таэдрическом поле. Сплошная линия на рис. 5.14 показы вает коэффициент поглощения для трех кристаллов при температуре 1. 5° К. Положение широких полос поглоще ния, связанных со спии-разрешенными переходами и уз ких линий, вызванных спин-запрещениыми переходами,
Рис. 5.14. Спектр поглощения (сплошная линия) и удельное магнитное вращение (пунктирная линия)
в кристаллах СгС13, СгВга, СгІ3.
Измерения выполнены при 1.5° К в магнитном поле, при ложенном вдоль направления света.
достаточно хорошо объясняется в рамках теории кристал лического поля. Край фундаментального поглощения, расположенный в области ультрафиолета для СгС13, сме щается в видимую область для СгВг3 и далее в ближнюю инфракрасную область для СгІ3. Важно отметить, что из мерения поглощения следует проводить на намагниченных образцах, так как сильная диффракция света на доменах может исказить результаты по поглощению.
При распространении света вдоль оптической оси кри сталла и внешнем магнитном поле в этом же направлении тригалогениды хрома обнаруживают значительный круго вой дихроизм, т. е. различное поглощение для света с пра вой и левой кругойой поляризацией. МКД обнаружива ется как для некоторых линий поглощения, так и для края поглощения. Край поглощения оказывается значительно смещенным для света различной круговой поляризации: для CrClg смещение крайне мало, около 0, для СгВг3 оно составляет примерно 200 см-1 и дляСгІ3 — около 90 см-1. Это смещение приводит е огромному вращению плоскости поляризации света для этого класса соединений, рекорд ные значения для СгВг3 составляют, например, в зеленой области в минимуме поглощения при ѵ =20.000 см-1 около 130 000°/см, на краю^ноглощения наблюдалось враще ние ~600 000°/см.
Теоретический анализ ЭФ в трибромиде хрома пока зал, что край собственного поглощения можно связать с переносом электрона с орбиты брома на локализованную орбиту хрома. В свою очередь вращение плоскости поля ризации света обусловлено расщеплением возбужденных энергетических состояний спин-орбиталышм взаимодей ствием, а также тригоиальным кристаллическим полем.
В недавней работе [45] было выполнено детальное ис следование дисперсии ЭФ в области полос поглощения,
|
|
|
Т а б л и ц а |
5.9 |
|
|
Кристаллографические и магнитные свойства галогенидов |
|
|
|
трехвалентпого хрома |
|
|
Кристалл |
|
СгСД |
СгВгз |
сСгіэ |
Пространственная группа ^ |
Г2 |
Г 2 |
Возможно |
^3 |
і |
(ниже |
|
|
|
|
(ниже |
Саг |
Параметр |
гексагональной |
238° К) |
400° К) |
|
5.942 |
6.26 |
6.86 |
ячейки, |
 |
 |
|
17.333 |
18.20 |
19.88 |
Параметр со, |
|
Рентгеновская плотность, |
2.95 |
4.75 |
5.36 |
г/смз; |
|
Кюри, |
Тг , |
16.8 |
|
32.5 |
68.0 |
Температура |
|
° К. |
|
|
|
3880 |
3390 |
2690 |
Намагниченность'4тгЛ/„, э |
Поле анизотропии |
2KjM |
(оценка) |
6500 |
28600 |
0 |
|
при 0° К, |
э |
|
|
|
|
|