Материал: Рабочая программа учебной дисциплины «Технические устройства контроля технологических процессов в оборудовании электронной промышленности». Акулинин С.А., Щетинин А.А

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

2.Батавин В.В., Концевой Ю.А. ,Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.— М.: Радио и связь , 1985.—263 с.

3.Измерения и контроль в микроэлектронике под ред. Сазонова А.А.,- М.: Высшая школа, 1984.-367 с.

в) Дополнительная литература

1. Колешко В.М., Гойденко П, П, Буйко Л.Д. Контроль в технологии микроэлектроники,- Минск, Наука и техника,1973.-311 .

2.Методы анализа поверхностей, под ред. Зандерны А.,-М.: Мир,1978.- 582 с.

5.2.Средста обеспечения усвоения дисциплины.

(указывается перечень обучающих, контролирующих и расчетных компьютерных программ, диафильмов, видеофильмов).

6.Материально-техническое обеспечение дисциплины.

-установка зондовых измерений удельного сопротивления

-установка для измерения параметров полупроводниковых материалов ИППМ

-растровый электронный микроскоп — РЭМ-100

-электронный микроскоп — микроанализатор ЭММА-2

-персональный компьютер IBM PC—3шт.

7.Рекомендуемый перечень тем практических занятий.

Не предусмотрены.

8. Рекомендуемый перечень семинарских и иных занятий.

Не предусмотрены

9.Дополнительный учебно-методический материал.

Не предусмотрен

Приложение 1

Календарный план чтения лекций

Номер и краткое название темы (лекции)

Дата и номер недели

Примечание

1. Введение. Предмет и задачи курса. Основные проблемы контроля технологических операций микроэлектроники

1 н.

2. Методы измерения удельного сопротивления. Двухзондовый метод. Четырехзондовый метод

1 н.

3. Метод Ван-дер-Пау

3 н.

4. Зондовые методы измерения проводимости эпитаксиальных пленок

3 н.

5. Высокочастотные бесконтактные методы измерений. Индуктивный метод. Емкостный метод. Установка ИПС-03 Ф01.02

5 н.

6. Измерение профиля распределения концентрации примесей по толщине монокристаллов и полупроводниковых слоев

5 н.

7. Ограничения и погрешности метода ВФХ барьера Шотки. Измерительные схемы

7 н.

8. Измерения профиля распределения примесей и параметров МДП-структур по ВФХ

7 н.

9. Измерения геометрических параметров полупроводниковых пластин и структур. Инфракрасная интерферометрия

9 н.

10. Методы контроля тонких эпитаксиальных слоев. Инфракрасная эллипсометрия

9 н.

11. Методы контроля толщины и электрических параметров тонких диэлектрических пленок

11 н.

12. Методы исследования поверхности твердых тел, основанные на вторичной эмиссии. Электронная Оже-спектроскопия. Дифракция электронов низкой энергии

11 н.

13. Методы исследования электронных состояний, основанные на фотоэлектронной эмиссии. Физические принципы. Рентгеноэлектронная спектроскопия (ЭСХА). Фотоэлектронная спектроскопия

13 н.

14. Методы, основанные на вторичной ионной эмиссии. Физические принципы. Возможности ограничений метода МСВИ

13 н.

15. Растровая электронная микроскопия. Физические основы метода. Структура и основные узлы РЭМ. Применение метода для контроля полупроводниковых структур

15 н.

16. Электронно-зондовый микроанализ. Физические принципы метода. Структура и основные узлы установки. Возможности метода

15 н.

17. Контроль структурного совершенства полупроводниковых материалов. Электронная просвечивающая микроскопия

17 н.

Приложение 2

План-график самостоятельной работы

№ недели

Вид работы

Норматив час/задание

Объем (кол-во заданий)

Трудоемкость (час)

Всего за неделю (час)

1

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

2

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

-

3

-

1

-

3

-

3

3

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

3

1

3

3

4

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

5

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

6

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

-

3

-

1

-

3

-

3

7

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

8

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

-

4

-

1

-

4

-

4

9

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

10

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

-

3

-

1

-

3

-

3

11

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

3

1

3

3

12

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

13

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

3

1

3

3

14

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

-

3

-

1

-

3

-

3

15

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

4

1

4

4

16

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

1

1

1

17

Самостоятельное изучение материала

Подготовка к лабораторным занятиям

1

4

1

1

1

4

5

Итого

41

Приложение 3

Мотивированное заключение о соответствии

рекомендованной литературы лицензионным нормам

Литература

Количество экз.

Обеспеченность

Заключение

Основная

1

15

0.6

соответствует

Дополнительная

1

2

0.1

не соответствует

Методические указания для самост. раб.

6

На магнитных носителях

доступно

на кафедре

Рабочая программа

УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

«ТЕХНИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ОБОРУДОВАНИИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ»

для студентов специальности 210107 «Электронное машиностроение»

физико-технического факультета

очная форма обучения

5 курс

Составитель: Акулинин Станислав Алексеевич

В авторской редакции

Подписано к изданию

Уч.-изд. л.

Воронежский государственный технический университет

394026 Воронеж, Московский проспект, 14.

Источник: https://studfile.net/preview/16568996/