Материал: FKhOT_1_Obschie_svedenia_i_vyraschivanie_slitkov

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ

Тема 1. Общие сведения о технологии ИМС. Выращивание слитков кремния

Конспект лекций Смирнов В.И., кафедра ПиТЭС, УлГТУ

Изд-во УлГТУ. 2005. – 111 с.

Общие сведения об интегральных микросхемах

Интегральная микросхема (ИМС) — это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, которые могут рассматриваться как единое целое, выполнены в едином технологическом процессе и заключены в герметизированный корпус.

ИМС классифицируют по следующим признакам:

-по виду обрабатываемого сигнала;

-по степени интеграции;

-по функциональному назначению;

-по технологии изготовления.

Классификация интегральных микросхем по технологии

По технологии изготовления ИС делятся на две основные группы: полупроводниковые и гибридные микросхемы.

Полупроводниковые ИС

Структура транзисторов биполярного (а), полевого (б) и резистора (в)

Ограничения полупроводниковой технологии ИС Невозможность изготовления прецизионных резисторов

(технологический разброс параметров порядка 10 %).

Проблемы с изготовлением резисторов и конденсаторов больших номиналов

Проблемы с большой рассеиваемой тепловой мощностью

Взависимости от технологии формирования пассивных элементов различают тонкопленочные и толстопленочные ГИС

Вотдельные группы выделяют пленочные и совмещенные ИС. Пленочные ИС – это наборы элементов (резисторов или конденсаторов)

Всовмещенных ИС активные элементы (транзисторы и диоды) формируются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины, а пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и т.д.) – на ее поверхности по пленочной технологии.