Материал: m827 взлом
|
|
3 Розробити схему технологічного процесу виготовлення |
||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
УНІВЕРСИТЕТ |
||||||||
|
|
дифузійно-планарної структури напівпровідникових |
||||||||||||||||||||||||||
|
|
мікросхем. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
Окислена |
|
|
|
|
1-а |
|
|
|
|
|
Колекторна |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
пластина |
|
|
|
|
фотоліт. |
|
|
|
|
|
дифузія |
|
|
|
|
|
|
Окиснення |
|
|||||||
|
|
р-типу |
|
|
|
|
на SiO2 |
|
|
|
|
|
n- домішки |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Базова |
|
|
|
|
2 -а |
|
|||||
|
|
3 -а |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дифузія |
|
|
|
|
фотоліт. |
|
|||||||||
|
|
фотоліт. |
|
|
|
Окиснення |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p- домішки |
|
|
|
|
на SiO2 |
|
|||||||||||
|
|
на SiO2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
Монтаж |
|
|
МонтажДЕРЖАВНИЙ |
|
|
4 -а |
|
|
|
|
Випробу- |
|
|
|||||||||||||
|
|
Емітерна |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Металі- |
|
|
||||||
|
|
дифузія |
|
|
|
Окиснення |
|
|
|
|
|
|
|
фотолітог. |
|
|
|
|
зація Al |
|
|
|||||||
|
|
n+ - домішки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
на SiO2 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
Розділення |
|
|
|
|
Контроль |
|
|
|
|
|
|
|
Відпалю- |
|
|
|
|
5 -а |
|
|
|||||||
|
пластин на |
|
|
|
|
електричних |
|
|
|
|
|
|
|
|
вання |
|
|
|
|
фотоліт. |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
контактів |
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
кристали |
|
|
|
|
параметрів |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
на Al |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
СУМСЬКИЙ |
|
|
|
|
зовнішніх |
|
|
|
|
Герметизація |
|
|
|
|
|
вання |
|||||||||||
|
|
кристала |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
в корпус |
|
|
виводів |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІМС |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Маркування, |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
упаковка |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 Зобразити графічно залежність концентрації різних легуючих елементів з глибиною при дифузії їх у кремній протягом часу t = 1 година при початковій концентрації N0 = 5 1015 см–3 , якщо дифузія відбувається при температурі Т=1250 К. Параметри дифузії домішки у кремній: D0 = 60 см2/c; Ea = 4,2 еВ. Легуючий елемент As.
Відповідь:
При розв’язанні задачі необхідно скористатися співвідношеннями, які описують залежність концентрації домішки від глибини:
де D0 – передекспоненційний множник; k - стала Больцмана;
N = N0e−x2 4Dt , |
|
(1) |
де N0 – поверхнева концентрація домішки;УНІВЕРСИТЕТ |
||
D – коефіцієнт дифузії; |
|
|
x - глибина залягання домішки; |
|
|
t – час впровадження домішки. |
|
|
D = D e -(Ea / kT ) |
, |
(2) |
0 |
|
|
4 Які вимоги ставлятьсяДЕРЖАВНИЙдо матеріалу підкладки |
гібридних |
|
Ea – енергія активації дифузії;
Розрахункову залежність необхідно навести у координатах N(x).
СУМСЬКИЙ |
|
|
інтегрованих мікросхем? |
|
Підкладка повинна відповідати таким основним вимогам: |
- |
шорсткість поверхні повинна відповідати 12-14-му класам |
|
чистоти обробки; |
- |
мати високу теплопровідність; |
- забезпечувати інертність до нанесення плівок; - мати високу механічну міцність;
- бути стійкою до механічних реагентів, які використовуються в технологічному процесі;
- |
мати високі ізоляційні властивості; |
УНІВЕРСИТЕТ |
- |
температурний коефіцієнт лінійного розширення повинен бути |
|
наближений до температурного коефіцієнта лінійного розширення матеріалів плівок.
4 КУРСОВАРОБОТА
4.1 Теми курсових робіт
1Перспективи гібридно-плівкових технологій [2, 14].
2Загальна характеристика напівпровідникових матеріалів [7, 18].
3Перспективні матеріали для виробництва мікросхем [7, 18].
4Формування діелектричних шарів при виробництві напівпровідникових ІМС [2, 7, 9].
5 |
Методи створення діелектричних покриттів напівпровідникових |
|
|
ІМС [2, 7, 9, 19]. |
ДЕРЖАВНИЙ |
|
|
|
6 |
Використання МОН – структур [1, 2, 5, 9, 14]. |
|
7 |
Термічне випаровування, як метод виготовлення пасивних |
|
|
елементів ІМС [2, 5, 7, 9, 12, 14]. |
|
8 |
Вакуумне обладнання для інтегральних технологій [2, 5, 7, 14]. |
|
9 |
Методи формування тонкоплівкових пасивних елементів в |
|
інтегральних мікросхемах [2, 5, 9, 14, 16].
10 Технологія виготовлення тонкоплівкових резисторів [2, 5, 9,14]. 11 Формування конденсаторних структур для ІМС [2, 5, 9, 14]. 12 Імплантація як метод легування напівпровідникових матеріалів
[2, 9, 12, 14].
13Характеристики дифузантів для легування напівпровідникових СУМСЬКИЙматеріалів [2, 5, 7, 9].
14 Легування напівпровідників методом термічної дифузії [2, 5, 7, 9, 12, 14].
Отримання високоякісних шарів кремнію методом газофазової епітаксії [2, 7, 9, 12, 14.17].
16 Використання авто- і гетероепітаксії в інтегральних технологіях
[ 2, 7, 9, 14, 17].
17. Молекулярно-променева літографія [ 14, 15, 17].
18 Методи контролю характеристик дифузійних, імплантованих та епітаксіальних шарів [1, 2, 7, 9, 14].
19 |
Методи отримання епітаксійних шарів напівпровідника [1, 2, 7, |
||
|
9, 14]. |
|
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
|
|
20 |
Гетероепітаксійні кремнієві структури [1, 2, 7, 9, 17]. |
||
21 |
Резисти для літографії [2, 7, 9, 11, 12, 14,19, 20]. |
||
22 |
Фотолітографія в інтегральних технологіях [2, 7, 9, 11, 14, 19]. |
||
23 |
Використання електронно-променевої літографії при |
||
|
виробництві приладів мікроелектроніки [5, 7, 9, 11, 17, 20]. |
||
24 |
Способи приєднання кристалів та плат в основу корпусу [2, 4, 7, |
||
|
14]. |
|
|
25 |
Методи розділення пластин та підкладок [2,4,7,9,14]. |
||
26 |
Методи приєднання виводів [2, 4, 7, 9, 14, ] |
||
27 |
Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем у |
||
|
корпус [2, 4, 7, 9, 12, 14]. |
|
|
28 |
Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем з |
||
|
|
ДЕРЖАВНИЙ |
|
|
використанням пластмас [4, 7. 9, 14]. |
|
|
29 |
Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем в |
||
|
металевий та металоскляний корпус [4, 7, 9, 12. 14]. |
||
30 |
Паяння та зварювання у виробництві інтегральних мікросхем [2, |
||
|
4, 9, 14]. |
|
|
31 |
Приєднання виводів методом дротового монтажу [2, 4, 9, 12]. |
||
32 |
Технологія випробування напівпровідникових приладів та ІМС |
||
|
[2, 4, 19]. |
|
|
33 |
Конструкція напівпровідникових приладів та ІМС [2, 7, 9, 14]. |
||
34 |
Контрольно-вимірювальні прилади, які і використовуються у |
||
|
інтегральних технологіях [1, 2, 4,19]. |
|
|
35 |
Перспективні технології у електроніці. |
|
|
СУМСЬКИЙ |
|
|
|
У дужках зазначено рекомендовану літературу.
4.2 Правила оформлення курсової роботи
Курсова робота оформляється у вигляді наукової праці, яка містить вступ з постановленням завдання; два-три розділи, де викладається зміст роботи; висновки та список літератури. Дана робота студента характеризує його загально-теоретичну та практичну підготовку, вміння розв'язувати наукові та технічні
проблеми. |
УНІВЕРСИТЕТ |
Текст випускної роботи в загальному вигляді повинен містити: -титульний аркуш; -реферат; -зміст; -вступ;
-загальну частину (два-три розділи); -висновки; -список літератури;
-додатки (якщо в них є необхідність).
Титульний аркуш є першим аркушем документа, але він не нумерується. Він виконується на аркушах формату А4 за наведеною формою (додаток А).
Реферат призначений для ознайомлення з роботою і розміщується передДЕРЖАВНИЙзмістом. Реферат повинен містити: відомості про обсяг роботи; кількість частин роботи; кількість таблиць,
рисунків; кількість джерел за переліком посилань; перелік ключових слів. Реферат повинен мати обсяг не більше 500 слів і розміщувати на одній сторінці формату А4. Ключові слова, необхідні для розкриття суті роботи, записують після тексту реферату прописними буквами.
Зміст подають після реферату. Він містить назви та номери початкових сторінок усіх розділів, підрозділів та пунктів. Наприклад:
ЗМІСТ Вступ…………………………………………………………...3
СУМСЬКИЙ1 Загальна характеристика процесу епітаксії……………..…4
1.1 Фізико-хімічні основи методу…………………………6
1.2 Практичні способи проведення епітаксії……………10
1.2.1 Хлоридний метод отримання шарів……………….11
1.2.2 Силановий метод отримання шарів…………….….20
2 Молекулярно-променева епітаксія………………………..24
3 Методи вивчення характеристик епітаксійних шарів…...28
Висновки………………………………………………...…....29 Список літератури………………………………………...….30