Задача №3
Нарисовать схему одиночного усилительного каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией и выполнить расчет элементов схемы, задающих рабочую точку.
Выполнить графоаналитический расчет усилительного каскада в режиме класса “А”. При расчетах использовать выходные статические характеристики транзистора.
Исходные данные:
Тип транзистора: КТ3127А
UK0 6(B)
IK0 8(мА)
Решение
Расчет элементов схемы одиночного усилительного каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией, принципиальная схема которого приведена на рис. 3, выполняется в следующей последовательности.
Рис 3
В рассматриваемом каскаде БТ работает в режиме “А”, и положение рабочей точки задается примерно на середине нагрузочной прямой. Поэтому напряжение источника
питания определяется из условия UИП 2UК0 2 6 12(B), а напряжение на резисторе RK определяется выражением
URK UИП UK0 UK0 6(B)
Падение напряжение на резисторе RЭ рекомендуется выбирать из диапазона
значений UЭ (0,05...0,1)UИП . |
|
|||||||||||||||
UЭ 0,07 UИП |
|
0,07 12 0.84(B) |
||||||||||||||
Вычисляем сопротивление резисторов: |
||||||||||||||||
R |
|
|
U |
Э |
|
UR |
|
|
|
|
0.84 |
105(Ом) |
||||
Э |
|
|
|
|
Э |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
IК0 |
|
8 |
10 3 |
||||||||||
|
|
|
IЭ |
|
|
|
|
|
|
|||||||
R |
K |
|
URK |
|
|
|
|
6 |
|
|
750(Ом) |
|||||
|
IК0 |
|
|
8 10 3 |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
6
Напряжение UБЭ для кремниевых транзисторов лежит в диапазоне 0,6…0,8 В Принимаем UБЭ 0,7(B).
Напряжение на базе определяется как
UБ UБЭ UЭ 0.7 0,84 1,54(B)
С учетом связи между токами транзистора |
IK |
15, найдем ток базы: |
||||||||
IБ |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
I |
Б |
|
I |
K |
|
8 10 3 |
0.53(мА) |
|
|
|
|
15 |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
Для обеспечения хорошей стабилизации рабочей точки ток делителя в цепи базы должен быть больше тока базы IД (5...10)IБ .
Принимаем IД 10 IБ 10 0.53 10 3 5.3(мА)
Сопротивления резисторов делителя находим согласно выражениям:
R UБ |
1.54 |
|
291(Ом) |
|
|
||
5.3 10 3 |
|
|
|||||
2 |
IД |
|
|
|
|||
R |
UИП UБ |
|
|
12 1.54 |
|
1.79(кОм) |
|
|
5.3 10 3 0.53 |
10 3 |
|||||
1 |
IД IБ |
|
|||||
Графоаналитический расчет усилителя проводим в следующем порядке. По справочникуопределяем его максимально допустимые параметры:
- постоянный ток коллектора IK max 20(мА);
-постоянное напряжение коллектор-эмиттер UKЭmax 20(В);
-постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max IKUKЭ 100(мВТ).
На семействе выходных характеристик транзистора, как показано на рис. 4, строим область допустимых режимов, ограниченную IK max,UKЭmax,PK max .
Выполняем построение нагрузочной прямой, которая описывается уравнением
IK (UИП UКЭ )/ RK . Прямая проводится через две точки , лежащие на осях
координат: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- точку с координатами IK |
0,UКЭ UИП 12(В) на оси напряжений; |
||||||||
- точку с координатами I |
K |
|
UИП |
|
12 |
16(мА),U |
КЭ |
0. |
|
RK |
750 |
||||||||
|
|
|
|
|
|||||
7
IKmax
UИП
RK
PKmax
С |
UKЭmax |
IKm1 |
IK0 |
t |
O |
IKm2 |
|
|
В |
UK0 |
UИП |
UKm1 UKm2 |
|
t
Рис 4
Максимальные значения амплитуды полуволн неискаженного сигнала соответствуют пересечению нагрузочной прямой с статическими характеристиками в точке “C” – режим насыщения и в точке “В” – режим отсечки.
Рабочая точка “O” находится на середине нагрузочной прямой, тогда
UKm |
UKm1 UKm2 |
|
|
11 3 |
4(B); |
|||
|
2 |
|
||||||
|
2 |
|
|
|
|
|
||
IKm |
IKm1 IKm2 |
|
11 1.5 |
4.75(мA). |
||||
2 |
|
2 |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|||
Максимальная мощность неискаженного сигнала определяется выражением:
PKm 12UKmIKm 12 4 4.75 10 3 9.5(мВт)
Мощность, потребляемая от источника питания:
P0 UK0IK0 7 6 10 3 42(мВт)
Тогда коэффициент полезного действия:
|
P |
9.5 10 |
3 |
0.226 |
||
|
Km |
|
|
|
|
|
|
42 |
10 3 |
||||
|
P |
|
||||
|
0 |
|
|
|
|
|
8
Задача №4
Нарисовать схему электронного ключа на БТ с ОЭ и построить его передаточную характеристику Uвых f (Uвх ). Если сопротивление нагрузки RH 5RK . Тип транзистора,
напряжение питания сопротивление резистора в цепи коллектора использовать в соответствии с исходными данными и решением задачи №1. Сопротивление резистора в
цепи базы принять равным входному сопротивлению БТ RБ h11Э рассчитанному для рабочей точки.
Исходные данные:
Тип транзистора: КТ3127А
UK0 6(B)
IK0 8(мА)
Решение
Передаточная характеристика Uвых f (Uвх ) электронного ключа на БТ,
принципиальная схема которого представлена на рис 5, выполняется в следующей последовательности.
Находим параметры эквивалентной схемы ключа, показанной на рис. 6:
RH 5RK |
5 750 3.75(кОм) |
|
|||||||||||
U |
|
|
U |
|
|
RН |
|
12 |
|
3750 |
10(B); |
||
ИПэкв |
ИП R |
R |
7550 3750 |
||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
K |
|
Н |
|
|
|
|
|
R |
|
|
RK RН |
|
750 3750 |
625(Ом) |
|||||||
|
|
750 3750 |
|||||||||||
Кэкв |
|
|
R |
R |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
K |
|
Н |
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 5
Рис. 6
9
На семействе выходных характеристик БТ |
IK |
f (UKЭ ) |
|
IБ const |
проводим |
||||||||||
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
нагрузочную прямую (рис. 7), описываемую уравнением |
|
IK |
UИПэкв UКЭ , |
через две |
|||||||||||
точки, лежащие на осях координат: |
|
|
|
|
|
RКэкв |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
- точку с координатами IK |
0,UКЭ UИПэкв 10(В) на оси напряжений; |
|
|
|
|||||||||||
- точку с координатами I |
K |
UИПэкв |
|
10 |
16(мА),U |
КЭ |
0 на оси токов. |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
||||||||||||
|
R |
625 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
Кэкв |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Находим точки пересечения нагрузочной прямой с кривыми |
IK f (UKЭ ) |
|
IБ const , |
||||||||||||
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
которые определяют токи базы IБi и выходные напряжения ключа Uвыхi |
|
UКЭi (i 1,...,N ), |
|||||||||||||
где N – количество таких точек. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Входная ВАХ БТ IБ f (UБЭ ) |
|
UКЭ const , соответствующая |
UКЭ 0, позволяет найти |
||||||||||||
|
|||||||||||||||
|
|||||||||||||||
напряжения UБЭi , соответствующие выходным напряжениям Uвыхi , как показано на рисунке 8. В качестве напряжения UБЭ1, соответствующего IБ 0, используют пороговое напряжение UБЭпор , которое определяется напряжением точки пересечения
прямой, аппроксимирующей входную ВАХ при больших значениях тока базы, с осью абсцисс (рис 8). Тогда соответствующие входные напряжения вычисляются согласно выражению:
Uвхi UБЭi IБi RБ . |
|
|
|
|
|
|||||||||
R |
Б |
h |
|
UБЭ |
|
|
|
0.8 0.65 |
0.75(Ом) |
|
||||
|
|
|||||||||||||
I |
|
|
|
|||||||||||
|
|
11Э |
|
|
|
|
|
0.2 0 |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
Б |
|
UКЭ const |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Получаем |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
№ |
|
IБ ,мА |
|
|
UБЭ ,В |
|
Uвых (UКЭ ),В |
Uвх,В |
||||||
|
1 |
|
|
0 |
|
0.65 |
|
|
9 |
0.65 |
||||
|
2 |
|
|
0.05 |
|
0.72 |
|
|
8.3 |
0.76 |
||||
|
3 |
|
|
0.1 |
|
0.75 |
|
|
7.5 |
0.825 |
||||
|
4 |
|
|
0.15 |
|
0.775 |
|
7 |
0.89 |
|||||
|
5 |
|
|
0.25 |
|
0.8 |
|
|
6.2 |
0.99 |
||||
|
6 |
|
|
0.35 |
|
0.8 |
|
|
5 |
1.06 |
||||
|
7 |
|
|
0.45 |
|
0.8 |
|
|
4.7 |
1.14 |
||||
|
8 |
|
|
0.6 |
|
0.8 |
|
|
3 |
1.25 |
||||
Полученные пары значений Uвыхi и Uвхi |
позволяют построить передаточную |
||
характеристику ключа, представленную на рис. 9. |
Высокий выходной уровеньU1 |
вых |
|
соответствует работе БТ в режиме отсечки (точка “1”): |
|
||
Uвых1 |
UИПэкв IКЭ0RК UИПэкв . |
|
|
Низкий выходной уровень соответствует работе в режиме насыщения (точка “8”): |
|||
Uвых0 |
UКЭнас . |
|
|
10