Материал: Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике. Балашов Ю.С., Зенин В.В

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

SOT-143 (расплавление дозированного припоя); г – в корпусе SOT-89 при пайке волной припоя

Рис. 8.13. Топология и размеры контактных площадок для установки дискретных компанентов

В последние годы электронная промышленность США

224

лидирует в применении ТПМК в цифровой технике. Распределение корпусов американского производства по их пригодности к разновидностям монтажа показано в табл. 8.1.

Рис. 8.14. Форма выводов и выводных контактных площадок корпусов навесных компонентов: а – выводы для монтажа в сквозные отверстия; б – е – выводы и выводные контактные площадки для ТПМК

Таблица 8.1

Динамика изменения доли корпусов для ТПМК в общем, выпуске корпусов американского производства

Год

Для монтажа в отвер-

Для монтажа на по-

стия, %

верхности, %

 

 

 

 

1983

99

1

1984

95,7

2,5

1985

95,5

4,5

1986

88

12

1990

60 – 70

30 – 40

 

 

 

225

Список литературы

ность: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов.

 

2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1986. 464 с.

1. Автоматизация технологического оборудования мик-

12.

Измерения и контроль в микроэлектронике /

роэлектроники: Учеб. пособие для вузов по приборостр. спец. /

Н.Д. Дубовой, В.И. Осокин, А.С. Очков и др. М.: Высш.

А.А. Сазонов, Р.В. Корнилов, Н.П. Кохан и др.; Под ред.

шк., 1984. 267 с.

 

 

 

 

А.А. Сазонова. М.: Высш. шк., 1991. 334 с.

13.

Колешко В.М.

Ультразвуковая

микросварка.

2. Бушминский И.П. Изготовление элементов конструк-

Минск: Наука и техника, 1977. 328 с.

 

ций СВЧ. Волноводы и волноводные устройства: Учеб. посо-

14.

Красулин Ю.Л., Назаров Г.В. Микросварка дав-

бие для вузов. М.: Высш. шк. 1974. 304 с.

лением. М.: Машиностроение, 1976. 160 с.

 

3. Волков В.А. Сборка и герметизация микроэлектрон-

15.

Кузнецов Ю.А., Шилин В.А. Микросхемотехни-

ных устройств. М.: Радио и связь, 1982. 144 с.

ка БИС на приборах с зарядовой связью. М.: Радио и

4. Гелль П.П., Иванов-Есипович Н.К. Конструирование и

связь, 1988. 160 с.

 

 

 

 

микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры: Учеб-

16.

Мазур А.И., Алехин В.П., Шоршоров М.Х. Про-

ник для вузов. Л.: Энергоатомиздат, Ленингр; отд-ние, 1984.

цессы сварки и пайки в производстве полупроводнико-

536 с.

вых приборов. М.: Радио и связь, 1981. 224 с.

5. Глудкин О.П., Густов А.Е. Устройства и методы фото-

17.

Минскер Ф.Е. Справочник сборщика микро-

метрического контроля в технологии производства ИС. М.:

схем. М.: Высш.шк., 1992. 144 с.

 

 

Радио и связь, 1981. 112 с.

18.

Мэнгин Ч.Г., Макклелланд С. Технология по-

6. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Технология испытания

верхностного монтажа: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. 276 с.

микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интеграль-

19.

Неразрушающий контроль элементов и узлов

ных микросхем: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергия, 1980.

радиоэлектронной

аппаратуры

/ Б.Е. Бердичевский,

360 с.

Л.Г. Дубицкий, Г.М. Сушинцев,

А.П. Агеев, Под ред.

7. Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы на-

Б.Е. Бердичевского. М.: Сов. радио, 1976. 296 с.

дежности интегральных микросхем: Учеб. пособие. Воронеж:

20.

Полупроводниковые приборы: Учебник для ву-

Изд-во ВГУ, 1995. 200 с.

зов / Н.Г. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; Под ред.

8. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспе-

В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.

чение и повышение надежности полупроводниковых приборов

21.

Технология ЭВА, оборудование и автоматиза-

и интегральных схем в процессе серийного производства.

ция: Учеб. пособие для студентов вузов специальности

Минск: Изд-во «Интеграл», 1997. 390 с.

«Конструирование и производство ЭВА» / В.Г. Алексеев,

9. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие

В.Н. Гриднев, Ю.И. Нестеров и др. М.: Высш. шк., 1984.

для приборостроительных спец. вузов. 2-е изд., перераб. и доп.

392 с.

 

 

 

 

 

М.: Высш. шк., 1991. 622 с.

22.

Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Ма-

10. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектрони-

териалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. М.: 1985.

ки. Учеб. пособие для вузов. М.: Связь, 1975. 272 с.

501 с.

 

 

 

 

 

11. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микро-

23.

Ультразвуковая

микросварка /

А.А. Грачев,

электроника, Физические и технологические основы, надеж-

А.П. Кожевников,

В.А. Лебига, А.А. Росеошинский. М.:

226

 

 

 

227

 

 

Энергия, 1977. 184 с.

24.Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА: Учебник для вузов по специальности «Конструирование и производство РЭА». М.: Высш. шк., 1987. 376 с.

25.Яшин А.А. Конструирование микроблоков с общей герметизацией. М.: Радио и связь, 1985. 100 с.

26.Балашов Ю.С., Зенин В.В., Сегал Ю.Е. Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике: Учеб. пособие. Воронеж: Воронеж. гос. техн. ун.-т, 1999. 168 с.

27.Бокарев Д.И., Зенин В.В., Сегал Ю.Е. Ультразвуковая сварка внутренних выводов в силовых полупроводниковых

приборах // Техника машиностроения, 2002. № 5. С. 30-33.

Оглавление

 

Введение........................................................................................................

6

1. Особенности изготовления полупроводниковых изделий

 

электронной техники .............................................................................

8

1.1. Конструктивные элементы микроэлектронной аппаратуры .........

9

1.2. Термины и определения в производстве интегральных схем .....

14

2. Пайка кристаллов и плат к корпусам...............................................

22

2.1. Пайка кристаллов полупроводниковых приборов и ИС

 

к контактным площадкам корпусов ..............................................

22

2.2. Присоединение кристаллов к корпусам с помощью клея............

30

2.3. Пайка стеклом ..................................................................................

32

2.4. Пайка СВЧ - микрополосковых плат с основаниями

 

корпусов РЭА ..................................................................................

33

2.5. Контроль качества пайки кристаллов к корпусам ........................

37

3. Присоединение электродных выводов..............................................

40

3.1. Термокомпрессионная микросварка ..............................................

40

3.2. Сварка давлением с косвенным импульсным нагревом

 

(СКИН) .............................................................................................

45

3.3. Ультразвуковая микросварка .........................................................

46

3.4. Односторонняя контактная сварка.................................................

46

3.5. Пайка электродных выводов ..........................................................

48

3.6. Беспроволочные методы монтажа .................................................

49

3.7. Лучевые методы сварки и пайки ....................................................

56

3.7.1. Сварка лазерным излучением ..............................................

57

3.7.2. Лазерная пайка ......................................................................

58

3.7.3. Сварка и пайка излучением оптического диапазона..........

60

4. Влияние конструктивно – технологических факторов

 

на качество микросоединений полупроводниковых изделий ......

62

4.1. Инструмент для сварки и пайки внутренних

 

микросоединений ............................................................................

63

4.1.1. Технологические особенности изготовления

 

инструмента ..........................................................................

64

4.1.2. Влияние конструкции инструмента на качество

 

микросоединений..................................................................

66

4.1.3. Схватывание инструмента с выводами при монтаже ........

69

4.2. Влияние пленочной металлизации контактных площадок

 

на качество микросоединений .......................................................

71

3

4.2.1. Свариваемость алюминиевой металлизации

 

6.2. Характерные дефекты внешнего вида микросоединений..........

167

контактных площадок кремниевых кристаллов

 

6.3. Неразрушающие методы контроля качества микросоединений 170

с алюминиевой проволокой .................................................

74

6.3.1. Контроль геометрических размеров микросварных

 

4.2.2. Микросварные соединения алюминиевой проволоки

 

соединений (визуальный контроль) ..................................

171

с пленкой золота....................................................................

79

6.3.2. Контроль по электрическим характеристикам

 

4.2.3. Микросварные соединения алюминиевой проволоки

 

контактов .............................................................................

172

с пленками никеля и его сплавами ......................................

86

6.3.3. Контроль качества микросоединений

 

4.2.4. Микросварные соединения золотой проволоки

 

ультразвуковым методом ...................................................

173

с контактными площадками ГИС и микросборок..............

90

6.3.4. Контроль по тепловым параметрам зоны соединения.....

175

4.2.5. Пайка золотой микропроволоки с контактными

 

6.3.5. Использование тепловизоров для контроля

 

площадками ГИС и микросборок

 

тепловых полей ...................................................................

177

низкотемпературными припоями ........................................

99

6.4. Контроль прочности микросоединений ......................................

180

4.3. Влияние свойств соединяемых элементов и их подготовки

 

6.4.1. Контроль прочности микросоединений механическим

 

к монтажу на качество соединений .............................................

102

натяжением проволоки.......................................................

181

4.3.1. Прочность микросоединений, выполненных

 

6.4.2. Контроль обдувом струей газа ...........................................

184

термокомпрессионной и ультразвуковой сваркой,

 

6.4.3. Контроль воздействием линейных ускорений..................

185

в зависимости от механических свойств

 

6.4.4. Электромагнитный метод контроля ..................................

186

алюминиевой проволоки ....................................................

103

7. Герметизация полупроводниковых приборов, ИС

 

4.3.2. Влияние химической обработки алюминиевой

 

и микросборок в корпуса ..................................................................

189

проволоки перед сваркой на качество соединений..........

108

7.1. Холодная сварка ............................................................................

191

4.4. Зависимость качества микросоединений от технологических

 

7.2. Электроконтактная сварка ............................................................

193

режимов микросварки ...................................................................

113

7.3. Герметизация сваркой плавлением ..............................................

194

4.4.1. Влияние технологических режимов на прочность

 

7.4. Пайка ..............................................................................................

195

микросоединений при термокомпрессионной сварке .....

116

7.4.1. Герметизация корпусов микросборок пайкой ..................

196

4.4.2. Влияние технологических режимов на прочность

 

7.5. Герметизация пластмассой ...........................................................

199

микросоединений при ультразвуковой сварке .................

121

7.5.1. Герметизация прессованием пластмасс ............................

199

4.4.3. Сварка платиновой проволоки с пленкой платины..........

124

7.5.2. Литьевое прессование .........................................................

200

4.5. Номограмма для выбора режимов термокомпрессионной

 

7.6. Герметизация способами обволакивания и окунания ................

201

сварки и оценки качества микросоединений ..............................

128

7.7. Герметизация в полые пластмассовые корпуса ..........................

203

5. Сборка силовых полупроводниковых приборов...........................

132

7.8. Герметизация способом капсулирования ....................................

205

5.1. Покрытия контактных поверхностей кристаллов и

 

7.9. Контроль герметичности корпусов ..............................................

205

корпусов полупроводниковых ИЭТ.............................................

133

8. Поверхностный монтаж компонентов ............................................

208

5.2. Инструмент для сварки внутренних выводов .............................

144

8.1. Особенности поверхностного монтажа .......................................

208

5.3. Соединение полупроводниковых кристаллов с основаниями

 

8.2. Пайка волной припоя (ПВП) ........................................................

211

корпусов методом пайки...............................................................

151

8.3. Корпуса для поверхностного монтажа ........................................

214

5.4. Ультразвуковая сварка внутренних выводов ..............................

157

8.4. Контактные площадки для поверхностного монтажа ................

221

6. Контроль микросоединений изделий электронной техники.......

165

Список литературы ................................................................................

226

6.1. Некоторые особенности контроля качества микросоединений. 165

4

5

Учебное издание

Балашов Юрий Степанович Зенин Виктор Васильевич Сегал Юрий Ефимович

СБОРОЧНЫЕ ОПЕРАЦИИ

ИИХ КОНТРОЛЬ

ВМИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

ЛР № 066815 от 25.08.99.

Подписано к изданию 05.12.03. Уч.-изд.л. 14,0

Воронежский государственный технический университет

394026 Воронеж, Московский просп., 14

Источник: https://studfile.net/preview/16568893/