Материал: m827 взлом
3 Зобразити графічно залежність концентрації різних легуючих елементів з глибиною при дифузії їх у кремній протягом 1 години при початковій концентрації N0=5 1016 см–3 , якщо дифузія відбувається при температурі Т, зазначеній в таблиці 2.
Параметри дифузії домішок у кремній:
|
Таблиця 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Елемент |
|
D0 , см2/с |
Ea, еВ |
|
В |
|
25 |
3,51 |
|
Р |
|
10,5 |
3,69 |
|
As |
|
60 |
4,2 |
|
|
|
|
УНІВЕРСИТЕТ |
|
Al |
|
8 |
3,47 |
|
Ga |
|
60 |
3,89 |
|
Sb |
|
12,9 |
3,98 |
|
Таблиця 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Номер варіанта |
Елемент |
Т, К |
|
|
1 |
|
2 |
3 |
|
1 |
|
В |
|
|
2 |
|
Р |
|
|
3 |
|
As |
|
|
|
ДЕРЖАВНИЙ |
1000 |
|
|
4 |
|
Al |
|
|
5 |
|
Ga |
|
|
6 |
|
Sb |
|
|
7 |
|
В |
|
|
8 |
|
Р |
1150 |
|
9 |
|
As |
|
|
10 |
|
Al |
|
|
11 |
|
Ga |
|
|
12 |
|
Sb |
|
СУМСЬКИЙ |
|
|
|
|
|
Продовження таблиці 2 |
|
|
||
|
1 |
|
2 |
|
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
|
3 |
||
|
13 |
|
В |
|
|
|
14 |
|
Р |
|
1200 |
|
15 |
|
As |
|
|
|
16 |
|
Al |
|
|
|
17 |
|
Ga |
|
|
|
18 |
|
Sb |
|
|
|
19 |
|
В |
|
|
|
20 |
|
Р |
|
1230 |
|
21 |
|
As |
|
|
|
22 |
|
Al |
|
|
|
23 |
|
Ga |
|
|
|
24 |
|
Sb |
|
|
|
36 |
ДЕРЖАВНИЙSb |
|
|
|
|
25 |
|
В |
|
|
|
26 |
|
Р |
|
1250 |
|
27 |
|
As |
|
|
|
28 |
|
Al |
|
|
|
29 |
|
Ga |
|
|
|
30 |
|
Sb |
|
|
|
31 |
|
В |
|
|
|
32 |
|
Р |
|
1280 |
|
33 |
|
As |
|
|
|
34 |
|
Al |
|
|
|
35 |
|
Ga |
|
|
|
|
|
|
|
|
СУМСЬКИЙ |
|
В |
|
|
|
37 |
|
|
|
||
|
38 |
|
Р |
|
1300 |
|
39 |
|
As |
|
|
|
40 |
|
Al |
|
|
|
41 |
|
Ga |
|
|
|
42 |
|
Sb |
|
|
|
|
|
|
||
4 Скільки циклів літографії потрібно та де вони використовуються |
||
приформуваннітакихструктур: |
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
||
4.1 |
Дифузійно-планарної. |
|
4.2 |
Епітаксійно-планарної без схованого шару. |
|
4.3 |
Епітаксійно-планарної зі схованим шаром. |
|
4.4 |
З діелектричною ізоляцією. |
|
4.5 |
Ізопланарної. |
|
4.6 |
З ізолюючим V-каналом. |
|
4.7 |
КМОН. |
|
|
4.8 n-канальної. |
|
4.9 p-канальної. |
|
4.10 КМОН-КНС. |
5 |
Яким чином здійснюється ізоляція в ізопланарних структурах? |
6 |
Назватиосновнінедолікиструктуриздіелектричноюізоляцією. |
11 ЯкінедолікимаєДЕРЖАВНИЙдифузійнийколектор? |
|
7 |
Пояснитирізницювтехнологічномуаспектіізопланарноїта |
|
поліпланарноїструктур. |
8 Чомупрогиннапівпровідниковихпластинповиненбути |
|
|
мінімальним? |
9 |
ЯкіпроблемивиникаютьнавиробництвіНІМС, якщо |
|
використовуютьсянапівпровідниковіпластинивеликогодіаметра? |
10 3 якоюметоюу колекторнійобласті транзисторавиготовляють схованийшарзпровідністюn+?
12.Назватиосновнівимогидокремнієвихпластин.
13.Пояснити термін "виробнича гігієна". На скільки класів та за якими критеріями діляться виробничі приміщення за ступенем запиленості?
СУМСЬКИЙ14 Пояснитинедолікиметодутермічноїдифузії.
15 Зобразити та описати схему установки дифузії з використанням рідиннихджерелдомішки.
16 Записати хімічні реакції при дифузії фосфору у кремній при використаннігазоподібнихджерел.
17 Пояснититермін«роздільнадифузія».
18 Яківимогиставлятьсядодифузантів.
19 Як впливає велика густина дислокацій у монокристалінапроцес термічноїдифузії?
20 |
3 якою метою при використанні рідинних джерел у потік газу носія |
|
|
вводятькисень? |
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
|
21 |
Якіможливостімаєметодіонноїімплантації? |
|
22 Якимчиномзабезпечуєтьсявисокачистотадомішок, що впроваджуютьсяприіоннійімплантації?
23 Навести блок-схему установки для іонної імплантації та зазначити назвуосновнихвузлів.
24 Щотакедовжинапробігутасередняпроекціяпробігуіонаприіонній імплантації?
25 Пояснити, щоявляєсобоюневпорядкованийпучокіонів. 26 Пояснити, щоявляєсобоюпучокіонів, якийканалює.
27 Пояснити, зякоюметоюімплантованіпластинивідпалюють. 28 Записати хімічні реакції, які мають місце при епітаксії Si
35 |
хлориновимметодом. |
ЯкиймінімальнийрозмірДЕРЖАВНИЙелементівможнаотриматиприрентгенівській |
|
29 |
Якимчиномвідбуваєтьсялегуваннямонокристалічнихшарів |
|
хлориновимметодомупроцесіепітаксії? |
30 Зобразити та описати установку для епітаксійного нарощування хлориновим методом.
31 Навеститапояснитикомпонуваннявакуумноїкамерипри молекулярно-променевійепітаксії.
32 Зобразититапояснитисхемутехнологічногопроцесуфотолітографічногопроцесу.
33 Учомуполягаєвідмінністьміжнегативнимитапозитивнимифоторезистами?
34 Якіфакторивпливаютьнаобмеженевикористанняфотолітографічного процесу?
літографії? Чимобмеженароздільназдатність?
36 Пояснити, який мінімальний розмір сторони вікна можна отримати у
|
шаріфоторезиступрифотолітографії |
37 |
Якимчиномвідбуваєтьсясуміщеннярисунківфотошаблонута |
|
пластини? |
38 |
Навести схему установки проекційної електронолітографії, описати |
|
принципдії. |
39 |
Якимчиномвідбуваєтьсяскануванняелектронногопроменяпо |
|
поверхнізразкаускануючійелектроннійлітографії. |
СУМСЬКИЙ |
|
40 |
Назватиперевагирентгенівськоїлітографіїпередфотота |
|
|
електронолітографіями. |
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
|
41 |
Назватиперевагиінедолікиметодівнанесеннятонкихплівок. |
|
42 |
Датихарактеристикудіелектриків, яківикористовуютьсяпри |
|
|
виготовленнітонкоплівковихконденсаторів. |
|
43 |
ОписатихарактеристикипідкладокдлятонкоплівковихІМС. |
|
44 |
Датихарактеристикуочищенняпідкладокзадопомогоюіонного |
|
|
травлення. |
|
45 |
Яківипарникивикористовуютьсяпритермічномунапиленнітонких |
|
|
плівок? |
|
46 |
Навестисхемутехнологічногопроцесувиготовленнятонкоплівкових |
|
|
ІМС. |
|
47 |
Описатиметодотриманняплівокшляхомтермічноговипаровування. |
|
48 |
Описатиметодотриманняплівокшляхомкатодногорозпилення. |
|
56 |
Описатифактори, якіДЕРЖАВНИЙвизначаютьякістьплівок, одержанихтермо- |
|
49 |
Описатиметодотриманняплівокізвикористаннямелектронно- |
|
|
променевоїгармати. |
|
50 |
Датихарактеристикуодержанняплівокметодоммагнетронного |
|
|
розпилення. |
|
51 Зобразити та описати компонування вакуумної камери установки для
|
термічногонанесенняплівокметалів. |
52 |
Назвати, якідільниціповиннібутиуцехудлявиготовленнятонкоплів- |
|
ковихІМС. |
53 |
Описатитехнологіювиготовленнятонкоплівковихконденсаторів. |
54 |
Назвативимогидоматеріалівтонкоплівковихрезисторів. |
55 |
Описатиметодинанесеннятонкихплівокдіелектричних |
|
матеріалів. |
СУМСЬКИЙ |
|
|
вакуумнимрозпиленням. |
57 |
Зробитипорівняльнийаналізтермічноготамагнетронногорозпилення. |
58 Дати характеристику випарників, які використовуються при отриманні плівокшляхомтермічногорозпилення.
59 Датухарактеристикубезконтактногоспособудрукупасивнихелементів товстоплівковихІМС.
60 Навести схему технологічного процесу виготовлення товстоплівкових ІМС.
61 Датихарактеристикудіелектричнихпастдляконденсатора.