Свистова Т.В., Ромасев С.А. Исследование электрофи- |
16 |
зических свойств пленок оксидов меди (CuOx) для датчиков |
|
газов………………………..………………………..……………... |
|
Меньшикова Т.Г., Авдеев М.А. Внедрение новых ис- |
|
пытаний для выявления годных изделий……………………… |
17 |
Меньшикова Т.Г., Свистова Т.В., Карионова А.А., Лев- |
|
ченко А.О. Разработка технологии изготовления и исследова- |
|
ние газовой чувствительности плёнок оксидов меди………… |
18 |
Мещерякова Е.И., Арсентьев А.В. Влияние оптическо- |
|
го излучения на свойства полупроводниковых пленок на осно- |
|
ве ZnO·SnO2………………………..………………………..…… |
19 |
Меньшикова Т.Г., Богданов И.А. Исследование влия- |
|
ния сборочных операций на параметры диодов Шоттки……… |
20 |
Свистова Т.В., Дуплякина С.И. Исследование фото- |
|
электрических свойств гетероструктур на основе оксида меди.. |
21 |
Калошин Р.В. Быстродействующий фотопьезоэлектри- |
|
ческий резонатор………………………..…………………………. |
22 |
Свистова Т.В., Кравченко И.С. Исследование фото- |
|
электрических свойств гетероструктур металооксид-кремний.. |
23 |
Меньшикова Т.Г., Кривец В.Г. Особенности примене- |
|
ния четырёхконтактного метода измерения сопротивления |
|
сток-исток полевого транзистора………………………………… |
24 |
Леонов Д.А., Меньшикова Т.Г. Оценка влияния режи- |
|
мов напыления обратной стороны на электропараметры дио- |
|
дов Шоттки………………………..………………………..……… |
25 |
Митрохин В.И., Осипенко М.В. Исследование диэлек- |
|
трических потерь в широкозонных полупроводниках А3В5…… |
26 |
Руднев А.В. Оптоакустические свойства монокристал- |
|
лических пластин фосфида индия……………………………….. |
27 |
Меньшикова Т.Г., Чуков Д.В. Исследование стойкости |
|
полевого транзистора и его способности поглощать энергию |
|
при лавинном пробое………………………..…………………….. |
28 |
Строгонов А.В., Пермяков Д.С., Белых М.А. Модели- |
|
рование процесса старения на схемотехническом уровне про- |
|
ектирования БИС………………………..………………………… |
29 |
Литвинова А.И. Разработка МЭМС-акселерометра с |
|
аналоговой обратной связью………………………..…………… |
30 |
55
Логвинова Е.В. Разработка методов повышения надеж- |
|
ности МЭМС переключателей…………………………………… |
31 |
Макаренко Е.С. Разработка МЭМС-акселерометра с |
|
цифровым выходом………………………..……………………… |
32 |
Мурзамуратов О.К. Проектирование микроакселеро- |
|
метра с использованием аналоговой обратной связи в схемах |
|
считывания………………………..……………………………… |
33 |
Пожарский Р.В. Частотные свойства фотоэлектриче- |
|
ского преобразования в структуре металл-полупроводник…… |
34 |
Сафонов А.И. Разработка МЭМС-акселерометра с са- |
|
мокалибровкой………………………..………………………..… |
35 |
Соколов В.С. Исследование методов повышения точ- |
|
ности преобразования в акселерометре при емкостном детек- |
|
тировании………………………………………………………… |
36 |
Турбина А.Н. Разработка МЭМС-акселерометра со ста- |
|
билизацией прерывания………………………………………… |
37 |
Филатов М.А. Метод стабилизации прерыванием…… |
38 |
Сидоров А.В. Разработка аналоговой части схемы газо- |
|
анализатора оксида азота…………………………………………. |
39 |
Дорохов В.А., Арсентьев А.В. Разработка транзисторов |
|
малошумящего усилителя для предусиления малого сигнала…. |
40 |
Арсентьев А.В., Булавина Н.С. Моделирование пара- |
|
метров JFET по технологии CoolSiC………………………..…… |
41 |
Власик В.Р. Моделирование нормально открытого |
|
HEMT на основе гетероструктуры GaN-Si……………………… |
42 |
Гнездилов А.А. Моделирование нормально закрытого |
|
HEMT на основе гетероструктуры GaN-Si……………………… |
43 |
Филипенко Р.П. Разработка и имитационное моделиро- |
|
вание КМОП-МЭМС-акселерометра…………………………… |
44 |
Шукалина У.С. Разработка высокоразрешающего |
|
МЭМС-акселерометра………………………..…………………… |
45 |
Бугаев Д.Н., Винокуров А.А. Исследование радиацион- |
|
ной стойкости проектов цифровых устройств в базисе ПЛИС к |
|
одиночным сбоям конфигурационной памяти………………… |
46 |
Гусев Р.С., Свистова Т.В., Винокуров А.А. Исследова- |
|
ние надежности источников питания для портативной меди- |
|
цинской техники………………………..…………………………. |
47 |
56
Дорофеев А.А. Монтаж П/П кристаллов на примере ра- |
|
боты установки микроэлектронных компонентов высокой |
|
сложности DATACON 2200 EVO PLUS………………………… |
48 |
Лубкин М.Н. Проектирование подсхем Femtoduino в |
|
среде САПР EAGLE………………………..…………………… |
49 |
Мохов Д.А. Разработка 3D модели корпуса газоанали- |
|
затора окиси азота………………………………………………… |
50 |
Диков Н.Р., Винокуров А.А. Моделирование неисправ- |
|
ностей цифровых интегральных схем с использованием SPICE- |
|
симулятора………………………………………………………… |
51 |
Копиев А.С., Винокуров А.А. Проектирование системы |
|
сбора данных для контроля параметров интегральных схем… |
52 |
Ахрамович А.С. Автоматизированный блок измерения силы |
|
трения в полупроводниках……………………………………………….. |
53 |
.
57
Научное издание
61 НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПРОФЕС- СОРСКО-ПРЕПОДАВАТЕЛЬСКОГО
СОСТАВА, СОТРУДНИКОВ, АСПИРАНТОВ И СТУДЕНТОВ ВГТУ
Секции «Материалы и технология полупроводниковых приборов»,
«Проектирование и надежность полупроводниковых приборов и ИС. Микроэлектромеханические системы»
Материалы конференции (г. Воронеж, 13 апреля 2021 г.)
Издается в авторской редакции
Компьютерная верстка Е.Ю. Плотниковой
Подписано в печать 25.05.2021. Формат 60x84 1/16. Бумага писчая.
Уч.-изд. л. 3,6. Усл. печ. л. 3,37. Тираж 350 экз. Заказ №76.
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»
394026 Воронеж, Московский просп., 14
Участок оперативной полиграфии издательства ВГТУ 394026 Воронеж, Московский просп., 14
58