Материал: Исследование аналоговых каскадов на дискретных элементах методом схемотехнического моделирования. Акимов В.И

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

KE = .

36

ФОРМУЛЫ ПЕРЕСЧЁТА ОБОБЩЁННЫХ H, Y и Z ПАРАМЕТРОВ БПТ

Значения обобщённых параметров БПТ.

Электрический

параметр БПТ

Определение

Основные соотношения между обобщёнными параметрами

Входное z11

сопротивление

│U1/ I1│при

I2 = 0

y22 / ΔY

ΔH / h22

y22Z

ΔH *z22

Обратное z12

сопротивление

│U1/ I2│при

I1 = 0

y12 / ΔY

h12 / h22

- y12* ΔZ

h12 / z22

Прямое z21

сопротивление

│U2/ I1│при

I2 = 0

- y21 Y

- h21/ h22

- y21Z

- h21/ z22

Выходное z22

сопротивление

│U2/ I2│при

I1 = 0

y11 / ΔY

1 / h22

y11Z

z11H

Входная y11

проводимость

│I1/ U1│при

U2 = 0

1 / h11

z22 Z

y22 / ΔH

z22 * ΔY

Обратная y12

проводимость

│I1/ U2│при

U1 = 0

- h12/ h11

z12 Z

- h12/ y11

- z12 Y

Крутизна S = y21 характ - ки

│I2/ U1│при

U2 = 0

h21/ h11

- z21/ ΔZ

h21* y11

- z21* ΔY

Выходная y22

проводимость

│I2/ U2│при

U1 = 0

ΔH / h11

z11 Z

ΔH * y11

z11* ΔY

Входное h11

сопротивление

│U1/ I1│при

U2 = 0

ΔZ / z22

1 / y11

ΔZ * h22

ΔH / y22

Обратный h12

коэф. перед-и

│U1/U2│при

I1 = 0

z12 / z22

- y12 / y11

z12* h22

- y12* h11

Прямой h21

коэф. перед-и

│I2/I1│при

U2 = 0

- z21/ z22

y21 / y11

- z21/ h22

y21* h11

Выходная h22

проводимость

│I2/ U2│при

I1 = 0

1 / z22

ΔY / y11

ΔH / z11

ΔY * h11

ΔY = (y11* y22 - y12* y21); ΔH = (h11*h22 - h12* h21); ΔZ = (z11* z22 - z12* z22)

37

Приложение 4.

Вольтамперные характеристики транзисторов для заданных вариантов (N)

Вариант № 8 (N = 8)

Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N2222 А (аналог КТ 3117 А) для схемы с ОЭ

Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N2222 А (аналог КТ 3117 А) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N2222 А (аналог КТ 3117 А) для схемы с ОЭ

38

Вариант № 4 (N = 4)

Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N2368 (аналог КТ 3102 А) для схемы с ОЭ

Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N2368 (аналог КТ 3102 А) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N2368 (аналог КТ 3102 А) для схемы с ОЭ

39

Вариант № 6 (N = 6)

Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N3390 (аналог КТ 373 А) для схемы с ОЭ

Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N3390 (аналог КТ 373 А) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N3390 (аналог КТ 373 А) для схемы с ОЭ

40

Вариант № 10 (N = 0)

Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N3903 (аналог КТ 375 A) для схемы с ОЭ

Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N3903 (аналог КТ 375 A) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N3903 (аналог КТ 375 A) для схемы с ОЭ

41

Вариант № 2 (N = 2)

Статические ВАХ n-p-n БПТ ВС 109 В (ВР); (Аналог КТ 342 Б)

Входные ВАХ биполярного n-p-n транзистора BC 109 B (Аналог: КТ 342 Б)

Выходные ВАХ биполярного n-p-n транзистора BC 109 B (Аналог: КТ 342 )

42

Вариант № 1 (N = 1)

Статические ВАХ p-n-p БПТ 2N 2906 (аналог КТ 313 А) для схемы с ОЭ

Входные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2906 (аналог КТ 313 А) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2906 (аналог КТ 313 А) для схемы с ОЭ

43

Вариант № 3 (N = 3)

Статические ВАХ p-n-p БПТ 2N 3906 (аналог КТ 361 Г) для схемы с ОЭ

Входные ВАХ p-n-p БПТ 2N 3906 (аналог КТ 361 Г) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ p-n-p БПТ 2N 3906 (аналог КТ 361 Г) для схемы с ОЭ

44

Вариант № 5 (N = 5)

Статические ВАХ p-n-p БПТ 2N 2946 А (аналог КТ 208 К) с ОЭ

Входные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2946 (аналог КТ 208 К) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2946 (аналог КТ 208 К) для схемы с ОЭ

45

Вариант № 9 (N = 9)

Статические ВАХ p-n-p БПТ BC 212 А (аналог КТ 3107 Б) с ОЭ

Входные ВАХ p-n-p БПТ BC 212 А (аналог КТ 3107 Б) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ p-n-p БПТ BC 212 А (аналог КТ 3107 Б) для схемы с ОЭ

46

Вариант № 7 (N = 7)

Статические ВАХ p-n-p БПТ BC 178 А (аналог КТ 349 В)с ОЭ

Входные ВАХ p-n-p БПТ BC 178 A (аналог КТ 349 B) для схемы с ОЭ

Выходные ВАХ p-n-p БПТ BC 178 (аналог КТ 349 A) для схемы с ОЭ

47

Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ ТРАНЗИСТОРНЫХ

КАСКАДОВ

1.1. Цель работы

Основной целью данной работы является исследование частотных свойств и влияние на них величин элементов различных схем на биполярных и полевых транзисторах.

1.2. Домашнее задание

  1. Изучить теоретические разделы курса [1, с. 162-169] или [3, с. 5-23], материалы лекций и настоящее руководство.

  2. По данным из предыдущей лабораторной работы № 2 (Н-параметрам) рассчитать физические параметры БПТ.

  3. Для схемы ОЭ определить верхнюю (по уровню Мв = G,N дБ) и нижнюю (по уровню Мн = (4 - G),S дБ) граничные частоты полос пропускания по физическим параметрам и данным из предыдущей лабораторной работы № 2 (сопротивления источника, нагрузки и делителя напряжения на базе), а также приняв СР1 = 2*G мкФ, СР2 = (15-G) мкФ, СЭ = 5N мкФ, СН = 25 + (N ± G) пФ и = 1N («+» при четном N, «-» при нечетном).

  4. Определить верхние граничные частоты по уровню Мв схем ОБ (на БПТ) и ОИ (на ПТ), используя данные из предыдущей лабораторной работы (ток коллектора выбранного БПТ, а также крутизну проходной характеристики полевого транзистора), приняв при этом: C11и = (2G+N) пФ, C12и = G пФ и CМ = (G+1) пФ.

  5. Подготовить таблицы и графики для построения АЧХ.

48

1.3. Исходные теоретические данные

Формулы пересчета обобщенных Н-параметров в физические следующие:

, , , .

Ш ирокополосные усилительные каскады в идеале должны иметь равномерную амплитудно-частотную характеристику( АЧХ) во всем диапазоне рабочих частот. Однако реальным схемам свойственны спады АЧХ как в области нижних частот( НЧ), так и в высокочастотной области, которые определяют границы полосы пропускания усилителя.

В области НЧ на АЧХ транзисторных каскадов оказывают влияние разделительные конденсаторы в входной СР1 и выходной СР2 цепях, а также блокировочные конденсаторы СЭ И), включенные в цепи эмиттера (истока) параллельно резистору RЭ( RИ) (рис. 1.6).

Р азделительные конденсаторы СР1 и СР2 предназначены для сохранения режима каскада по постоянному току при подключении источника сигнала и нагрузки. Данные конденсаторы оказываются включенными последовательно с внутренним сопротивлением источника сигнала RИСТ и выходным сопротивлением каскада RВЫХ соответственно. Поскольку с уменьшением частоты сопротивление конденсатора возрастает, уменьшаются коэффициенты передач входной и выходной цепей, что приводит к падению сквозного коэффициента усилителя. Это обусловливает спад АЧХ в области НЧ, и возникновению частотных искажения в области нижних частот. Эквивалентная схема каскада ОЭ для НЧ области приведена на рис. 2.1,а, откуда легко найти коэффициент передачи входной цепи

(2.1)

где

49

а RВХ определяется h11Э.

Из (2.1) следует, что граничная частота полосы пропускания входной цепи по уровню 3дБ равна

(2.2)

где ТВХ = СР1(RЭКВ+RИСТ), а .

Аналогично для выходной цепи

и

(2.3)

Рис. 2.1 Эквивалентные схемы каскада ОЭ в НЧ области

где ТВЫХ = СР2(RВЫХ + RН), RВЫХ = 1/h22Э.

Рассмотрим теперь влияние на искажения в области НЧ блокировочной емкости СЭ. В предыдущей работе было установлено, что наличие резистора RЭ является весьма желательным с точки зрения стабилизации режима каскада по постоянному току. Вместе с

50

т ем, согласно (1.1) снижает усилительные возможности каскада для переменного тока. Примирить эти противоречия позволяет

Рис. 2.2. Эквивалентные схемы каскада ОЭ в ВЧ (б) области

в ключение параллельно RЭ блокировочного конденсатора СЭ большой емкости. В этом случае коэффициент усиления каскада ОЭ

равен

(2.4)

где ZСЭ() = 1/CЭ.

Если CЭ достаточно велико, то на средних частотах ZСЭ  0 и КУ будет иметь высокое значение. Однако по мере уменьшения частоты сопротивление ZСЭ становится значительным и коэффициент усиления уменьшается, что приводит к спаду АЧХ, т. е. частотным искажениям в НЧ области.

Из (2.4) легко получить выражение для коэффициента передачи усилителя в операторной форме

Источник: https://studfile.net/preview/16566731/