В приведенной таблице V (V1) – напряжение источника входного сигнала, Vb (Q1) – напряжение на базе транзистора, Ve (Q1) – напряжение на эмиттере транзистора или на выходе ЭП.
По полученным в результате моделирования графикам определить амплитуду сигнала на базе транзистора Vmb = (Vb max – Vb min)/2. Рассчитать коэффициент усиления напряжения ЭП:
KV = Vme .
Vmb
Сравнить полученную в результате моделирования величину KV с расчетной величиной, полученной по выражению (5.3).
5.3.Основные свойства каскадов с общим эмиттером
5.3.1.Входное сопротивление схемы каскада с ОЭ
На рис. 5.2 представлен вариант усилительного каскада с включением транзистора по схеме с ОЭ. В этой схеме в отличие от схемы, изображенной на рис. 5.1, параллельно резистору Re включена емкость Се, а выходной сигнал снимается с сопротивления Rc в коллекторной цепи. Емкость Се выбирается такой, чтобы ее сопротивление на рабочих частотах было много меньше динамического сопротивления перехода БЭ транзистора rbe~. При этом напряжение на эмиттере можно считать постоянным, ∆Vbe ≈ 0, а эмиттерный переход – заземленным по переменному току.
Входной сигнал, действующий на базе и равный ∆Vb = ∆Vbe + ∆Ve, практически весь прикладывается к переходу БЭ транзистора, ∆Vb ≈ ∆Vbe.
9k |
600 |
|
R12 |
Rc2 |
|
|
|
|
2u |
|
|
C2 |
|
|
|
Q2 |
5V |
|
2N3904 |
Ec |
sin(0 10mV 1Meg) |
|
|
3k |
|
|
V2 |
|
|
|
300 |
|
R22 |
|
|
|
Re2 |
|
|
C3 |
|
|
2u |
|
Рис. 5.2
26
При расчете элементов схемы усилителя необходимо обеспечить работу транзистора в линейном режиме, т. е. в пологой области выходной характеристики. Переход БК транзистора должен быть закрыт (Vb < Vc).
Входное сопротивление каскада постоянному току, напряжение на базе транзистора в рабочей точке и эмиттерный ток транзистора Ie определяются так же, как и в схеме ЭП.
Напряжение на коллекторе Vc определяется с помощью выражения Vc = Ec − Ic Rc = Ec − Ie Rc , поскольку в линейной области выходной характеристики можно принять Ic = Ie.
5.3.2. Входное сопротивление каскада с ОЭ переменному току
Входное сопротивление каскада с ОЭ переменному току Rвх~ рассчитывается следующим образом:
Rвх~ = Vb
Ib = ( Vbe + Ve )
Ib .
С учетом соотношения ∆Ve ≈ 0, справедливого для схемы с ОЭ,
Rвх~ = Vb
Ib = rbe~ .
5.3.3. Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ
Модуль коэффициента усиления по напряжению KV определяется как отношение амплитуды выходного сигнала Vmc к амплитуде входного сигнала Vmb. В частотной области, где не учитываются частотные свойства транзистора и справедливо соотношение Vmb = Vmbe,
KV = Vmc Vmb = Vmc Vmbe = Imc Rc I mbrbe~ = β Rc rbe~ , |
(5.4) |
или: KV = SRc, где S – крутизна передаточной характеристики транзистора. Очевидно, что KV > 1 и зависит от коэффициента β и соотношения Rc и rbe~.
5.3.4.Анализ переходных процессов в схеме усилителя с ОЭ
1.При построении графического изображения схемы усилителя с ОЭ (см. рис. 5.2) источник синусоидального напряжения задать аналогично схеме с ОК. Параметры сигнала: постоянная составляющая синусоидального сигнала V0 = 0, амплитудная – Va = 10 мВ, частота f0 = 1 МГц.
В качестве модели транзистора Q2 следует указать 2N3904. Для источника постоянного напряжения Ес в строке Value указать 5 В.
27
2. Выбрать команду Analysis > Dynamic DC. Для отображения напряжений в узлах схемы воспользоваться пиктограммой
. Рассчитать токи в ветвях схемы: I1, I2, Ie, Ic, Ib и напряжение Vbe.
3. Провести анализ переходных процессов в усилителе. С помощью команды Analysis > Transient открыть диалоговое окно задания параметров моделирования. В строке Time range указать длительность временного интервала по оси Х, равную двум периодах входного сигнала – 2 мкс. Заполнить таблицу задания параметров для вывода результатов моделирования схемы с ОЭ в соответствии с данными табл. 5.2.
Таблица 5.2
P |
X Expression |
Y Expression |
X Range |
Y Range |
|
1 |
T |
V(V2) |
2 мкс, 0 |
0.015, |
–0.015 |
2 |
T |
Vc(Q2) |
2 мкс, 0 |
4, |
1.5 |
Провести многовариантный анализ при вариации значений коллекторного сопротивления Rc2. Для этого в окне задания параметров на моделирование нажатием кнопки Stepping открыть окно для задания варьируемого параметра. Указать имя варьируемого параметра – Rc2, его начальное значение 300, конечное значение 1200 и шаг 150. В поле Step it для подтверждения задания параметрического анализа поставить метку Yes.
По результатам моделирования (пользуясь семейством полученных кривых) следует определить амплитуду входного сигнала при каждом значении нагрузочного сопротивления и рассчитать коэффициент усиления KV.
28
Содержание |
|
Лабораторная работа 1. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ |
|
НА ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ........................ |
3 |
Лабораторная работа 2. ОДНОПОЛУПЕРИОДНЫЙ ДИОДНЫЙ |
|
ВЫПРЯМИТЕЛЬ........................................................................................... |
11 |
Лабораторная работа 3. ВХОДНАЯ И ПЕРЕДАТОЧНАЯ |
|
ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ....................... |
14 |
Лабораторная работа 4. СЕМЕЙСТВО ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК |
|
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. КЛЮЧЕВОЙ РЕЖИМ РАБОТЫ |
|
ТРАНЗИСТОРА ............................................................................................ |
19 |
Лабораторная работа 5. ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ |
|
С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ И С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ.................... |
22 |
29
Редактор Н. В. Лукина
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Подписано в печать 24.09.14. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 2,0.
Гарнитура «Times New Roman». Тираж 103 экз. Заказ 172.
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
30