19 |
|
19, 43 |
8 |
8, 32 |
20 |
|
20, 44 |
9 |
9, 33 |
21 |
|
21, 45 |
10 |
10, 34 |
22 |
|
22, 46 |
11 |
11, 35 |
23 |
|
23, 47 |
12 |
12, 36 |
24 |
|
24, 48 |
28