Материал: 1381
96
Окончание таблицы 3.8
1 |
2 |
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
30 |
Ларморовская частота |
f = gH / mc |
|
|
2,55 |
|
|
|
-2 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
||||
31 |
Ларморовская круговая частота |
ω = 2πf =1/T |
|
|
5,6 |
|
|
|
9 |
|
|
|||||
|
вращения |
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
32 |
Период вращения электрона |
|
|
T = 2πm / e В |
178,4 |
|
10 |
-12 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
33 |
Мера замагниченности |
λR |
|
|
|
|
|
|
102 |
|
|
|
|
|
||
34 |
Коэффициент диффузии (В=0) |
D0 = λeVe / 3 |
|
|
|
4,88 |
|
|
|
4 |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
||||
35 |
Коэффициент диффузии поперек |
|
|
λeVe |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
-9 |
|||
|
линий магнитного поля |
D = 3 |
|
|
|
|
1,87 10 |
|
|
|||||||
|
(ωHτe )2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
= |
|
Do |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
(ωH τe )2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
36 |
Параметр Холла |
ωeτe |
|
|
|
|
|
|
4,93 |
|
|
|
|
|
||
37 |
Коэффициент анизотропии |
D / D |
|
|
|
2,6 |
|
|
|
13 |
|
|||||
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
||||
38 |
Эквивалентное давление |
PE = Po 1+ |
(ωτ) |
2 |
|
|
10 |
6 |
|
|
||||||
|
|
|
|
30 |
|
|
|
|
||||||||
Приведенные соотношения носят качественный характер для идеального вакуума, для плоских электродов, для однородного магнитного поля и др. Полученные данные следует сравнивать с некоторыми известными величинами. Например, скорость частицы не может быть больше скорости света. Концентрация плазмы не может быть больше концентрации частиц в жидкости (1019 1/см3). Электронная температура для источников с применением тлеющего разряда соизмерима с Те~ 104 K, для дугового Те~ 105 K. Коэффициенты ионизации и рекомбинации в условиях работы источников ~ 10-2.
3.7Контрольные вопросы к главе 3
1.Как проводится расчет вакуумных систем?
2.Какой принцип работы термопарного и ионизационного датчиков давления?
3.Какой принцип разделения масс ионов в магнитном поле?
4.Каковы преимущества лазерного формирования пленок перед термическим испарением материалов в вакууме?
5.Как проводится расчет мощности источника электронов для проведения технологической операции?
6.Каковы принципиальные схемы источников для получения ионов металлов и ионов газов?
7.Какие механизмы ионного травления материалов Вам известны?
8.Какое принципиальное устройство плазмотрона для наплавки материалов при атмосферном давлении?
9.Каковы методы измерения твердости материалов?
10.Как упрочняют материал сильноточными ионно-электронными
пучками?
97
4СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Кразделу 1. Физико-химические основы технологических процессов
впроизводстве материалов и изделий электронной техники.
1.Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физикотехнологические основы: учебное пособие/ А.А. Барыбин. – Физматлит
2006. – 424 с – ISBN 5- 9921-0679-1.
2.Пасынков В.В, Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учебник для вузов. – СПб.: Лань, 2003. – 368 с
3.Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний – материал наноэлектроники.//уч. пособие для вузов. Сер.Мир материалов и технологий. Техносфера, Москва, 2007. – 352 с.
Кразделу 2. Кинетические, диффузионные и поверхностные явления
имежфазные взаимодействия в технологических процессах
1.Данилина Т.И. Смирнов С.В. Ионно-плазменная технология в производстве СБИС. – Томск: ТУСУР, 2000. – 140 с.
2.Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учебник для вузов. – СПб.: Лань, 2002. – 424 с.
3.Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА.– М.: Высшая школа, 1987. – 375 с.
К разделу 3. Физические основы вакуумной, ионно-плазменной, электронно-лучевой и лазерной технологии
1.Жданов С.К., Курнаев В.А., Романовский М.К., Цветков И.В. Основы физических процессов в плазме и плазменных установках Учебное пособие. – М.: МИФИ, 2000. – 260 с.
2.Кадыржанов К.К. Ионно-лучевая и ионно-плазменная модификация материалов./К.К. Кадыржанов [и др.].– M.: Из-во МГУ, 2005.
–640 с.
3.Вакуумные дуги. Теория и приложения / Под ред. Дж.
Лафферти. М.: Мир.– 1982. – 432 с.
Учебное пособие Часть 1
Орликов Л.Н.
Учебное пособие по дисциплине «Технология материалов и изделий электронной техники»
Усл. печ. л. ______ . Препринт Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники 634050, г.Томск, пр.Ленина, 40