Материал: TX7Eh4KK48

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

В приведенной таблице V (V1) – напряжение источника входного сигнала, Vb (Q1) – напряжение на базе транзистора, Ve (Q1) – напряжение на эмиттере транзистора или на выходе ЭП.

По полученным в результате моделирования графикам определить амплитуду сигнала на базе транзистора Vmb = (Vb max Vb min)/2. Рассчитать коэффициент усиления напряжения ЭП:

KV = Vme .

Vmb

Сравнить полученную в результате моделирования величину KV с расчетной величиной, полученной по выражению (5.3).

5.3.Основные свойства каскадов с общим эмиттером

5.3.1.Входное сопротивление схемы каскада с ОЭ

На рис. 5.2 представлен вариант усилительного каскада с включением транзистора по схеме с ОЭ. В этой схеме в отличие от схемы, изображенной на рис. 5.1, параллельно резистору Re включена емкость Се, а выходной сигнал снимается с сопротивления Rc в коллекторной цепи. Емкость Се выбирается такой, чтобы ее сопротивление на рабочих частотах было много меньше динамического сопротивления перехода БЭ транзистора rbe~. При этом напряжение на эмиттере можно считать постоянным, ∆Vbe ≈ 0, а эмиттерный переход – заземленным по переменному току.

Входной сигнал, действующий на базе и равный ∆Vb = ∆Vbe + ∆Ve, практически весь прикладывается к переходу БЭ транзистора, ∆Vb ≈ ∆Vbe.

9k

600

 

R12

Rc2

 

 

 

2u

 

 

C2

 

 

 

Q2

5V

 

2N3904

Ec

sin(0 10mV 1Meg)

 

 

3k

 

 

V2

 

 

 

300

 

R22

 

 

 

Re2

 

 

C3

 

 

2u

 

Рис. 5.2

26

При расчете элементов схемы усилителя необходимо обеспечить работу транзистора в линейном режиме, т. е. в пологой области выходной характеристики. Переход БК транзистора должен быть закрыт (Vb < Vc).

Входное сопротивление каскада постоянному току, напряжение на базе транзистора в рабочей точке и эмиттерный ток транзистора Ie определяются так же, как и в схеме ЭП.

Напряжение на коллекторе Vc определяется с помощью выражения Vc = Ec Ic Rc = Ec Ie Rc , поскольку в линейной области выходной характеристики можно принять Ic = Ie.

5.3.2. Входное сопротивление каскада с ОЭ переменному току

Входное сопротивление каскада с ОЭ переменному току Rвх~ рассчитывается следующим образом:

Rвх~ = Vb Ib = ( Vbe + Ve ) Ib .

С учетом соотношения ∆Ve ≈ 0, справедливого для схемы с ОЭ,

Rвх~ = Vb Ib = rbe~ .

5.3.3. Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ

Модуль коэффициента усиления по напряжению KV определяется как отношение амплитуды выходного сигнала Vmc к амплитуде входного сигнала Vmb. В частотной области, где не учитываются частотные свойства транзистора и справедливо соотношение Vmb = Vmbe,

KV = Vmc Vmb = Vmc Vmbe = Imc Rc I mbrbe~ = β Rc rbe~ ,

(5.4)

или: KV = SRc, где S – крутизна передаточной характеристики транзистора. Очевидно, что KV > 1 и зависит от коэффициента β и соотношения Rc и rbe~.

5.3.4.Анализ переходных процессов в схеме усилителя с ОЭ

1.При построении графического изображения схемы усилителя с ОЭ (см. рис. 5.2) источник синусоидального напряжения задать аналогично схеме с ОК. Параметры сигнала: постоянная составляющая синусоидального сигнала V0 = 0, амплитудная – Va = 10 мВ, частота f0 = 1 МГц.

В качестве модели транзистора Q2 следует указать 2N3904. Для источника постоянного напряжения Ес в строке Value указать 5 В.

27

2. Выбрать команду Analysis > Dynamic DC. Для отображения напряжений в узлах схемы воспользоваться пиктограммой . Рассчитать токи в ветвях схемы: I1, I2, Ie, Ic, Ib и напряжение Vbe.

3. Провести анализ переходных процессов в усилителе. С помощью команды Analysis > Transient открыть диалоговое окно задания параметров моделирования. В строке Time range указать длительность временного интервала по оси Х, равную двум периодах входного сигнала – 2 мкс. Заполнить таблицу задания параметров для вывода результатов моделирования схемы с ОЭ в соответствии с данными табл. 5.2.

Таблица 5.2

P

X Expression

Y Expression

X Range

Y Range

1

T

V(V2)

2 мкс, 0

0.015,

–0.015

2

T

Vc(Q2)

2 мкс, 0

4,

1.5

Провести многовариантный анализ при вариации значений коллекторного сопротивления Rc2. Для этого в окне задания параметров на моделирование нажатием кнопки Stepping открыть окно для задания варьируемого параметра. Указать имя варьируемого параметра – Rc2, его начальное значение 300, конечное значение 1200 и шаг 150. В поле Step it для подтверждения задания параметрического анализа поставить метку Yes.

По результатам моделирования (пользуясь семейством полученных кривых) следует определить амплитуду входного сигнала при каждом значении нагрузочного сопротивления и рассчитать коэффициент усиления KV.

28

Содержание

 

Лабораторная работа 1. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ

 

НА ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ........................

3

Лабораторная работа 2. ОДНОПОЛУПЕРИОДНЫЙ ДИОДНЫЙ

 

ВЫПРЯМИТЕЛЬ...........................................................................................

11

Лабораторная работа 3. ВХОДНАЯ И ПЕРЕДАТОЧНАЯ

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА .......................

14

Лабораторная работа 4. СЕМЕЙСТВО ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

 

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. КЛЮЧЕВОЙ РЕЖИМ РАБОТЫ

 

ТРАНЗИСТОРА ............................................................................................

19

Лабораторная работа 5. ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ

 

С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ И С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ....................

22

29

Редактор Н. В. Лукина

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Подписано в печать 24.09.14. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 2,0.

Гарнитура «Times New Roman». Тираж 103 экз. Заказ 172.

–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5

30

Источник: https://studfile.net/preview/16438727/