Материал: нанка3туннель (1)

Энергетическое расстояние между уровнем Ферми и дном зоны проводимости:

Концентрация носителей в зонах вырожденного p-n-перехода:

Вероятность туннелирования электронов через потенциальный барьер в туннельном диоде:

А) треугольной формы

Б) прямоугольной формы

Заключение

В лабораторной работе мы изучили туннельный эффект и вольтамперную характеристику туннельного диода. Вольтамперная характеристика реального диода имеет вид неравномерного графика, но соответствует ожидаемым результатам в целом. Коэффициенты прохождения, определяющие вероятность туннелирования меньше нормальных значений в несколько раз из-за малой величины высоты барьера и энергии частицы. Положение максимума функции распределения электронов и дырок n(Е), p(Е) относительно уровня Ферми отличается от действительного на сотые доли.