Материал: kursach_marat

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Рис. 2.7. Кривые термического цикла при Wи = 50 Дж

R=0

t, с

0

0.1

0.12

0.14

0.16

0.2

T, °C

1380

1000

800

680

490


R=0,096см

t, с

0.02

0.038

0.08

0.12

0.16

0.2

T, °C

1200

1505

1000

690

500

380

R=0,116 см

t, с

0.04

0.055

0.08

0.12

0,16

0.2

T, °C

800

840

750

580

410

380


R=0,14см

t, с

0.04

0.07

0.1

0.12

0.16

0.2

T, °C

385

495

420

402

380

365

Полученные данные из графиков сводим в таблицу 2.5.

Таблица 2.5.

R, cм

0

0.096

0.116

0.14

Tm, °C

1505

840

495

tm, c

0

0,043

0,064

0,09

wохл., °C/c

17,9

10,01

3,1

-

Анализируя полученные зависимости следует отметить, что с увеличением энергии теплового источника увеличивается время достижения максимальной температуры, увеличивается время роста зерна.

2.5. Построение зависимости времени пребывания выше температуры закалки по глубине от параметров обработки

Зависимость времени пребывания выше температуры закалки от энергии теплового источника WИ (рис. 2.8)

Рис. 2.8. График зависимости времени пребывания выше температуры

закалки от энергии теплового источника

Из графика видно, что при увеличении энергии теплового источника увеличивается время пребывания выше температуры закалки. Это объясняется тем, что с увеличением энергии теплового источника увеличивается мощность излучения, а следовательно повышается температура обрабатываемой поверхности и материал дольше находится выше температуры закалки.

2.6. Построение зависимостей изменения глубины зон проплавления, закалки и отпуска в зависимости от параметров обработки

Зависимость изменения глубины проплавления от величины энергии теплового источника (рис. 2.9)

Рис. 2.9. График зависимости изменения глубины проплавления от величины энергии теплового источника

Зависимость изменения глубины закалки от величины энергии теплового источника (рис. 2.10)

Рис. 2.10. График зависимости изменения глубины закалки от величины энергии теплового источника

Зависимость изменения глубины отпуска от величины энергии теплового источника (рис. 2.11)

Рис. 2.11. График зависимости изменения глубины отпуска от величины энергии теплового источника

Из приведённых выше графиков видно, что с увеличением энергии теплового источника глубина проплавления, закалки и отпуска также увеличиваются. Это объясняется тем, что с увеличением энергии теплового источника увеличивается мощность излучения, а следовательно повышается температура обрабатываемой поверхности.

3. Физико-химические процессы на поверхности твёрдого тела при вакуумной ионно-плазменной обработке

Исходные данные:

Pгаза =2 ·10-4 мм рт. ст.= 2 ·10-4 133,3=266,6 ·10-4 Па;

Uп = 180 В;

Tст = 300 К;

Tп = 427°С = 700 К;

Iр =170 А;

Соединение: СrB2.

Необходимо определить:

- ионный ток насыщения ji max

-толщину двойного слоя, определяемую дебаевским радиусом экранирования λD

- потоки ионов металла и молекулярного газа в произвольной точке на единицу площади в единицу времени ni, nг

- энергию, выделяемую на поверхности конденсации за единицу Δq

- количество газа, вступившего в реакцию с металлом nx

- содержание неметалла Cx в соединении

- пороговое значение потенциала подложки Uпкр

3.1 Расчёт ионного тока насыщения

При подаче на обрабатываемую поверхность, находящуюся в плазме, достаточно высокого отрицательного потенциала на поверхность поступает ионный ток насыщения, величина которого в неравновесной плазме дается формулой

, [2] (3.1)

где μр – коэффициент эрозии катода;

- среднее зарядовое число ионов хрома;

mi – масса конденсирующегося иона хрома, кг

(mi=86,32·10-27 кг);

Rk – радиус катода, м (Rk=0,04 м); [3]

Ip – ток дуги, А (Ip=170 А); [3]

l – расстояние от торца катода до обрабатываемой поверхности, м

(l=0,2 м);

3.2 Расчёт толщины двойного слоя, определяемой дебаевским радиусом

экранирования λD

Поверхность в плазме оказывается окруженной слоем из положительных ионов двойного слоя. Толщина двойного слоя определяется дебаевским радиусом экранирования

[2] (3.2)

где k – постоянная Больцмана, (k = 1,38·10-23 Дж/К);

Te – температура электронов (Te = 4 эВ);

е – заряд электрона, (е = 1,6*10-19 Кл);

ni - поток ионов металла.

Подставляя значения Te и ni получаем

3.3 Расчёт потоков ионов металла и молекулярного газа в произвольной

точке на единицу площади в единицу времени ni, nг

Молекулы углерода, адсорбированные на поверхности конденсации, приводят к образованию соединений за счет диссоциативной хемосорбции путем возникновения двух ковалентных связей металл-углерод.

Потоки ионов металла и молекулярного газа в произвольной точке на единицу площади в единицу времени определяются соотношениями

, [2] (3.3)

, [2] (3.4)

где – среднее зарядовое число ионов хрома (=1,44); [2]

αк – коэффициент конденсации (αк=1 в нашем случае);

k – постоянная Больцмана,(k= 1,38·10-23 Дж/К);

Рг – давление газа, Па;

m – масса молекулы (для молекулярного газа) или атома

(для атомарного газа), кг;

Т – температура газа;

Давление газа составляет 266.6*10-4 Па. Атомная масса атома бора составляет 17,946*10-27 кг. Температура газа составляет 300 К. Тогда

3.4 Расчёт энергии, выделяемой на поверхности конденсации за

единицу Δq

На поверхности конденсации за единицу времени выделится энергия, определяемая соотношением

, [2] (3.5)

где Uп – отрицательное напряжение смещения на подложке относительно

плазмы, В;

– средняя энергия ионов, Дж (для Сr =122·10-19 Дж) ; [2]

Источник: https://studfile.net/preview/14229728/