Эта формула для магнитного линейного дихроизма содержит первую и вторую производные от линии погло щения, представляющие температурно-зависимый и неза висимый члены. Эксперимент позволяет определить g - фактор возбужденного состоящія. Мы видим, что иссле дование МЛД возможно в парамагнетиках либо при очень низких температурах, когда кТ мало, либо в области узких полос поглощения.
Хотя формулы (5. 81), (5. 82), (5. 87) для МКД, ЭФ и МЛД были получены в предположении, что магнитное расщепление является слабым по сравнению с шириной линии поглощения и температурой, они качественно предсказывают возрастание эффектов для магнитоупоря доченных кристаллов, где имеется сильное обменное вза имодействие.
Гиромагнитный мсхаіпізм магнитооптических эффектов
Выше мы рассмотрели микроскопические меха низмы магнитооптических явлений, связанные с электри ческими дипольными переходами. Одпако возможно также появление воспришічивости за счет магнитных дипольных или даже квадрупольных переходов. Обычно эти переходы значительно слабее и ими, как правило, можно пренебречь. В случае магнитоупорядоченных кристаллов оказался существенным вклад в восприимчивость, связанный с маг нитными дипольными переходами в далекой инфракрасной и СВЧ области на частотах ферромагнитного и обменного резонансов.
Из уравнения движения магнитного момента ферро магнетика [25], при условии, что частота наблюдения ш больше частот ферромагнитного шр резонанса и частоты релаксации шрсл, т. е. ш шр, сорел, следует, что тензор магнитной восприимчивости имеет вид
О |
Mz — Му |
|
х?,(«*>«ор) = Л - -М г |
о |
мх + к. с., |
(5. 88) |
М у - м х |
о |
|
где к. с. — комплексно-сопряженное выражение, у — гиромагнитное отношение. Формула (5. 88) говорит о том, что в оптическом диапазоне в первом приближении диа гональные компоненты магнитной восприимчивости равны