Материал: m827 взлом
62 |
Датихарактеристикурезистивнихпаст. |
УНІВЕРСИТЕТ |
63 |
УказатиперевагитанедолікитовстоплівковихІМС. |
|
64 |
Дати характеристику діелектричних паст, які використовуються при |
|
|
виготовленніізоляціїтовстоплівковихІМС. |
|
65 |
Пояснити, щопредставляєсобоюфункціональнаскладовапасти. |
|
66 |
Датихарактеристикуструмопровіднихпаст. |
|
67 Датихарактеристику технологічноїскладовоїпастдлятовстоплівкових
|
елементів. |
|
68 |
Датихарактеристикуконструкційноїскладовоїпаст. |
|
69 |
Описатиконтактнийспосібдрукутовстоплівковихелементів. |
|
70 |
Описатибезконтактнийспосібдрукутовстоплівковихелементів. |
|
71 |
Датипорівняльнухарактеристикуконтактноготабезконтактного |
|
|
способівдрукупаст. |
|
72 |
Якідільниціповиннібутиуцехудлявиготовленнятовстоплівкових |
|
|
тапідкладок. |
ДЕРЖАВНИЙ |
|
ІМС. |
|
73 |
Назватиспособипідгонкитовстоплівковихпасивнихелементів. |
|
74 |
Зобразитинарисункуполепідгонкирезисторівтаконденсаторів |
|
|
товстоплівковихелементів. |
|
75 |
Датихарактеристикулазерногометодупідгонкитовстоплівкових |
|
|
елементів. |
|
76 |
Описатипроцесвпалюваннятовстоплівковихелементів. |
|
77 |
Описатиспособитарежимисушінняпаст. |
|
78 |
Пояснити, здлячогопіслядрукушарпастипросушують. |
|
79 |
Описати, щоявляєсобоюпідгонкарезисторівтаконденсаторів. |
|
80 |
ОписатиетапитаметодискладанняІМС. |
|
81 Датипорівняльнухарактеристикуіснуючихметодіврозділенняпластин
СУМСЬКИЙ |
|
82 |
Описатиспосіброзділенняпластинзадопомогоюалмазногодиска. |
83 |
Описатиспосіброзділенняпластинзадопомогоюлазерногопроменя. |
84 |
Описати існуючі способи розламування пластин та підкладок після |
|
скрайбуванняалмазнимрізцем. |
85 |
Навести характеристику клеїв, які використовуються при приєднанні |
|
кристалівтаплатвосновукорпусу. |
86 |
Датихарактеристикуприєднанняплатзадопомогоюпаяннясклом. |
87 Навести марки та характеристики припоїв, що використовуються при приєднаннікристалівІМСвкорпус.
88 Дати характеристику способам приєднання зовнішніх виводів за |
|
допомогоюпаяннямікропаяльником. |
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
89 Дати характеристику способу приєднання кристалів ІМС в корпус за допомогоюметалевихсплавів.
90 Пояснити бездротовий монтаж на прикладі приєднання безкорпусного транзисторазадопомогоюкульок.
91 Описати бездротовий монтаж з балочними виводами на прикладі безкорпусноготранзистора.
92 Датизагальнухарактеристикутермокомпресійногозварювання.
93 Якеобмеженевикористаннямаєтермокомпресія?
94 Описатиспосібприєднаннявиводівприультразвуковомузварюванні.
95 Описати приєднання виводів за допомогою непрямого імпульсного нагріву.
96 Описати приєднання виводів за допомогою зварювання розщепленим |
|||
|
|
електродом. |
ДЕРЖАВНИЙ |
|
|
|
|
97 |
Описатискладаннямікросхемнастрічковихносіях. |
||
98 |
Датихарактеристикуіснуючихметодівконтролюгерметизації. |
||
99 |
Датихарактеристикубезкорпусноїгерметизаціїмікросхем. |
||
100 |
ДатихарактеристикукорпуснійгерметизаціїІМС. |
||
101 |
Що повинен забезпечити технологічний спосіб герметизації |
||
|
|
мікросхем? |
|
102 |
ОписатинедолікитаперевагипластмасовихкорпусівІМС. |
||
103 |
Якіперевагимаютьметалоскляні корпуси ІМС? |
||
СУМСЬКИЙ |
|
||
|
3.2 Контрольні завдання |
|||
|
|
|
|
|
Ном. |
Завдання |
Ном. |
|
УНІВЕРСИТЕТ |
|
Завдання |
|||
вар. |
|
вар |
|
|
1 |
1.2;2.10;3.1;4.1;5;35;103 |
21 |
|
1.8;2.4;3.21;4.2;23;54;84 |
2 |
1.10;2.4;3.2;4.5;6;36;102 |
22 |
|
1.7;2.2;3.22;4.10;24;55;83 |
3 |
1.3;2.9;3.3;4.7;28;39;76 |
23 |
|
1.5;2.8;3.23;4.1;25;56;82 |
4 |
1.4;2.8;3.4;4.2;7;37;101 |
24 |
|
1.6;2.7;3.24;4.10;26;57;81 |
5 |
1.5;2.7;3.5;4.10;8;38;100 |
25 |
|
1.4;2.10;3.25;4.8;27;58;80 |
6 |
1.6;2.2;3.6;4.9;9;39;99 |
26 |
|
1.2;2.10;3.26;4.5;28;59;79 |
7 |
1.7;2.3;3.7;4.5;10;40;98 |
27 |
|
1.3;2.8;3.27;4.6;29;60;78 |
8 |
1.8;2.4;3.8;4.9;11;41;97 |
28 |
|
1.4;2.9;3.28;4.1;30;61;77 |
9 |
1.9;2.5;3.9;4.7;12;42;96 |
29 |
|
1.5;2.7;3.29;4.10;31;62;76 |
10 |
ДЕРЖАВНИЙ |
|
1.6;2.2;3.30;4.9;32;63;75 |
|
1.10;2.6;3.10; 4.3;5;43;95 |
30 |
|
||
11 |
1.9;2.2;3.11;4.5;13;44;94 |
31 |
|
1.7;2.3;3.31;4.5;33;64;74 |
12 |
1.8;2.3;3.12;4.6;14;45;93 |
32 |
|
1.8;2.4;3.32;4.6;34;73;100 |
13 |
1.7;2.4;3.13;4.9;15;46;92 |
33 |
|
1.9;2.5;3.33;4.1;20;72;101 |
14 |
1.6;2.9;3.14;4.2;16;47;91 |
34 |
|
1.10;2.6;3.34;4.7;22;71;85 |
15 |
1.5;2.8;3.15;4.10;17;48;90 |
35 |
|
1.8;2.3;3.35;4.5;24;70;86 |
16 |
1.4;2.10;3.16;4.6;18;49;89 |
36 |
|
1.7;2.2;3.36;4.6;26;69;88 |
17 |
1.3;2.7;3.17;4.9;19;50;88 |
37 |
|
1.6;2.9;3.37;4.3;6;68;90 |
18 |
1.2;2.9;3.18;4.6;20;52;86 |
38 |
|
1.5;2.10;3.38;4.4;8;67;93 |
19 |
1.9;2.2;3.19;4.5;21;40;88 |
39 |
|
1.4;2.8;3.39;4.6;12;66;97 |
СУМСЬКИЙ |
40 |
|
1.9;2.5;3.40;4.1;14;65;99 |
|
20 |
1.10;2.3;3.20;4.4;22;53;85 |
|
||
3.3 Приклади відповідей на запитання
планарної структури напівпровідникових мікросхем на прикладі транзистора.
Відповідь:
Як вхідна заготовка використовується монокристалічна пластина кремнію, рівномірно легована акцепторними домішками (має провідність р-типу). Послідовність формування структури наведена на рисунку 1.
1 Зобразити та описати послідовністьУНІВЕРСИТЕТформування дифузійно-
На першому етапі на пластину наноситься шар оксиду кремнію SiO2 (рис.1 а). У цьому шарі шляхом літографії вибірково витравлюють ділянки прямокутної форми (рис 1 б) та через утворені вікна шляхом термічної дифузії вводяться атоми домішки донора. Після цього проводиться термічне окиснення (рис 1 в). У результаті на поверхніДЕРЖАВНИЙмонокристала знову утворюється суцільний шар SiO2. Таким чином, одночасно створюються колекторні області всіх транзисторів . Вторинним повторним травленням вікон менших розмірів у шарі оксиду та подальшою дифузією акцепторної домішки формуються базові області транзисторів з провідністю р-типу (рис.1 г, д). Далі в результаті наступних циклів: літографії, дифузії та окиснення виготовляються області емітерів, а також високолеговані ділянки з провідністю n+- типу для створення низькоомних контактів (рис 1 є, ж). Для створення міжелементного зв’язку у шарі оксиду відкриваються методом фотолітографії вікна (рис.1 з) і пластина покривається суцільною
металевою плівкою, як правило, з алюмінію (рис.1 і), при цьому у
СУМСЬКИЙмісцях, вільних від оксиду, утворюються контакти з відповідними областями кремнію. Завершальний цикл літографії по плівці
алюмінію дозволяє створити систему з’єднань та периферійні контактні майданчики в кристалах (рис.1 к) .
СУМСЬКИЙРисунок1 - Послідовність формування дифузійно-планарної структури