Дипломная (вкр): Установка для комплексного исследования деградации гетероструктур светодиодов

)        Все электрооборудование должно быть надежно заземлено;

)        Все провода, розетки, вилки, выключатели и пр., а также защитное заземление должны находиться в исправном состоянии;

)        Расходуемые сплавы и флюсы должны помещаться в тару, исключающую загрязнение рабочих поверхностей свинцом;

)        Рабочие места должны обеспечиваться пинцетами или другими специальными инструментами, предназначенными для перемещения изделий или сплава, обеспечивающими безопасность при пайке

)        В рабочем помещении должна храниться аптечка первой медицинской помощи.

Организация труда и отдыха при работе с ПЭВМ.

Длительность работы в помещении с ПЭВМ не должна превышать 6-и часов в день. Для обеспечения оптимальной работоспособности и сохранения здоровья профессиональных пользователей на протяжении рабочей смены должны устанавливаться регламентированные перерывы длительностью 15-20 минут. Продолжительность непрерывной работы с ПЭВМ без регламентированного перерыва не должна превышать 2-х часов.

Для предупреждения переутомления, во время перерывов следует делать упражнения для глаз, физкультурные упражнения, проветривание помещений.

Профессиональный пользователь ПЭВМ должен проходить обязательные предварительные и периодические медицинские осмотры не реже 2 раза в год.

Конструкция рабочего места и взаимное расположение всех его элементов (сиденье, органы управления, средства отображения информации т.д.) должны соответствовать антропометрическим, физиологическим и психологическим требованиям, а также характеру работы.

Высота рабочего стола, рассчитанная на средний рост человека, должна равняться 750мм. Высота сиденья 420мм. Расстояние от сиденья до нижнего края стола 150мм. Размеры свободного пространства для ног 650мм. На рабочем столе должно быть достаточно места для размещения дисплея, клавиатуры, манипулятора “мышь”, письменных принадлежностей, литературы. Также на столе должно оставаться свободное место для работы. Расстояние от глаз оператора до экрана дисплея должно составлять величину 0,5-0,7м.

Техника безопасности. Основные правила безопасной работы.

В случае обнаружения неисправности, угрожающей пожаром, взрывом или несчастным случаем (обрыв проводов, замыкание на землю, наличие напряжения на корпусах приборов и т.п.), следует обесточить оборудование и принять все необходимые меры, предупреждающие опасность и сообщить о случившемся администрации.

Во избежание поражения электрическим током не следует перемещать электроприборы, находящиеся под напряжением.

При использовании электрооборудования, не имеющего заземления, его следует располагать так, чтобы исключить одновременное касание к корпусу прибора и любому заземленному предмету. В этом случае расстояние между ними должно быть не менее двух метров.

Смену предохранителей, электроламп и др. следует производить при выключенном оборудовании.

Следует своевременно производить влажную уборку помещения, удалять пыль с оборудования и мебели, убирать использованные расходные материалы.

Запрещается:

·      Заграждать проходы, пути эвакуации, а также подходы к средствам пожаротушения, подступы к электрощитам и рубильникам.

·        Использование для работы неисправного оборудования, оборудования со снятым защитным кожухом или открытым корпусом;

·        Самостоятельно устранять неисправности оборудования или электропитания.

·        Заменять перегоревшие предохранители проволокой. Необходимо применять предохранители только калиброванные, заводского изготовления.

·        Оставлять без присмотра включенные электронагревательные приборы, электроустановки и др.

·        Применять для обогрева помещения неисправные, самодельные нагревательные приборы, а также приборы с открытым источником тепла;

·        Курить на рабочем месте.

Действия на случай пожара

Каждый, обнаруживший пожар или загорание, обязан:

)      немедленно вызвать пожарную охрану по телефону 01;

)      при необходимости вызвать газоспасательную, медицинскую и другие службы;

)      отключить электроэнергию, прекратить все работы, не связанные с тушением пожара;

)      вынести из помещения легковоспламеняющиеся, взрывоопасные материалы и наиболее ценные предметы;

)      приступить к тушению очага пожара имеющимися на рабочем месте средствами пожаротушения (огнетушитель, пожарный кран, песок, пожарный щит и т.д.);

)      принять меры по организации вызова к месту пожара руководителя подразделения и администрации.

Оказание помощи, при поражении электрическим током.

При поражении электрическим током пострадавший в большинстве случаев не может сам освободиться от воздействия тока из-за непроизвольного сжатия мышц, тяжелой механической травмы или потери сознания. Поэтому необходимо, прежде всего, освободить пострадавшего от действия тока. После освобождения пострадавшего от действия тока необходимо приступить к оказанию первой помощи:

Если пострадавший пришел в сознание, его нужно уложить на сухую подстилку и накрыть сухой одеждой. Вызвать врача. Нельзя разрешать ему двигаться, так как отрицательное действие тока может проявиться не сразу; если пострадавший без сознания, но у него устойчивое дыхание и пульс, то его необходимо удобно уложить, обеспечить приток свежего воздуха, постараться привести в сознание (брызнуть в лицо водой, поднести нашатырный спирт) и ждать врача.

При отсутствии признаков жизни (отсутствие дыхания и пульса) НЕЛЬЗЯ считать пострадавшего мертвым, так как смерть может быть кажущейся. Мероприятия по оживлению проводят в следующем порядке:

1)  восстанавливают проходимость дыхательных путей;

2)  проводят искусственное дыхание методом “рот в рот” или “рот в нос”;

3)  делают непрямой массаж сердца.

Искусственное дыхание и массаж сердца следует проводить непрерывно до прибытия врача, который должен быть вызван немедленно.

Переносить пострадавшего в другое место следует только в тех случаях, когда ему или лицу, оказывающему помощь, продолжает угрожать опасность или когда оказание помощи невозможно.

Заключение

Подводя итоги дипломного проекта, можно сказать, что проведена обширная работа по созданию лабораторного комплекса, который позволит восполнить недостаток специализированного оборудования для проведения исследований в области полупроводниковой техники, в нашем случае, светодиодов на основе GaN и дригих материалов. Проведённые нами предварительные исследования показали, что разработка такой системы является актуальной в наше время, особенно когда в стране действует программа по созданию энергосберегающего освещения. Благодаря этому имеются все предпосылки, по продолжению работы в данном направлении, для создания современной лабораторной установки.

Таким образом, в результате разработки нашей системы становится возможным выяснить природу процессов приводящих к деградации гетероструктур СИД, вклад в эти процессы различных дефектов. Усовершенствовать методику тепловых расчётов, что позволит с применением специализированных пакетов описанных выше, построить точную модель процессов происходящих в кристалле светодиода. В итоге появится возможность точного определения параметров приборов на основе GaN, прогнозирования их срока службы, усовершенствования технологии их изготовления.

Список использованных источников

1.     Никифоров С. Г. Проблемы, теория и реальность светодиодов / / Компоненты и технологии. - 2005. - №5.

2.      Абрамов В. С., Никифоров С. Г, Сушков В. П., Шишов А. В. Особенности конструирования мощных белых светодиодов // Светодиоды и лазеры. 2003. №№ 1-2.

.        Закгейм Д.А., Смирнов И.П. и др. Высокомощные синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN / / ФТП. - 2005. - т.39. - вып.7. - C. 885.

.        Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетроструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып. 7. - С. 861 - 867.

.        Ходаков А.М. Математическое моделирование теплоэлектрических процессов в структурах полупроводниковых изделий с дефектами. Автореферат дисс. к.ф.-м.н., Ульяновск, УТУ, 2010.

.        Полищук А., Туркин А. Деградация полупроводниковых светодиодов на основе нитрида галлия и его твердых растворов / / Компоненты и технологии. 2005. − №2. - C.25−28.

7.     Субач С.В. Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs / Дисс. канд. ф.-м. наук, Томск, ТГУ, 2001, 184 с.

.       Дулов О.А. Деградация электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур InGaN на SiC под воздействием электрической нагрузки / Труды 5 научно-практической конференции «Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем», Ульяновск, 19-20 июня 2007 г.

9.      Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Шретер Ю.Г. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // ФТП. - 2005. - Т. 39. - С. 829.

.        А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах // ФТП. - 2012. - Т. 46. - вып. 2. - С.219-223.

.        Анисимова Л.Л., Гутаковский А.К., Ивонин И.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Субач С.В. Образование дефектов в эпитаксиальных слоях / / Журнал структурной химии. - 2004. - Том 45. - С. 96 - 101.

.        Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Шретер Ю.Г.. ФТП. - 2005. - т. 39, С. 829.

.        Ефремов А.А., Бочкарева Н.И. и др. Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов / / ФТП - 2006. - Т.40. - вып.5. - С.621- 627.

.        Бланк Т.В. Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In - GaN / / ФТП. - 2006. - том 40. - вып. 10. - С. 1024.

.        Брудный В.Н., Кособуцкий А.В., Колин Н.Г., Корулин А.В. Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок нитрида галлия на сапфире при облучении реакторными нейтронами / / ФТП. - 2011. том 45. - вып. 4. - С.461.

.        Беспалов А.В. Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления / Автореферат дисс. к.т.н., М., МИРЭА, 2010, 123 с.

.        Бахтизин Р.З., Щуе Ч.-Ж., Щуе Ч.-К., Ву К.-Х., Сакурай Т. Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов / / УФН. 2004. - Т.174. - №4. - С. 383.

.        Еханин С.Г., Романовский М.Н., Томашевич А.А., Ермолаев А.В., Богатырева Д.В., Сапегина Н.В., Тимохина М.А., Отчет о Научно-исследовательской работе «Усовершенствование методики расчета теплопереноса в СД и СДУ» (промежуточный) Томск 2011

.        А. В. Ермолаев, И. С. Тен, Д. В. Богатырева, Н. В. Сапегина, А. А. Коровкин, студенты; А. А. Томашевич, аспирант - ЗАВИСИМОСТЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СИД ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. - Материалы Всероссийской научно- технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 16-18 мая 2012 г. - Томск: В-Спектр, 2012: В 5 частях. - Ч. 1. - 320 с.

.        А. В. Ермолаев, Д. В. Богатырева, Н. В. Сапегина, А. А. Коровкин, студенты; А. А. Томашевич, аспирант - УСТАНОВКА ДЛЯ КОМПЛЕКСНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ СИД - Материалы Всероссийской научно- технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 16-18 мая 2012 г. - Томск: В-Спектр, 2012: В 5 частях. - Ч. 1. - 320 с.

.        А. И. Головизин, Д. П. Матвеев, студенты - АВТОМАТИЧЕСКИЙ ПОСТРОИТЕЛЬ ВАХ СИД - Материалы Всероссийской научно- технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 16-18 мая 2012 г. - Томск: В-Спектр, 2012: В 5 частях. - Ч. 1. - 320 с.

.        Белкин В. Г., Бондаренко В. К. и др. Справочник радиолюбителя-конструктора. - 3-е изд., переработанное и доп. - М.: Радио и связь, 1983. - 560 с., ил.

.        Опадчий Ю. Ф., Глудкин О. П., Гуров А. И. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов. Под ред. О. П. Глудкина. - М.: Горячая линия-Телеком, 2005. - 768 с.: ил.

.        Кобрин Ю.П.. Информационные технологии проектирования РЭС. Томск, ТУСУР, 2006. - 90 с.

.        Варламов Р. Г. Краткий справочник конструктора РЭА. - М.: Сов. радио, 1972.

.        Аронов В. Л., Баюков А. В. И др. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. - М.: Энергоатомиздат, 1985.

.        Варламов Р. Г. Краткий справочник конструктора РЭА. - М.: Сов. радио, 1972.

.        Сабунин А. Е. Altium Designer. Новые решения в проектировании электронных устройств. - М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. - 432с.: ил. - (Серия «Системы проектирования»).

.        Очков В. Ф. Mathcad 14 для студентов и инженеров: русская версия. - СПб.: БХВ-Петербург, 2009. - 512 с.: ил.

.        Теверовский Л. В., Проектирование электрических изделий в КОМПАС-3D. - М.: ДМК Пресс, 2012. 168 с., ил.

.        ОС ТАСУР 6.1-97. Образовательный стандарт ВУЗа. Работы студенческие учебные и выпускные квалификационные. Общие требования и правила оформления. Ротапринт ТАСУРа, 1991. - 40 с.

.        Романычева Э.Т., Иванова А.К., Куликов А.С., Новикова Т. П. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справочное пособие - М.: Радио и связь, 1984. - 256 с., ил.

.        Романычева Э.Т., Иванова А.К., Куликов А.С. и др.: Под ред. Романычевой Э.Т. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник - М.: Радио и связь, 1989. 448 с.

Патентный поиск

Таблица А.1 - Регламент патентного поиска

Технология тепловых расчетов СИД и СУ                Изучение тенденции развития расчетов теплопереноса СИД и СУ                RU,US, EP           МПК: G,H            10 лет    www.fips.ru <http://www.fips.ru>,.uspto.gov <http://www.uspto.gov>,.espacenet.com <http://www.espacenet.com>

Таблица А.2 - Научно-техническая документация отобранная для анализа