Как указывалось ранее, вследствие простоты, дешевизны, малых габаритных размеров и массы и хороших частотных и переходных характеристик резисторный каскад является основным типом каскада предварительного усиления как в транзисторных, так и в ламповых усилительных устройствах..
На рис. 2.5.1 приведены принципиальные схемы резисторных усилительных каскадов предварительного усиления с биполярным транзистором и с полевым транзистором, работающих на такие же следующие каскады;
Рис. 1. Резисторные промежуточные каскады предварительного усиления с резисторными входными цепями c полевым транзистором
сплошными линиями изображены те детали и цепи, которые определяют свойства каскада. Так как вспомогательные цепи, имеющиеся на схемах рис. 1 (цепочки фильтров СфRф, цепочки катодного смещения СкRк, эмиттерной стабилизации СэRэ и т. д.), не обязательны для резисторного каскада и могут в нем отсутствовать, то анализ свойств каскада можно упростить и проводить без учета влияния этих цепей. Для этого достаточно предположить, что емкости блокировочных конденсаторов этих цепей Сф, Ск, Сэ бесконечно велики и их сопротивления для частот сигнала равны нулю, тогда резисторы Rк,Rк,, Rэ окажутся для переменного тока накоротко замкнутыми и не войдут в эквивалентную схему каскада. При выполнении этих условий эквивалентные схемы каскадов, изображенных на рис. 1, составленные из эквивалентной схемы выходной цепи усилительного элемента рассматриваемого каскада, схемы .межкаскадной связи и эквивалентной схемы входной цепи усилительного элемента следующего каскада, примут вид, показанный на рис. 2.
Изображенная на эквивалентных схемах емкость См, (подключенная параллельно нагрузке, представляет собой емкость монтажа каскада, образуемую емкостью монтажных проводников и деталей схемы относительно шасси усилителя или общего провода. Емкость монтажа зависит от геометрических размеров и конструкции усилительных элементов и деталей, а также от их расположения. У каскадов с впаянными в схему транзисторами при миниатюрных деталях и правильном их расположении См=3..4 пФ.
Рис. 2. Эквивалентные схемы резисторных каскадов предварительного усиления, изображенных на рис. 1:
с полевым транзистором
Так как емкость конденсатора межкаскадной связи С резисторного каскада обычно на несколько порядков больше паразитных емкостей, включенных между верхним и нижним проводниками эквивалентных схем рис. 2, то все имеющиеся между верхним и нижним проводниками емкости без заметной погрешности можно заменить их суммой:
С0=Свых+См+Свх.э.сл . (1)
Схему рис. 2 можно еще упростить, заменив параллельно включенные сопротивления делителя смещения одним сопротивлением Rдел=Rд1слRд2сл/(Rд1сл+Rд2сл). После этого рассматриваемые эквивалентные схемы резисторных каскадов предварительного усиления (см.рис. 2); можно представить в обобщенном виде, изображенном на рис. 3.
Здесь Ег представляет собой ЭДС генераторам сигнала, равную Uп или Uвх; Rг — внутреннее сопротивление генератора сигнала, равное Rк.б или Ri в соответствии с обозначениями рис. 2.
Для получения более наглядных физических представлений о резисторном каскаде рассмотрим его свойства подробнее.
При подаче на вход резисторного каскада напряжения сигнала неизменной амплитуды, но
Рис. 3. Обобщенные эквивалентные схемы резисторных каскадов с электронной лампой или полевым транзистором.
различных частот ЭДС генератора Ег остается неизменной, так как транзистора в рабочем диапазоне частот усилительного элемента почти не меняется; напряжение на выходе каскада UВых или на переходе база—эмиттер следующего транзистора Uп.cл будет изменяться, так как на разных частотах диапазона сопротивления емкостей С и С0, различны. Так, с понижением частоты сигнала сопротивление конденсатора межкаскадной связи, включенного последовательно с выходными зажимами схемы, возрастает, а падение напряжения сигнала на нем увеличивается, вследствие чего выходное напряжение резисторного каскада и его (коэффициент усиления на нижних частотах уменьшаются. С повышением частоты выходное напряжение и коэффициент усиления уменьшаются из-за уменьшения сопротивления емкости С0, подключенной к выходным зажимам.
Для того чтобы коэффициент усиления резисторного каскада в рабочем диапазоне частот сохранялся почти постоянным, емкость конденсатора С берут настолько большой, чтобы она не очень уменьшала усиление на низшей частоте fн, а емкость Со стараются сделать столь малой, чтобы она не снижала заметно усиления каскада на верхней рабочей частоте fв. Поэтому в средней области частот конденсатор С обычно не влияет на частотную характеристику,
Рис. 4. Характеристики резисторного каскада: а – частотная; б – фазовая;
так как его сопротивление на этих частотах невелико и падение напряжения сигнала на нем ничтожно, а сопротивление емкости С0 на этих частотах еще очень велика ввиду малой ее величины, ток сигнала через нее ничтожен, и она, также не влияет на частотную характеристику каскада на средних частотах. Частотная и фазовая характеристики резисторного каскада изображены на рис. 4. Для анализа и вывода расчетных формул удобно всю область рабочих частот разделить на три участка: область нижних частот, в которой на усиление резисторного каскада влияет только конденсатор межкаскадной связи С, средних частот, где усиление практически постоянно, и область верхние частот, в которой на свойства каскада влияет столько емкость С0, нагружающая каскад. На этом основании полные эквивалентные схемы резисторного каскада, изображенные на рис. 4., можно преобразовать в более простые частные эквивалентные схемы для нижних, средних и верхних частот, состоящие только из элементов, которые влияют на свойства каскада в данной области частот. Это позволит еще более упростить анализ свойств и расчет каскада. Такое разделение частот и преобразование полной эквивалентной схемы в частные удобны при анализе усилительных каскадов с любой схемой межкаскадной связи, поэтому часто используются.
Так, удалив из схем рис. 3 С0, получим схемы для нижних частот; удалив С0 и закоротив С - для средних частот, а оставив С0 и закоротив С, получим схемы для верхних частот. Преобразованные таким образом и обобщенные схемы резисторного каскада на биполярном или полевом транзисторе. Для нижних, средних и верхних частот изображены на рис. 5.
Рис. 5. Преобразованные и обобщенные эквивалентные схемы резисторных каскадов: а — для нижних частот с эквивалентным генератором; б — для средних частот; в — для верхних частот с эквивалентным генератором.
На эквивалентной схеме для нижних частот рис. 5а использованы следующие обозначения: Uэкв.н и Rэкв.н — ЭДС и внутреннее сопротивление эквивалентного генератора для нижних частот:
;
,
(2)
R0 — активная составляющая сопротивления цепи вправо от разделительного конденсатора С; на эквивалентной схеме для нижних частот R0 представляет собой сопротивление заменяемой цепи между точками А и В рис. 3. Из рисунков видно, что для транзисторного резисторного каскада:
,
т. е. R0 —активная составляющая входного сопротивления следующего каскада Rвх.сл. Хотя при такой замене на схеме исчезло напряжение Uп.сл, управляющее следующим транзистором, на ней осталось напряжение Uвых, пропорциональное исчезнувшему и совпадающее с ним по фазе, а следовательно, полученная в результате замены схема рис. 5а будет иметь те же частотные и фазовые характеристики, что и первоначально рассмотренная схема рис. 3а для транзисторного каскада.
На эквивалентной схеме для средних частот (рис. 5 б) R~-сопротивление нагрузки выходной цепи усилительного элементам переменному току,
,
(3)
равное сопротивлению параллельного соединения резистора R нагрузки выходной цепи и сопротивлений всех других резисторов схемы, подключенных к нему параллельно (т. е. R0). Через Uэкв.в и Rэкв.в на рис. 5 в обозначены ЭДС и внутреннее сопротивление эквивалентного генератора для верхних частот:
;
.
(4)
Следовательно, эквивалентные схемы рис. 5 справедливы как для резисторного каскада на биполярном транзисторе так и для резисторного каскада на полевом транзисторе, но входящие в них элементы имеют различные значения. Это позволяет вести анализ таких каскадов совместно.
Заменив Ег на Uвх и Rг на внутреннее сопротивление полевого транзистора в точке покоя Riт.п, из эквивалентной схемы для средних частот (см. рис. 5 б) нетрудно найти коэффициент усиления напряжения резисторного каскада с полевым транзистором К, равный отношению выходного напряжения каскада к входному в области средних частот:
.
(5)
Для полевых транзисторов полученное выражение неудобно, так как у них очень сильно зависит от положения рабочей точки и найти его трудно; заменив в (5) на Sт.пRiт.п, где Sт.п — статическая крутизна характеристики тока стока в точке покоя, получим:
,
(6)
где Rэкв.в — сопротивление эквивалентного генератора на верхних частотах и, как показано выше, равное параллельному соединению Ri.е.пR~, а следовательно, параллельному соединению Riт.п, R и R0. Так как в каскадах с полевыми транзисторами Riт.п>>R~, то в знаменателе формулы (6) можно пренебречь величиной R~ по сравнению с Riт.п и получить:
.
(7)
Этим выражением обычно и пользуются для расчета коэффициента усиления резисторных каскадов с полевыми транзисторами, так как определение статической крутизны характеристики Sт..п в точке покоя графически затруднений не представляет.
Коэффициент усиления промежуточных широкополосных каскадов с полевыми транзисторами рассчитывают по еще более простой формуле:
(8)
При расчете каскадов с биполярными транзисторами обычно пользуются не коэффициентом усиления напряжения, а коэффициентом усиления тока Кт, представляющим собой отношение тока сигнала в базе следующего каскада IБтсл к току сигнала IБт в цепи базы рассчитываемого каскада (см. рис. 1а):
(9)
где Rвх.тр.сл — входное сопротивление транзистора следующего каскаде, a R~ — сопротивление нагрузки цепи коллектора рассчитываемого каскада для тока сигнала, равное согласно формуле (3) параллельному соединению R, Rвх.тр.сл и Rд.сл.