KE
=
.
36
ФОРМУЛЫ ПЕРЕСЧЁТА ОБОБЩЁННЫХ H, Y и Z ПАРАМЕТРОВ БПТ
Значения обобщённых параметров БПТ.
Электрический параметр БПТ |
Определение |
Основные соотношения между обобщёнными параметрами |
|||
Входное z11 сопротивление |
│U1/ I1│при I2 = 0 |
y22 / ΔY |
ΔH / h22 |
y22*ΔZ |
ΔH *z22 |
Обратное z12 сопротивление |
│U1/ I2│при I1 = 0 |
y12 / ΔY |
h12 / h22 |
- y12* ΔZ |
h12 / z22 |
Прямое z21 сопротивление |
│U2/ I1│при I2 = 0 |
- y21 /ΔY |
- h21/ h22 |
- y21*ΔZ |
- h21/ z22 |
Выходное z22 сопротивление |
│U2/ I2│при I1 = 0 |
y11 / ΔY |
1 / h22 |
y11*ΔZ |
z11/ΔH |
Входная y11 проводимость |
│I1/ U1│при U2 = 0 |
1 / h11 |
z22 /ΔZ |
y22 / ΔH |
z22 * ΔY |
Обратная y12 проводимость |
│I1/ U2│при U1 = 0 |
- h12/ h11 |
z12 /ΔZ |
- h12/ y11 |
- z12 *ΔY |
Крутизна S = y21 характ - ки |
│I2/ U1│при U2 = 0 |
h21/ h11 |
- z21/ ΔZ |
h21* y11 |
- z21* ΔY |
Выходная y22 проводимость |
│I2/ U2│при U1 = 0 |
ΔH / h11 |
z11 /ΔZ |
ΔH * y11 |
z11* ΔY |
Входное h11 сопротивление |
│U1/ I1│при U2 = 0 |
ΔZ / z22 |
1 / y11 |
ΔZ * h22 |
ΔH / y22 |
Обратный h12 коэф. перед-и |
│U1/U2│при I1 = 0 |
z12 / z22 |
- y12 / y11 |
z12* h22 |
- y12* h11 |
Прямой h21 коэф. перед-и |
│I2/I1│при U2 = 0 |
- z21/ z22 |
y21 / y11 |
- z21/ h22 |
y21* h11 |
Выходная h22 проводимость |
│I2/ U2│при I1 = 0 |
1 / z22 |
ΔY / y11 |
ΔH / z11 |
ΔY * h11 |
ΔY = (y11* y22 - y12* y21); ΔH = (h11*h22 - h12* h21); ΔZ = (z11* z22 - z12* z22)
37
Приложение 4.
Вольтамперные характеристики транзисторов для заданных вариантов (N)
Вариант № 8 (N = 8)
Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N2222 А (аналог КТ 3117 А) для схемы с ОЭ
Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N2222 А (аналог КТ 3117 А) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N2222 А (аналог КТ 3117 А) для схемы с ОЭ
38
Вариант № 4 (N = 4)
Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N2368 (аналог КТ 3102 А) для схемы с ОЭ
Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N2368 (аналог КТ 3102 А) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N2368 (аналог КТ 3102 А) для схемы с ОЭ
39
Вариант № 6 (N = 6)
Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N3390 (аналог КТ 373 А) для схемы с ОЭ
Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N3390 (аналог КТ 373 А) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N3390 (аналог КТ 373 А) для схемы с ОЭ
40
Вариант № 10 (N = 0)
Статические ВАХ n-p-n БПТ 2N3903 (аналог КТ 375 A) для схемы с ОЭ
Входные ВАХ n-p-n БПТ 2N3903 (аналог КТ 375 A) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ n-p-n БПТ 2N3903 (аналог КТ 375 A) для схемы с ОЭ
41
Вариант № 2 (N = 2)
Статические ВАХ
n-p-n
БПТ ВС 109 В (ВР); (Аналог КТ 342 Б)
Входные ВАХ биполярного n-p-n транзистора BC 109 B (Аналог: КТ 342 Б)
Выходные ВАХ биполярного n-p-n транзистора BC 109 B (Аналог: КТ 342 )
42
Вариант № 1 (N = 1)
Статические ВАХ p-n-p БПТ 2N 2906 (аналог КТ 313 А) для схемы с ОЭ
Входные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2906 (аналог КТ 313 А) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2906 (аналог КТ 313 А) для схемы с ОЭ
43
Вариант № 3 (N = 3)
Статические ВАХ p-n-p БПТ 2N 3906 (аналог КТ 361 Г) для схемы с ОЭ
Входные ВАХ p-n-p БПТ 2N 3906 (аналог КТ 361 Г) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ p-n-p БПТ 2N 3906 (аналог КТ 361 Г) для схемы с ОЭ
44
Вариант № 5 (N = 5)
Статические ВАХ p-n-p БПТ 2N 2946 А (аналог КТ 208 К) с ОЭ
Входные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2946 (аналог КТ 208 К) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ p-n-p БПТ 2N 2946 (аналог КТ 208 К) для схемы с ОЭ
45
Вариант № 9 (N = 9)
Статические ВАХ p-n-p БПТ BC 212 А (аналог КТ 3107 Б) с ОЭ
Входные ВАХ p-n-p БПТ BC 212 А (аналог КТ 3107 Б) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ p-n-p БПТ BC 212 А (аналог КТ 3107 Б) для схемы с ОЭ
46
Вариант № 7 (N = 7)
Статические ВАХ p-n-p БПТ BC 178 А (аналог КТ 349 В)с ОЭ
Входные ВАХ p-n-p БПТ BC 178 A (аналог КТ 349 B) для схемы с ОЭ
Выходные ВАХ p-n-p БПТ BC 178 (аналог КТ 349 A) для схемы с ОЭ
47
Лабораторная работа № 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ ТРАНЗИСТОРНЫХ
КАСКАДОВ
Основной целью данной работы является исследование частотных свойств и влияние на них величин элементов различных схем на биполярных и полевых транзисторах.
Изучить теоретические разделы курса [1, с. 162-169] или [3, с. 5-23], материалы лекций и настоящее руководство.
По данным из предыдущей лабораторной работы № 2 (Н-параметрам) рассчитать физические параметры БПТ.
Для схемы ОЭ
определить верхнюю (по уровню Мв = G,N
дБ) и нижнюю (по уровню Мн = (4 - G),S дБ)
граничные частоты полос пропускания
по физическим параметрам и данным из
предыдущей лабораторной работы № 2
(сопротивления источника, нагрузки и
делителя напряжения на базе), а также
приняв СР1
= 2*G
мкФ, СР2 =
(15-G)
мкФ, СЭ =
5N
мкФ, СН =
25 + (N
± G)
пФ и
= 1N
(«+» при четном N,
«-» при нечетном).
Определить верхние граничные частоты по уровню Мв схем ОБ (на БПТ) и ОИ (на ПТ), используя данные из предыдущей лабораторной работы (ток коллектора выбранного БПТ, а также крутизну проходной характеристики полевого транзистора), приняв при этом: C11и = (2G+N) пФ, C12и = G пФ и CМ = (G+1) пФ.
Подготовить таблицы и графики для построения АЧХ.
48
Формулы пересчета обобщенных Н-параметров в физические следующие:
,
,
,
.
Ш
ирокополосные
усилительные каскады в идеале должны
иметь равномерную амплитудно-частотную
характеристику( АЧХ) во всем диапазоне
рабочих частот. Однако реальным схемам
свойственны спады АЧХ как в области
нижних частот( НЧ), так и в высокочастотной
области, которые определяют границы
полосы пропускания усилителя.
В
области НЧ на АЧХ транзисторных каскадов
оказывают влияние разделительные
конденсаторы в входной СР1
и выходной СР2
цепях, а также блокировочные конденсаторы
СЭ (СИ),
включенные в цепи эмиттера (истока)
параллельно резистору RЭ(
RИ)
(рис. 1.6).
Р
азделительные
конденсаторы СР1
и СР2
предназначены для сохранения режима
каскада по постоянному току при
подключении источника сигнала и нагрузки.
Данные конденсаторы оказываются
включенными последовательно с внутренним
сопротивлением источника сигнала RИСТ
и выходным сопротивлением каскада RВЫХ
соответственно. Поскольку с уменьшением
частоты сопротивление конденсатора
возрастает, уменьшаются коэффициенты
передач входной и выходной цепей, что
приводит к падению сквозного коэффициента
усилителя. Это обусловливает спад АЧХ
в области НЧ, и возникновению частотных
искажения в области нижних частот.
Эквивалентная схема каскада ОЭ для НЧ
области приведена на рис. 2.1,а, откуда
легко найти коэффициент передачи входной
цепи
(2.1)
где
49
а RВХ определяется h11Э.
Из (2.1) следует, что граничная частота полосы пропускания входной цепи по уровню 3дБ равна
(2.2)
где ТВХ
= СР1(RЭКВ+RИСТ),
а
.
Аналогично для выходной цепи
и
(2.3)
Рис. 2.1 Эквивалентные схемы каскада ОЭ в НЧ области
где ТВЫХ = СР2(RВЫХ + RН), RВЫХ = 1/h22Э.
Рассмотрим теперь влияние на искажения в области НЧ блокировочной емкости СЭ. В предыдущей работе было установлено, что наличие резистора RЭ является весьма желательным с точки зрения стабилизации режима каскада по постоянному току. Вместе с
50
т
ем,
согласно (1.1) снижает усилительные
возможности каскада для переменного
тока. Примирить эти противоречия
позволяет
Рис. 2.2. Эквивалентные схемы каскада ОЭ в ВЧ (б) области
в
ключение
параллельно RЭ
блокировочного конденсатора СЭ
большой емкости. В этом случае коэффициент
усиления каскада ОЭ
равен
(2.4)
где ZСЭ() = 1/CЭ.
Если CЭ достаточно велико, то на средних частотах ZСЭ 0 и КУ будет иметь высокое значение. Однако по мере уменьшения частоты сопротивление ZСЭ становится значительным и коэффициент усиления уменьшается, что приводит к спаду АЧХ, т. е. частотным искажениям в НЧ области.
Из (2.4) легко получить выражение для коэффициента передачи усилителя в операторной форме