Материал: sb000008
45
2. Пример файла входных данных
GRID Kuzl=100 Kstep=7**********************************<
X(mkm) Step
1.9510
2.1510
5.210
13.020
51.036
53.04
352.09<
Если не указано дополнительно, здесь и далее значения координаты Х указаны в мкм
SUM(step)+1=Kuzl
GEOMETRY***********************************************<
W(mkm)=352.000 S(mm2)=100. Xme(mkm)=0.100<
DOPING CONCENTRATION: INTERPOLATION 2 GAUSS 1 TBL 0<
X(mkm) |
N1 |
N2 |
|
|
52.000 |
6.000E+004 |
6.000E+004 |
|
|
352.000 |
5.000E+009 |
5.000E+009< |
|
|
Nmax |
Xm1 |
Xm2 |
Xpn |
No |
-6.000E+009 |
0.300 |
0.30 |
2.000 |
3.000E+008< |
FULL DOPING 0< |
|
|
|
|
|
Если не указано |
дополнительно, здесь и далее значения |
||
|
концентраций примеси, концентраций электронов и |
|||
|
дырок указаны в |
ед.·1010см-3 |
|
|
MATERIAL SiC 3 |
Aval=0 kn=1.000 |
kp=1.000****************< |
||
Eps=10.03 |
ni=1.600E-18 |
Eg(eV)=3.230 |
|
|
Mn1=50.000 |
Mn2=750.000 |
|
Mp1=20.000 |
Mp2=100.000 |
RO=3.200< |
|
|
|
|
|
Значения подвижности указаны в см2/(В · сек) |
|||
RECOMBINATION Krec=3 **********************************<
X(mkm) |
Tau1 |
Tau2 |
No |
Age |
Bi |
1.800 |
0.6 |
0.0 |
7.0E6 |
0.7 |
1. |
2.000 |
0.34E-5 |
0.0 |
7.0E6 |
0.7 |
1. |
2.100 |
0.6 |
0.0 |
7.0E6 |
0.7 |
1. |
352.0 |
0.6 |
0.0 |
7.0E6 |
0.7 |
1.< |
Значения времени жизни Tau указаны в мксек,
коэффициента Оже рекомбинации в 10-30 см6/сек,
коэффициента межзонной рекомбинации в 10-12 см3/сек
HETEROZONE 0*******************************************<
SIGNAL TYPE********************************************<
Massiv=3 dTzon=0
TP(PS)=0.000E+000 TI(PS)=0.000E+000<
Здесь и далее, если не указано дополнительно,
значения временных параметров приведены в псек
SOURCE SIGNAL******************************************<
VOLTAGE DIODE 61<
-2.500 -2.550 -2.600 -2.650 -2.700 -2.750 -2.800 -2.850 -2.900 -2.950
46
-3.000 -3.050 -3.100 -3.150 -3.200 -3.250 -3.300 -3.350 -3.400 -3.450 -3.500 -3.550 -3.600 -3.650 -3.700 -3.750 -3.800 -3.850 -3.900 -3.950 -4.000 -4.050 -4.100 -4.150 -4.200 -4.250 -4.300 -4.350 -4.400 -4.450 -4.500 -4.550 -4.600 -4.650 -4.700 -4.750 -4.800 -4.850 -4.900 -4.950 -5.000 -5.050 -5.100 -5.150 -5.200 -5.250 -5.300 -5.350 -5.400 -5.450 -5.500<
CURRENT INPUT 1*************************************< 0.000<
BEAM VOLTAGE 1**************************************< 0.000<
SHEME TYPE*********************************************< ELECTROD THIRD 0<
Rsh(Ohm)=0.0 Xsh(mkm)=0.0 Lsh(nGn)=0.0 0.0<
IMPEDANCE 0<
R(Ohm)=0.0 L(nGn)=0.0
ADDITIONAL CIRCUITS 0<
PRINT OF RESULT 0**************************************< Interval=10 priznak=5<
CALCULATION********************************************< ITMAX=180 POGR=1.E-7 ALFA=0.7
BGN=0 ISIM=0 MYN=1 Mnp=0<
INPUT ENDED********************************************<
|
|
47 |
|
Оглавление |
|
Введение............................................................................................................... |
3 |
|
1. |
Моделирование профиля легирования в диодных и триодных структурах |
|
............................................................................................................................... |
|
4 |
|
1.1. Основные теоретические положения..................................................... |
4 |
|
1.2. Решение двумерного уравнения диффузии методом конечных |
|
|
элементов в системе MATLAB 7.0 ................................................................ |
5 |
|
1.3. Порядок выполнения работы................................................................ |
11 |
|
1.4. Содержание отчёта................................................................................. |
11 |
2. |
Исследование карбидокремниевого полупроводникового диода........... |
12 |
|
2.1. Основные теоретические положения................................................... |
12 |
|
2.2. Программа работы и указания по ее выполнению ............................. |
12 |
3. |
Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой............. |
13 |
|
3.1. Основные теоретические положения................................................... |
13 |
|
3.2. Программа работы и указания по ее выполнению ............................. |
18 |
4. |
Исследование кремниевого и гетероструктурного на основе GaAlAs |
|
биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером .............................. |
19 |
|
|
4.1. Основные теоретические положения................................................... |
19 |
|
4.2. Программа работы и указания по ее выполнению ............................. |
19 |
5. |
Исследование диода Ганна........................................................................... |
19 |
|
5.1. Основные теоретические положения................................................... |
19 |
|
5.2. Программа работы и указания по ее выполнению ............................. |
24 |
6. |
Исследование лавинно-пролетного диода.................................................. |
26 |
|
6.1. Основные теоретические положения................................................... |
26 |
|
6.2. Программа работы и указания по ее выполнению ............................. |
35 |
Список рекомендованной литературы............................................................ |
36 |
|
ПРИЛОЖЕНИЯ................................................................................................. |
37 |
|
1. |
Описание программы моделирования физических процессов в |
|
полупроводниковых приборах dd00701.......................................................... |
37 |
|
2. |
Пример файла входных данных................................................................... |
45 |
48
Иванов Борис Викторович, Синев Александр Евгеньевич
Компьютерное моделирование и проектирование электронных приборов
Лабораторный практикум
Редактор И. Г. Скачек
Подписано к печати . .2007. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная.
Печать офсетная. Печ. л. 3,0.
Тираж 90 экз. Заказ
Издательство СПбГЭТУ “ ЛЭТИ”
197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5