Материал: КР ОРЭ Заочное вар.17 пароль на редактирование 1111

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Задача №3

Нарисовать схему одиночного усилительного каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией и выполнить расчет элементов схемы, задающих рабочую точку.

Выполнить графоаналитический расчет усилительного каскада в режиме класса “А”. При расчетах использовать выходные статические характеристики транзистора.

Исходные данные:

Тип транзистора: КТ3127А

UK0 6(B)

IK0 8(мА)

Решение

Расчет элементов схемы одиночного усилительного каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией, принципиальная схема которого приведена на рис. 3, выполняется в следующей последовательности.

Рис 3

В рассматриваемом каскаде БТ работает в режиме “А”, и положение рабочей точки задается примерно на середине нагрузочной прямой. Поэтому напряжение источника

питания определяется из условия UИП 2UК0 2 6 12(B), а напряжение на резисторе RK определяется выражением

URK UИП UK0 UK0 6(B)

Падение напряжение на резисторе RЭ рекомендуется выбирать из диапазона

значений UЭ (0,05...0,1)UИП .

 

UЭ 0,07 UИП

 

0,07 12 0.84(B)

Вычисляем сопротивление резисторов:

R

 

 

U

Э

 

UR

 

 

 

 

0.84

105(Ом)

Э

 

 

 

 

Э

 

 

 

 

 

 

 

IК0

 

8

10 3

 

 

 

IЭ

 

 

 

 

 

 

R

K

 

URK

 

 

 

 

6

 

 

750(Ом)

 

IК0

 

 

8 10 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

Напряжение UБЭ для кремниевых транзисторов лежит в диапазоне 0,6…0,8 В Принимаем UБЭ 0,7(B).

Напряжение на базе определяется как

UБ UБЭ UЭ 0.7 0,84 1,54(B)

С учетом связи между токами транзистора

IK

15, найдем ток базы:

IБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

Б

 

I

K

 

8 10 3

0.53(мА)

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

Для обеспечения хорошей стабилизации рабочей точки ток делителя в цепи базы должен быть больше тока базы IД (5...10)IБ .

Принимаем IД 10 IБ 10 0.53 10 3 5.3(мА)

Сопротивления резисторов делителя находим согласно выражениям:

R UБ

1.54

 

291(Ом)

 

 

5.3 10 3

 

 

2

IД

 

 

 

R

UИП UБ

 

 

12 1.54

 

1.79(кОм)

 

5.3 10 3 0.53

10 3

1

IД IБ

 

Графоаналитический расчет усилителя проводим в следующем порядке. По справочникуопределяем его максимально допустимые параметры:

- постоянный ток коллектора IK max 20(мА);

-постоянное напряжение коллектор-эмиттер Umax 20(В);

-постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max IKU100(мВТ).

На семействе выходных характеристик транзистора, как показано на рис. 4, строим область допустимых режимов, ограниченную IK max,Umax,PK max .

Выполняем построение нагрузочной прямой, которая описывается уравнением

IK (UИП UКЭ )/ RK . Прямая проводится через две точки , лежащие на осях

координат:

 

 

 

 

 

 

 

 

- точку с координатами IK

0,UКЭ UИП 12(В) на оси напряжений;

- точку с координатами I

K

 

UИП

 

12

16(мА),U

КЭ

0.

RK

750

 

 

 

 

 

7

IKmax

UИП

RK

PKmax

С

Umax

IKm1

IK0

t

O

IKm2

 

 

В

UK0

UИП

UKm1 UKm2

 

t

Рис 4

Максимальные значения амплитуды полуволн неискаженного сигнала соответствуют пересечению нагрузочной прямой с статическими характеристиками в точке “C” – режим насыщения и в точке “В” – режим отсечки.

Рабочая точка “O” находится на середине нагрузочной прямой, тогда

UKm

UKm1 UKm2

 

 

11 3

4(B);

 

2

 

 

2

 

 

 

 

 

IKm

IKm1 IKm2

 

11 1.5

4.75(мA).

2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

Максимальная мощность неискаженного сигнала определяется выражением:

PKm 12UKmIKm 12 4 4.75 10 3 9.5(мВт)

Мощность, потребляемая от источника питания:

P0 UK0IK0 7 6 10 3 42(мВт)

Тогда коэффициент полезного действия:

 

P

9.5 10

3

0.226

 

Km

 

 

 

 

 

42

10 3

 

P

 

 

0

 

 

 

 

 

8

Задача №4

Нарисовать схему электронного ключа на БТ с ОЭ и построить его передаточную характеристику Uвых f (Uвх ). Если сопротивление нагрузки RH 5RK . Тип транзистора,

напряжение питания сопротивление резистора в цепи коллектора использовать в соответствии с исходными данными и решением задачи №1. Сопротивление резистора в

цепи базы принять равным входному сопротивлению БТ RБ h11Э рассчитанному для рабочей точки.

Исходные данные:

Тип транзистора: КТ3127А

UK0 6(B)

IK0 8(мА)

Решение

Передаточная характеристика Uвых f (Uвх ) электронного ключа на БТ,

принципиальная схема которого представлена на рис 5, выполняется в следующей последовательности.

Находим параметры эквивалентной схемы ключа, показанной на рис. 6:

RH 5RK

5 750 3.75(кОм)

 

U

 

 

U

 

 

RН

 

12

 

3750

10(B);

ИПэкв

ИП R

R

7550 3750

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K

 

Н

 

 

 

 

R

 

 

RK RН

 

750 3750

625(Ом)

 

 

750 3750

Кэкв

 

 

R

R

 

 

 

 

 

 

 

K

 

Н

 

 

 

 

 

 

Рис. 5

Рис. 6

9

На семействе выходных характеристик БТ

IK

f (U)

 

IБ const

проводим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нагрузочную прямую (рис. 7), описываемую уравнением

 

IK

UИПэкв UКЭ ,

через две

точки, лежащие на осях координат:

 

 

 

 

 

RКэкв

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- точку с координатами IK

0,UКЭ UИПэкв 10(В) на оси напряжений;

 

 

 

- точку с координатами I

K

UИПэкв

 

10

16(мА),U

КЭ

0 на оси токов.

 

 

 

 

 

 

 

 

R

625

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кэкв

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Находим точки пересечения нагрузочной прямой с кривыми

IK f (U)

 

IБ const ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

которые определяют токи базы IБi и выходные напряжения ключа Uвыхi

 

UКЭi (i 1,...,N ),

где N – количество таких точек.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Входная ВАХ БТ IБ f (UБЭ )

 

UКЭ const , соответствующая

UКЭ 0, позволяет найти

 

 

напряжения UБЭi , соответствующие выходным напряжениям Uвыхi , как показано на рисунке 8. В качестве напряжения UБЭ1, соответствующего IБ 0, используют пороговое напряжение UБЭпор , которое определяется напряжением точки пересечения

прямой, аппроксимирующей входную ВАХ при больших значениях тока базы, с осью абсцисс (рис 8). Тогда соответствующие входные напряжения вычисляются согласно выражению:

Uвхi UБЭi IБi RБ .

 

 

 

 

 

R

Б

h

 

UБЭ

 

 

 

0.8 0.65

0.75(Ом)

 

 

 

I

 

 

 

 

 

11Э

 

 

 

 

 

0.2 0

 

 

 

 

 

 

 

 

Б

 

UКЭ const

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IБ ,мА

 

 

UБЭ ,В

 

Uвых (UКЭ ),В

Uвх,В

 

1

 

 

0

 

0.65

 

 

9

0.65

 

2

 

 

0.05

 

0.72

 

 

8.3

0.76

 

3

 

 

0.1

 

0.75

 

 

7.5

0.825

 

4

 

 

0.15

 

0.775

 

7

0.89

 

5

 

 

0.25

 

0.8

 

 

6.2

0.99

 

6

 

 

0.35

 

0.8

 

 

5

1.06

 

7

 

 

0.45

 

0.8

 

 

4.7

1.14

 

8

 

 

0.6

 

0.8

 

 

3

1.25

Полученные пары значений Uвыхi и Uвхi

позволяют построить передаточную

характеристику ключа, представленную на рис. 9.

Высокий выходной уровеньU1

вых

соответствует работе БТ в режиме отсечки (точка “1”):

 

Uвых1

UИПэкв IКЭ0RК UИПэкв .

 

 

Низкий выходной уровень соответствует работе в режиме насыщения (точка “8”):

Uвых0

UКЭнас .

 

 

10

Источник: https://studfile.net/preview/16496960/