D |
d 2 |
exp H / RT |
. |
(5.66) |
|
|
6 p0 |
|
|||
|
|
|
|
||
Если принять, что D описывается выражением
D D0 exp H / RT и Нр = Н, то
D0 |
d 2 |
|
|
|
. |
(5.67) |
|
|
|||
|
6 p0 |
|
|
Наиболее хорошо изученной является релаксация Сноека, связанная с диффузией N, H, C и О. Считается, что эти атомы в ОЦК кристаллах находятся в октаэдрических междоузлиях и диффундируют по межузельному механизму. В этом случае = 3/2, d = a/2 и коэффициент диффузии
D а 2 , 36 p
где а – период решетки.
В случае диффузии атомов алмаза = 4/3, d = 
2 / 4 a и
D а 2
64 p
(5.68)
кислорода в решетке типа
. (5.69)
При диффузии атомов внедрения в ГЦК решетке = |
|||||
3/2, d = |
|
/ 4 a и |
|
|
|
2 |
|
|
|
||
|
|
D |
а 2 |
|
|
|
|
|
. |
(5.70) |
|
|
|
72 p |
|||
Таким образом, проблема установления связи между процессом релаксации и диффузией состоит из двух частей: нужно, во-первых, показать, что энергии активации равны
281
(при помощи эксперимента) и, во-вторых, нужно найти коэффициент , чтобы можно было точно вычислить D0.
Следует, однако, иметь ввиду, что в модели случайных блужданий вероятности атомных скачков не зависят от
направления предшествующих перемещений |
точечного |
дефекта. |
|
В действительности точечный дефект |
совершает не |
случайные блуждания, а коррелированные, т.е. между последовательными его скачками имеется определенная связь. Поэтому действительная величина среднеквадратичного смещения дефекта, а также действительная частота скачков меньше в f раз соответствующих значений, полученных в рамках модели независимых переменных. Величина корреляционного фактора зависит от типа решетки и механизма диффузии. Например, для самодиффузии по вакансионному механизму величина f лежит в интервале между 0,78 (для ГЦК решетки) и 0,5 (для решетки типа алмаза). Знание корреляционного фактора f позволяет более точно рассчитать истинные значения коэффициентов диффузии по измеренным временам релаксации . Заметим, что другие известные методы определения D дают лишь эффективное значение коэффициента диффузии, связанное с потоком вещества.
5.4.4. Определение параметров самодиффузии твердых тел из фона внутреннего трения
Внутреннее трение в твердых телах обусловлено действием различных механизмов затухания, каждый из которых зависит от внешних условий (деформации , частоты периодических колебаний , температуры Т и т.д.). При независимом действии механизмов общее затухание можно представить в виде суммы вкладов, вносимым каждым механизмом в отдельности
282
n |
,,T , P... . |
|
Q 1 Qi 1 |
(5.71) |
i 1
Поскольку проявление многих механизмов затухания зависит от температуры, то экспериментально удобнее получать температурную зависимость внутреннего трения, которую называют температурным спектром затухания, а уровень внутреннего трения за вычетом пиков – фоном. Как показали многочисленные эксперименты, кривые температурного спектра, полученные на хорошо отожженных совершенных металлических монокристаллах, представляет собой монотонно возрастающий фон с низким уровнем внутреннего трения. Почти линейное возрастание продолжается до температур 0,7-0,8 ТS (TS – температура плавления). Выше этой температуры часто наблюдается почти экспоненциальная зависимость Q-1(T).
В связи с таким экспериментальным фактом в работах Б.Я. Пинеса, Ниблетта и Уилкса температурная зависимость при высоких температурах приближенно была представлена эмпирической зависимостью вида
Q 1 |
A exp H / RT , |
(5.72) |
I |
|
|
где А – константа.
Энергия активации Н, вычисленная по выражению (5.72), во многих случаях оказывалась в несколько раз меньше энергии активации самодиффузии, что заставляет предлагать сложные механизмы затухания, объясняющие этот процесс. Поэтому в работе Шоека и Бизогни предложено рассматривать фон Q-1, как обусловленный движением дислокаций, которые взаимодействуют с точечными дефектами при высоких температурах, и таким образом, движущихся вязким образом. Детально механизм затухания при этом не разбирается, однако
283
авторы предложили выражение, описывающее фон внутреннего трения:
1 |
n |
, |
(5.73) |
QI |
A exp Hф / RT |
где А и n – постоянные в определенной области температур; Hф - истинная энергия активации процесса переползания
дислокаций. Постоянная n может быть определена из исследований частотной зависимости внутреннего трения как
n |
ln Q 1 Q 1 |
|
|
|
|
||
1 |
|
2 |
|
|
. |
(5.74) |
|
ln 1 |
2 |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
Согласно (5.73) и (5.74) кажущаяся энергия активации Н = n Hф , в несколько раз меньше истинной.
При крутильных колебаниях Пинес и Кармазин (1966 г.) определили Н, Hф и n для десяти различных металлов.
Полученные данные показывают, что величина Hф во всех
случаях близка к значению энергии активации самодиффузии; n для большинства исследованных металлов принимает значение, примерно равное 0,25 и только для свинца 0,33. Примеси не оказывают значительного влияния на величину Hф , что указывает на постоянство контролирующего
механизма, обуславливающего высокотемпературный фон. Высокотемпературный фон внутреннего трения был
предметом |
исследования |
теоретических |
работ. |
|||
Рассматривалось, |
в |
частности, |
внутреннее |
трение |
||
монокристаллов, связанное с неконсервативным движением взаимодействующих дислокаций, образующих плоские
дислокационные сетки. Таким образом, |
большинство |
|||||
исследователей |
склоняется |
к |
мнению, |
что |
||
высокотемпературный |
фон |
внутреннего |
трения |
в |
||
284
монокристаллах связан с неконсервативным движением дислокаций.
Большое практическое значение должна представлять экспериментальная задача определения фона внутреннего трения при низких температурах для некоторых веществ. Материалы с низким фоном Q-1 можно было бы использовать в качестве линий задержки упругих звуковых колебаний на определенной частоте, что важно для уменьшения шума при работе микроэлектронных приборов.
В 1995 г. Золотухин И.В. и Калинин Ю.Е. предложили считать, что фон Q-1 обусловлен движением вакансий и описывается соотношением
|
|
|
n |
|
|
|
E |
|
|
|
Q-1 ~ nl ~ n Dt ~ |
|
|
m |
|
||||||
|
exp |
|
, |
(5.75) |
||||||
1/ 2 |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
2кТ |
|
||
где - средняя длина миграции; |
D - коэффициент диффузии; |
|||||||||
E m - энергия активации миграции дефекта; - круговая
частота; n – концентрация дефектов, зависящая от температуры:
n n0 exp U0 / кТ , |
(5.76) |
где U0 - энергия образования вакансий. С учетом соотношений
(5.75) и (5.76) появляется возможность по результатам исследования высокотемпературного фона Q-1 определить энергии активации миграции и образования точечных дефектов кристаллической решетки. При этом на низкотемпературном участке фона внутреннего трения энергия
фона |
определяется |
энергией |
активации миграции, а на |
высокотемпературном |
участке |
энергия активации фона |
|
состоит из двух составляющих – энергии образования и энергии миграции дефектов точечного типа.
285